經(jīng)過(guò)了這些年的厚積薄發(fā)，先進(jìn)封裝行業(yè)已進(jìn)入最令人興奮的階段,。

　　在摩爾定律放慢的時(shí)代,，當(dāng)先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)不再能帶來(lái)理想的成本效益，并且對(duì)新光刻解決方案和7nm以下節(jié)點(diǎn)的器件的研發(fā)投資大幅增加時(shí),，先進(jìn)封裝代表著增加產(chǎn)品價(jià)值的機(jī)會(huì)（以更低的成本獲得更高的性能） ）,。

　　在我們看來(lái)，先進(jìn)封裝無(wú)論是在擴(kuò)展路線圖,，還是在功能路線圖方面均具有優(yōu)勢(shì),。在摩爾定律放緩的前提下，為了達(dá)到更好的集成,，先進(jìn)封裝進(jìn)入了越來(lái)越多的應(yīng)用領(lǐng)域,，當(dāng)中包括大數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器（如大數(shù)據(jù)，人工智能,，5G,，高性能計(jì)算（HPC），物聯(lián)網(wǎng)（包括工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)）,，智能汽車,，工業(yè)4.0和數(shù)據(jù)中心。

　　在Yole 看來(lái),，支持這些大趨勢(shì)所需的電子硬件需要高計(jì)算能力,，高速，高帶寬,，低延遲,，低功耗，更多功能,，更多內(nèi)存,，系統(tǒng)級(jí)集成，各種傳感器,，最重要的是低成本,。為此這些新趨勢(shì)將給各種封裝平臺(tái)創(chuàng)造商機(jī)，而先進(jìn)的封裝技術(shù)非常適合滿足各種性能要求和復(fù)雜的異構(gòu)集成需求,。

　　Yole指出,，先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體創(chuàng)新的關(guān)鍵,，其對(duì)于彌合芯片與PCB之間的差距至關(guān)重要。他們指出,，半導(dǎo)體行業(yè)正在開發(fā)用于縮放路線圖和功能路線圖的產(chǎn)品,。他們表示，即使在7nm工藝以下,，只有三個(gè)參與者,，并且他們的步伐已經(jīng)放慢，但縮放路線圖也有望繼續(xù)（7納米及以下）,。其中,，使用異構(gòu)集成并得到先進(jìn)封裝技術(shù)支持的功能路線圖變得更加突出。

　　實(shí)際上,，據(jù)我們觀察得知,，先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝可通過(guò)增加功能并保持/提高性能，同時(shí)降低成本來(lái)增加半導(dǎo)體產(chǎn)品的價(jià)值,。

　　Yole表示,，當(dāng)前很多正在開發(fā)的高端、低端芯片都在采用各種各樣的多芯片封裝（multi-die packaging ：系統(tǒng)級(jí)封裝）,。在他們看來(lái),，這些設(shè)計(jì)將滿足與異構(gòu)集成有關(guān)的功能性能和更緊迫的生產(chǎn)需求。

　　鑒于每個(gè)客戶要求的定制程度不斷提高,，這給封裝供應(yīng)商帶來(lái)了巨大壓力,。為了滿足下一代硬件性能要求，高級(jí)封裝必須推動(dòng)工藝,、材料和設(shè)備的創(chuàng)新,。從他們的介紹我們可以看到，先進(jìn)的封裝加速了對(duì)基板制造,、封裝組裝和測(cè)試工程中突破性技術(shù)的需求,。投資于下一代制造工具的開發(fā)，例如die到die/die到wafer的混合鍵合,，熱壓鍵合（thermo compression bonding ：TCB）,，激光輔助粘合（laser assisted bonding：LAB），面板級(jí)工具和基板UV通孔等技術(shù),，將有助于推動(dòng)高級(jí)封裝的整體增長(zhǎng),。其I / O密度與封裝尺寸的高級(jí)封裝技術(shù)路線圖如下圖所示。

　　die到die和die到硅片的混合鍵合（Cu-Cu直接鍵合）是用于2.5D / 3D堆疊和異構(gòu)集成的關(guān)鍵新興技術(shù),，它將實(shí)現(xiàn)超細(xì)間距（小于10um）的互連,，消除底部填充、UBM和焊料電鍍,，大大降低了外形尺寸（高度）,。主要參與者已經(jīng)在內(nèi)部開發(fā)了該技術(shù)（例如,，TSMC的SoIC）或通過(guò)許可XPERI的DBI混合和DBI超混合鍵合技術(shù)（SK Hynix，UMC,，Tower Semiconductor等）來(lái)實(shí)現(xiàn)相關(guān)功能,。在材料方面，這些參與者希望開發(fā)新的介電材料,，模塑料，底部填充,，焊料互連和TIM,，以滿足下一代硬件所要求的嚴(yán)格性能和可靠性要求。

　　2025年后,，先進(jìn)包裝收入將超過(guò)傳統(tǒng)包裝收入

　　2019年總的IC封裝市場(chǎng)規(guī)模約為680億美元,。其中先進(jìn)的包裝（AP）約為290億美元。據(jù)Yole預(yù)測(cè),，這個(gè)市場(chǎng)在2019到2025年間將有望以6.6％的CAGR 成長(zhǎng),，那就意味著到2025年，先進(jìn)封裝的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到420億美元,。與此同時(shí),，傳統(tǒng)的封裝市場(chǎng)將以1.9％的CAGR成長(zhǎng)。并且整個(gè)封裝市場(chǎng)將以4％的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR 2019-2025）增長(zhǎng),，并分別達(dá)到430億美元和850億美元,。

　　據(jù)介紹，如果統(tǒng)計(jì)2014年到2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率,，則變?yōu)?.1％,，為此他們預(yù)測(cè)，先進(jìn)封裝市場(chǎng)的收入將增加一倍以上,，從2014年的200億美元增加到到2025年的420億美元,。這幾乎是傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)預(yù)期增長(zhǎng)的三倍，估計(jì)2014-2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為2.2％,。

　　由于受到Covid-19的影響,，預(yù)計(jì)2020年AP市場(chǎng)將同比下降6.8％。但是,，Yole預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將在2021年反彈,，同比增長(zhǎng)約14％。隨著大批量產(chǎn)品進(jìn)一步滲透市場(chǎng),，預(yù)計(jì)2.5D / 3D TSV IC,，ED（in laminate substrate）和扇出市場(chǎng)將分別保持21.3％，18％和16％的年復(fù)合增長(zhǎng)率,。當(dāng)中表現(xiàn)出色的市場(chǎng)包括移動(dòng),，網(wǎng)絡(luò)和汽車領(lǐng)域的FO,；AI / ML，HPC,，數(shù)據(jù)中心,，CIS和3D NAND中的3D堆疊；,，以及在汽車,，移動(dòng)和基站中使用ED。

　　按收入細(xì)分,，移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)占2019年高級(jí)封裝總收入的85％,，并將以5.5％的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到2025年占AP收入的80％,。電信和基礎(chǔ)設(shè)施收入是增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)（約為13％）在AP市場(chǎng)中,，

　　在各種先進(jìn)封裝技術(shù)中，倒裝芯片在2019年約占收入的83％,。但是,，到2025年，其市場(chǎng)份額將降至約77％,，而3D堆疊和扇出的份額將從約5％開始增長(zhǎng),。到2025年，這一比例將在2019年分別提高到10％和7％,。3D堆疊和扇出將繼續(xù)以令人印象深刻的CAGR增長(zhǎng),，分別是21％和16％，并且它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的采用率將進(jìn)一步提高,。

　　據(jù)Yole預(yù)測(cè),，3D堆棧市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要由3D內(nèi)存（HBM和3D DDR DRAM）、基于2.5D中介層的裸片分區(qū)和異構(gòu)集,、3D SoCFoveros,、3D NAND和堆疊式CIS所推動(dòng)。隨著來(lái)自不同商業(yè)模式的參與者進(jìn)入市場(chǎng),，扇出封裝市場(chǎng)也有望呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng),。扇入式WLP主要由移動(dòng)設(shè)備主導(dǎo)，其在2019年至2025年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為3.2％,，

　　分析OSAT財(cái)務(wù)狀況

　　查看前25名OSAT的2019年財(cái)務(wù)狀況,，發(fā)現(xiàn)前8名與其余參與者之間的差距越來(lái)越大（下圖）。投入大量資金的頂級(jí)OSAT與其他產(chǎn)品形成了差距,。如果沒(méi)有差異化的技術(shù)或知識(shí)產(chǎn)權(quán)用于合并或收購(gòu)戰(zhàn)略,，那么處于尾部的公司將面臨更高的風(fēng)險(xiǎn)。

　　在2019年,，ASE成為絕對(duì)領(lǐng)先的OSAT,，在完成SPIL收購(gòu)后以137億美元的收入領(lǐng)先于同行,，而在與Amkor和JCET等其他OSAT相比，USI在2019年的收入增長(zhǎng)使并沒(méi)有受到影響,。

　　據(jù)Yole報(bào)道,，ASE在2019年的資本支出約為18億美元。與JCET（$ 503M）和Amkor（$ 472）相比,，ASE的指出是其三倍以上,，由此可見，彌合差距并非易事,。從上述數(shù)據(jù)可以看到,，臺(tái)積電封裝方面的營(yíng)收排名第四，收入約為28美元,。這主要是因?yàn)樗麄冊(cè)鰪?qiáng)了針對(duì)HPC和5G部署的CoWoS和InFO-x產(chǎn)品。

　　隨著日月光以創(chuàng)紀(jì)錄的收入和能力上升到新的高度,，臺(tái)灣公司在2019年繼續(xù)以55％的市場(chǎng)份額贏得OSAT市場(chǎng)的份額,。OSAT總收入從2018年的279億美元增至2019年的281億美元，其中ASE占OSAT總收入的近50％,。而ASE,，Amkor和JCET占OSAT總收入的74％。

　　盡管2019年上半年需求疲軟,，但2019年OSAT研發(fā)支出從12.9億美元微升至13.1億美元,。2019年OSAT的資本支出也保持在2018年水平，約為55億美元,。其中前六名的指出都超過(guò) 5,000萬(wàn)美元,。由此也可以看到。參與者與其他參與者之間的研發(fā)支出存在巨大差距,。

　　ASE是唯一一家在研發(fā)方面支出超過(guò)5億美元的公司,。而其中有10家企業(yè)的研發(fā)支出少于1000萬(wàn)美元。Yole認(rèn)為,，要保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),，就需要不斷創(chuàng)新技術(shù)。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,，研發(fā)投入較小的參與者將無(wú)以為繼,。他們的選擇有限：要么加大研發(fā)投入，要么為收購(gòu)或者被收購(gòu)做好準(zhǔn)備,。

　　來(lái)自不同業(yè)務(wù)模式的參與者正在進(jìn)入高級(jí)封裝業(yè)務(wù)

　　Yole表示,，封裝/組裝業(yè)務(wù)發(fā)生了范式轉(zhuǎn)變，傳統(tǒng)上這是OSAT和IDM的領(lǐng)域,。但現(xiàn)在,。其他商業(yè)模式（晶圓廠,，基板/ PCB供應(yīng)商，EMS / ODM）的參與者正在進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng),，蠶食OSAT的份額（圖4）,。先進(jìn)封裝（AP）正在從封裝基板平臺(tái)轉(zhuǎn)移到硅片，這一轉(zhuǎn)變?yōu)榕_(tái)積電,，英特爾和三星等巨頭提供了在AP領(lǐng)域展示實(shí)力的機(jī)會(huì),，成為新AP技術(shù)的關(guān)鍵創(chuàng)新者。尤其是臺(tái)積電,，在開發(fā)創(chuàng)新的先進(jìn)封裝平臺(tái)（從扇出（InFO）到2.5D Si中介層（CoWoS）到3D SoIC）方面已成為領(lǐng)導(dǎo)者,。

　　根據(jù)目前的封裝收入排名，臺(tái)積電在OSAT中排名第四,。UMC,，SMIC，Global Foundries和XMC等其他代工廠也正在投資先進(jìn)的封裝技術(shù),。同時(shí),，其他頂級(jí)OSAT（例如ASE / SPIL，Amkor和JCET）正在投資各種先進(jìn)的SiP和扇出技術(shù),，以評(píng)估它們的競(jìng)爭(zhēng)并增加其先進(jìn)封裝的市場(chǎng)份額,。

　　SEMCO，Unimicron,，AT＆S,，Shinko等IC基板和PCB制造商正通過(guò)面板級(jí)扇出封裝和有機(jī)基板中的嵌入式die（和無(wú)源芯片）進(jìn)入高級(jí)封裝領(lǐng)域。像Google,，Microsoft,，F(xiàn)acebook，阿里巴巴等軟件公司正在設(shè)計(jì)自己的處理器,，以控制系統(tǒng)級(jí)集成和定制以及供應(yīng)鏈直至組裝和封裝級(jí),。富士康和捷普等EMS廠商正在投資組裝和封裝能力，以將價(jià)值鏈上移至更高利潤(rùn)的業(yè)務(wù),。

　　頂尖的OSAT正在投資于IC測(cè)試能力以占領(lǐng)測(cè)試市場(chǎng)領(lǐng)域,。另一方面，諸如KYEC和Sigurd Microelectronics之類的純測(cè)試公司正在通過(guò)并購(gòu)或投資于研發(fā)為他們的服務(wù)產(chǎn)品增加封裝/組裝能力,。