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美方在國際空間站進(jìn)行光刻實(shí)驗(yàn),?想利用Astrileux新EUV涂層捕獲太陽EUV輻射

2020-06-04
來源:與非網(wǎng)
關(guān)鍵詞: EUV 光刻技術(shù) Astrileux

與非網(wǎng) 6 月 4 日訊,美國太空計(jì)劃創(chuàng)造了歷史,,SpaceX DM-2 龍飛船(Crew Dragon)上的 NASA 宇航員羅伯特·本肯(Robert Behnken)和格拉斯·赫利(Douglas Hurley)抵達(dá)國際空間站(ISS),這是商業(yè)航天器首次將宇航員運(yùn)送到國際空間站,。

 

國際空間站是企業(yè),、政府和大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室。一段時(shí)間以來,,國際空間站的宇航員已在該實(shí)驗(yàn)室為各個(gè)組織進(jìn)行了大量創(chuàng)新實(shí)驗(yàn),。2019 年 11 月,諾斯羅普·格魯曼公司的天鵝座(Cygnus)飛船從弗吉尼亞州的瓦羅普斯飛行研究所 (Wallops Flight Facility)發(fā)射升空,。

 

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航天器攜帶來自 Astrileux( 一家為制造 7nm 以下集成電路提供光學(xué)技術(shù)的公司)的有效載荷進(jìn)入國際空間站,。有效載荷是由太空科學(xué)發(fā)展中心(CASIS)和納米機(jī)架合作進(jìn)行的此外,該航天器還載有 20 多種其他有效載荷,。

 

國際空間站的宇航員利用來自 Astrileux 的有效載荷,,在國際空間站的外部平臺(tái)上進(jìn)行了光刻實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)圍繞 Astrileux 的新 EUV 光學(xué)鍍膜技術(shù)進(jìn)行,,目的是確定是否有可能使用 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲太陽 EUV 輻射,。

 

這些材料構(gòu)成了波長為 13.5nm 的 EUV 光刻工具的光學(xué)器件和反射鏡的基礎(chǔ)。實(shí)驗(yàn)證明,,能用 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲太陽 EUV 輻射,。有朝一日,,來自 Astrileux 的材料能夠成為一類新型的太空儀器。它還為未來基于 EUV 的空間光刻技術(shù)奠定了基礎(chǔ),,該技術(shù)使用太陽輻射的能量作為光源,。國際空間站最初于 2000 年投入使用,它是一個(gè)模塊化的太空實(shí)驗(yàn)室,,是美國,、俄羅斯、日本,、歐洲和加拿大的航空航天機(jī)構(gòu)之間的合作,。

 

很難想象一個(gè)有大型 EUV 設(shè)備的工廠將在國際空間站甚至在月球或火星上建造。但是在將來,,在太空中發(fā)展小型晶圓廠或微型晶圓廠是可行的,。為此,航天器或太空殖民地將需要 3D 打印機(jī)和 fab 工具,,以及對(duì)晶片進(jìn)行圖形化(pattern)的光刻技術(shù),。這就是需要與 Astrileux,、太空科學(xué)發(fā)展中心以及納米艙(NanoRacks)合作的地方,。太空科學(xué)發(fā)展中心是國際空間站的美國國家實(shí)驗(yàn)室(美國政府資助的實(shí)驗(yàn)室)的管理者。

 

為了進(jìn)行實(shí)驗(yàn),,Astrileux 設(shè)計(jì)了有效載荷,,并合并到納米艙的立方體衛(wèi)星中。立方體衛(wèi)星包括 Astrileux 有效載荷的內(nèi)部和外部組件,。在實(shí)驗(yàn)中,,Astrileux 的材料成功地展示了 EUV 的波長范圍(10nm-20nm)。

 

Jaiswal 說:“ Astrileux 創(chuàng)造了可以在極端輻射環(huán)境中生存的新型 EUV 光學(xué)涂層,,并可以有效捕獲 13.5nm 和其他 EUV 波長的 EUV 輻射,。”有朝一日,,這些材料也會(huì)有新的應(yīng)用,。首先,它可以為能夠捕獲 EUV 輻射的新型空間儀器鋪平道路,。

 

Jaiswal 說:“ Astrileux 的新型 EUV 光學(xué)器件為空間探索,、太陽輻射成像、望遠(yuǎn)鏡,、星系統(tǒng)和太空系統(tǒng)中使用的光學(xué)系統(tǒng)的新設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ),。”

 

傳統(tǒng)的 EUV 光學(xué)器件可能需要花費(fèi) 100 天以上的時(shí)間來對(duì)單個(gè)晶片進(jìn)行圖形化,,而 Astrileux 的光學(xué)器件最終可以將圖形化時(shí)間減少到不到 10 個(gè)小時(shí),。反過來,,這使得在空間中的小型社區(qū)中進(jìn)行晶圓圖形化和制造成為可行的概念。

 

同時(shí),,在地球上,,一些鑄造廠已將 EUV 光刻技術(shù)投入 7nm 和 5nm 的生產(chǎn),并進(jìn)行了 3nm 的研發(fā),。Astrileux 的新型 EUV 涂層也是生產(chǎn)工廠中 EUV 光刻掃描儀的理想選擇,。


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