近日，ASML交付了第三代極紫外 (EUV) 光刻工具Twinscan NXE:3800E,，其投影鏡頭的數(shù)值孔徑為 0.33,。與現(xiàn)有的 Twinscan NXE:3600D 機器相比，該系統(tǒng)顯著提高了性能,。它專為制造采用前沿技術的芯片而設計,，包括未來幾年的 3nm,、2nm 和小節(jié)點,。

ASML Twinscan NXE:3800E代表了低數(shù)值孔徑 EUV光刻技術在性能（每小時處理的晶圓數(shù)量）和匹配的加工覆蓋方面的飛躍,。新系統(tǒng)每小時可在 30 mJ/cm^2 劑量下處理超過 195 個晶圓，并有望通過吞吐量升級將性能進一步提高至 220 wph,。此外,，新工具還提供小于 1.1 nm 的匹配機器覆蓋（晶圓對準精度）。

ASML 在 X 上發(fā)布的一份聲明中透露：“芯片制造商需要速度,。第一臺 Twinscan NXE:3800E 現(xiàn)已安裝在一家芯片工廠中,。憑借其新的晶圓臺，該系統(tǒng)將為打印先進芯片技術提供領先的生產(chǎn)力,?！蔽覀冋趯⒐饪碳夹g推向新的極限?！?/p>

在為邏輯制造商生產(chǎn)采用4nm/5nm和 3nm 級工藝技術的芯片時,，吞吐量的增加將提高 Twinscan NXE:3800E 機器的經(jīng)濟效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改進預計將顯著緩解EUV 技術的主要缺點之一,，即性能相對較低,，從而實現(xiàn)更高效、更具成本效益的芯片生產(chǎn),。這將使依賴 EUV 的工藝技術更容易被預算不像蘋果,、AMD、英特爾,、英偉達和高通那樣龐大的芯片設計者所接受,。此外，該工具對于美光,、三星和 SK 海力士等內(nèi)存制造商也至關重要,。

此外，Twinscan NXE:3800E 的增強性能對于采用 2nm 以及需要 EUV 雙圖案化的后續(xù)制造技術制造芯片特別有用,。匹配機器覆蓋層的改進將有利于 3nm 以下生產(chǎn)節(jié)點,。

然而，像 NXE:3800E 這樣的機器的復雜性和功能的代價是高昂的成本,，每臺的價格約為 1.8 億美元。如此高的成本意味著這些光刻工具的成本需要一段時間才能折舊,。然而,，對于 ASML 的客戶（包括一組精選的重要邏輯和內(nèi)存制造公司）來說，NXE:3800E 提供了一條增強其尖端芯片生產(chǎn)能力的途徑,。這對于這些公司來說至關重要,，因為他們努力滿足全球?qū)Π雽w不斷增長的需求,，擴大生產(chǎn)能力并管理芯片制造的經(jīng)濟性。引入 NXE:3800E 等更先進,、更高效的 EUV 掃描儀對于實現(xiàn)這些目標至關重要,。

展望未來，ASML并沒有滿足于現(xiàn)狀,，計劃以Twinscan NXE:4000F 的形式進行進一步創(chuàng)新,，這是另一代低數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀，預計于 2026 年左右發(fā)布,。這一持續(xù)開發(fā)強調(diào)了 ASML 致力于推進低數(shù)值孔徑的承諾-NA EUV 制造技術,，盡管即將采用高數(shù)值孔徑光刻工具。