4月9日消息,，美國政府宣布,，計劃向臺積電提供66億美元現(xiàn)金補貼、50億美元低息貸款,，總額116億美元,，約合人民幣840億元,，支持其在美國本土的芯片制造。

這是美國根據(jù)《芯片與科學法案》所批準的最大一筆投資,。

同時,，臺積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座晶圓廠，在美投資總額將超過650億美元,，約合人民幣4700億元,。

臺積電在美國第一座晶圓廠Fab 21一期工程計劃2025年上半年投產(chǎn),，引入5nm、4nm工藝,。

Fab 21二期工程計劃2028年投產(chǎn),，上馬3nm、2nm工藝,。

二者合計年產(chǎn)能可超過60萬塊晶圓,，產(chǎn)品市場價值超過400億美元。

最新規(guī)劃的第三座晶圓廠計劃升級到2nm和更先進工藝,，但投產(chǎn)時間未定,，可能要到2029-2030年，也就是第二座工廠完工之后,。

臺積電的這些投資,，將為美國創(chuàng)造6000個高科技制造工作崗位，以及超過2萬個建筑工作機會,，還會花費5000萬美元培訓當?shù)毓と恕?/p>

不過,，臺積電在美投資建廠也面臨諸多問題，尤其是進度遠不如預期,，一二期工廠最早規(guī)劃的投產(chǎn)時間分別是2024年和2026年,。

美國《芯片與科學法案》的其他高科技投資還有：Intel 85億美元直接補貼和110億美元低息貸款、GlobalFoundries 15億美元直接補貼,、Microchip 1.62億美元直接補貼,、BAE 3500萬美元直接補貼。

三星也正擴大在美投資,，預計可獲得60億美元補貼,。