MEMS封裝形式與技術(shù)主要源于IC封裝技術(shù),。

IC封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和水平代表了整個封裝技術(shù)(包括MEMS封裝和光電子器件封裝)的發(fā)展歷程及水平,。

目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無引線陶瓷芯片載體封裝(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金屬封裝,、金屬陶瓷封裝等,，在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝(BGA-Ball Grid Array)、倒裝芯片技術(shù)(FCT-Flip Chip Technology),、芯片尺寸封裝(CSP-Chip Size Package)和多芯片模塊封裝(MCM-Multi-Chip Module)已經(jīng)逐漸成為MEMS封裝中的主流,。

BGA封裝的主要優(yōu)點是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP(四邊扁平封裝)相比,，在相同端子情況下,，增加了端子間距(1.00mm,，1.27mm，1.50mm),，大大改善了組裝性能,，才使它得以發(fā)展和推廣應(yīng)用。

21世紀BGA將成為電路組件的主流基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),。

從某種意義上講,，F(xiàn)CT是一種芯片級互連技術(shù)(其它互連技術(shù)還有引線鍵合、載帶自動鍵合),，但是它由于具有高性能,、高I/O數(shù)和低成本的特點，特別是其作為“裸芯片”的優(yōu)勢,，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種MEMS封裝中,。

CSP的英文含義是封裝尺寸與裸芯片相同或封裝尺寸比裸芯片稍大。日本電子工業(yè)協(xié)會對CSP規(guī)定是芯片面積與封裝尺寸面積之比大于80%,。

CSP與BGA結(jié)構(gòu)基本一樣,，只是錫球直徑和球中心距縮小了、更薄了,，這樣在相同封裝尺寸時可有更多的I/O數(shù),，使組裝密度進一步提高，可以說CSP是縮小了的BGA,。

在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連(High Density Interconnect簡稱HDI)和微芯片模塊D型(Micro Chip Module D簡稱MCM-D)封裝技術(shù),。

高密度互連(HDI)MEMS封裝的特點是把芯片埋進襯底的空腔內(nèi)，在芯片上部做出薄膜互連結(jié)構(gòu),。

而微模塊系統(tǒng)MCM-D封裝是比較傳統(tǒng)的封裝形式,，它的芯片位于襯底的頂部，芯片和襯底間的互連是通過引線鍵合實現(xiàn),。

HDI工藝對MEMS封裝來說有很大的優(yōu)越性,。由于相對于引線鍵合來說使用了直接金屬化，芯片互連僅產(chǎn)生很低的寄生電容和電感,，工作頻率可達1GHz以上,。

HDI還可以擴展到三維封裝，并且焊點可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復(fù)的特性,。