8月6日消息，在近日的英特爾財報電話會議上,，英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）透露,，全球第二臺High NA （高數(shù)值孔徑）EUV光刻機即將進(jìn)入英特爾位于美國奧勒岡州的晶圓廠,。

ASML此前在二季度財報會議上也表示,，該公司已經(jīng)開始向客戶出貨其第二臺High NA EUV光刻機,，但是并未指出是哪家客戶?，F(xiàn)在來看,，這家客戶正是英特爾,。

資料顯示，ASML的第一代High NA EUV（EXE:5000）的分辨率為 8nm,，可以實現(xiàn)比現(xiàn)有EUV光刻機小1.7倍物理特征的微縮,，從將單次曝光的晶體管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程,。并且,，EXE:5000每小時可光刻超過 185 個晶圓，與已在大批量制造中使用的 NXE 系統(tǒng)相比還有所增加,。ASML還制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻機將產(chǎn)能提高到每小時 220 片晶圓的路線圖,，確保將High NA EUV光刻機集成到芯片工廠對于芯片制造商來說在經(jīng)濟(jì)性上至關(guān)重要。根據(jù)此前的爆料顯示,，High NA EUV的售價高達(dá)3.5億歐元一臺,。

眾所周知，英特爾與ASML合作了數(shù)十年時間,，推動了光刻技術(shù)從 193nm浸沒式光刻技術(shù)發(fā)展到 EUV,，但出于成本考慮，英特爾選擇不在其 10nm 工藝（相當(dāng)于臺積電6nm）中使用該技術(shù),。相反,，英特爾選擇使用標(biāo)準(zhǔn)深紫外 (DUV) 光刻機進(jìn)行四重圖案化，需要對單個芯片層進(jìn)行四次 DUV 曝光,，而不是使用 EUV 進(jìn)行單次曝光,。結(jié)果，英特爾在良率方面遇到了重重困難,，導(dǎo)致其10nm工藝推遲了五年。這也使得英特爾被臺積電,、三星等率先使用EUV光刻機的廠商持續(xù)超越,。

因此，在英特爾CEO基辛格提出“IDM 2.0”戰(zhàn)略后,，英特爾便迅速重新聚焦于尖端制程工藝的提升,，提出的了四年五個工藝節(jié)點的計劃，希望在2025年憑借Intel 18A實現(xiàn)對于臺積電2nm工藝的超越,。與此同時,，英特爾還希望通過率先采用High NA EUV光刻機來實現(xiàn)對于臺積電等競爭對手的持續(xù)領(lǐng)先,。最終在2030年前實現(xiàn)英特爾代工業(yè)務(wù)實現(xiàn)收支平衡的運營利潤率，并成為全球第二大晶圓代工廠,。

為此,，英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，并開始在英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝,。一套High NA EUV光刻系統(tǒng)的大小等同于一臺雙層巴士,，重量更高達(dá)150噸，相當(dāng)于兩架空中客車A320客機,，全套系統(tǒng)需要43 個貨運集裝箱內(nèi)的 250個貨箱來裝運,，裝機時間預(yù)計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成,，不僅價格高昂也相當(dāng)耗時,。

今年4月18日，英特爾公司正式宣布在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地達(dá)成了先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一個重要里程碑,，完成了業(yè)界首個商用High NA EUV光刻機的組裝,。

根據(jù)英特爾的計劃，High NA EUV光刻機將會首先會被用到Intel 18A的相關(guān)測試,，以積累相關(guān)經(jīng)驗,，最終會被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

此前的報道顯示,，ASML已獲得十多臺High NA EUV光刻機的訂單,，客戶包括臺積電、三星,、英特爾,、美光及SK海力士。ASML CEO Christophe Fouquet指出,，DRAM芯片制造商,，可能會在2025或2026年開始使用High NA EUV設(shè)備。