三星電子近期為爭搶極紫外光（EUV）設備,，高層頻頻傳出密訪ASML。繼三星電子副會長李在镕（Lee Jae-yong）10月親自赴荷蘭拜會ASML執(zhí)行長Peter Wennink后,，又再度傳出Peter Wennink近期回訪三星,，洽談EUV設備采購事宜，展現(xiàn)三星要跟臺積電爭搶半導體先進制程市場決心。

　　外電報導指出,，Peter Wennink上周訪問三星半導體,，討論后續(xù)EUV設備供給及未來合作發(fā)展事項，且三星期許ASML加大EUV設備供貨力道,，并討論次世代EUV設備開發(fā)項目,。

　　據(jù)了解，李在镕早在10月就親赴荷蘭拜訪ASML,，并傳出當時目的就是為了希望ASML能夠加快EUV設備供給力道,，因此本次ASML執(zhí)行長Peter Wennink回訪三星實屬商業(yè)上的「禮尚往來」。

　　外電報導也指出,，ASML目前已經(jīng)生產及接單的EUV設備大約落在70臺左右水準,，臺積電已經(jīng)獲得過半設備，三星才獲得10臺,，雖然李在镕親自出訪ASML,，也才多獲得9臺，僅接近臺積電當初甫跨入EUV世代的水準,，使三星先進制程晶圓供給量遠低于臺積電,。

　　供應鏈指出，目前三星在7納米先進制程當中,，僅有高通一家客戶使用到EUV設備,，且在下半年才開始逐步量產，放量出貨時間點將落在2021年上半年,，對比臺積電早在2020年初就開始量產7+納米制程,，且下半年更全面供給蘋果5納米制程應用處理器（AP），且2021年又有6納米制程將步入量產,，顯示三星半導體先進制程供給量遠輸臺積電,。

　　事實上，半導體邏輯制程技術進入到7納米以下后,，由于線寬過細,，因此需要EUV設備做為曝光媒介，全球當前進入或計劃7納米世代的晶圓廠僅剩臺積電,、三星及英特爾,，且全球僅有ASML作為EUV設備的供給商，因此在EUV設備供給有限之時,，ASML便成為三大晶圓代工廠的必爭之地,。

　　除此之外，不僅邏輯晶圓制程需要EUV設備之外,，就連未來量產DRAM也需要EUV設備,，因此除了臺積電,、三星及英特爾等晶圓廠爭搶EUV，后續(xù)包含美光,、SK海力士也需要大量EUV設備,，更讓ASML的EUV設備成為炙手可熱的產品，在邏輯芯片及DRAM量產等雙重壓力下,，讓三星在EUV設備取得上有著不能輸?shù)膲毫Α?/p>

　　三星緊張為哪樁,？

　　半導體微影設備大廠ASML搭上極紫外光（EUV）需求，2021年相關設備產能將上看45～50臺,。設備業(yè)者傳出,，臺積電就搶下當中的30臺，剩下的才由英特爾,、東芝及SK海力士及三星等競爭對手分食,，顯示三星勢必在2021年EUV設備數(shù)量上將搶輸臺積電，這也是三星高層為何少見親自出訪ASML的主要原因,。

　　此外,，在設備取得上三星為了追趕臺積電,，傳出希望在次世代的高數(shù)值孔徑（high-numerical aperture,，High-Na）技術上提前卡位，確保未來1納米,、2納米制程設備供給充足,。

　　據(jù)了解，在未來邏輯芯片及DRAM等制程都需要EUV情況下,，EUV需求量將大幅增加,，特別是在三星同時擁有邏輯芯片及DRAM制程等半導體產能供給需求下，EUV需求量更是龐大,，這也是三星高層日前傳出親自出訪ASML的主要原因,，不過礙于臺積電已經(jīng)先行卡位，就算ASML在2021年EUV設備供給想要加大供給力道給三星也無計可施,。

　　不過,，未來先進半導體邏輯芯片制程將向下推進到3納米、2納米,，甚至是1納米制程,，屆時EUV設備將會出現(xiàn)再度升級，其中高數(shù)值孔徑技術已經(jīng)被視為未來發(fā)展趨勢,。

　　因此三星為了提前卡位布局高數(shù)值孔徑市場,，也同步傳出三星有意聯(lián)手ASML開發(fā)次世代的EUV設備市場。根據(jù)ASML先前釋出訊息,，高數(shù)值孔徑的EUV設備預計在2023年提出原型機,，距離商用化至少仍有3年左右時間，因此未來三星是否能卡位成功，仍有待后續(xù)觀察,。