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臺積電年底前將接收首臺High NA EUV光刻機

11月4日消息，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報導,，全球最大的晶圓代工廠商臺積電（TSMC）年底前會收到ASML最先進的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機，每臺售價超過3.5億美元,，能使半導體制造商制造線寬更小的芯片,。此前臺積電業(yè)務開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強表示,，雖然對High NA EUV能力印象深刻，但設備價格過高,。臺積電依靠現(xiàn)有EUV能力可支持芯片生產(chǎn)到2026年底，屆時其A16制程技術也將依靠目前的標準型EUV光刻機來量產(chǎn),。

發(fā)表于：2024/11/5

ASML將攜全景光刻解決方案參加第七屆進博會

（中國上海,，2024年11月4日）——半導體行業(yè)的領先供應商ASML（阿斯麥）將于11月5日至10日參加第七屆中國國際進口博覽會（以下簡稱“進博會”），亮相技術裝備展區(qū)集成電路專區(qū)4.1展館A1-03展臺,。

發(fā)表于：2024/11/5

美國半導體設備商已開始將中企從供應鏈中剔除

11月5日消息，據(jù)《華爾街日報》報道,，在美國政府的最新指令下,，美國半導體企業(yè)正在將中國公司從自己的供應鏈當中剔除。報道稱,，美國半導體設備制造商正在告訴它們的供應商,，需要找到從中國獲得的某些組件的替代品，否則就有可能失去供應商地位,。知情人士哈透露,，供應商還被告知，他們甚至不能有中國投資者或股東,。據(jù)知情人士透露,，傳達這一信息的公司包括應用材料公司（Applied Materials）和泛林集團（Lam Research）等。這兩家美國廠商是全球前五的半導體設備供應商,，它們的設備被廣泛的應用于全球各地的晶圓制造工廠內(nèi),。

發(fā)表于：2024/11/5

存儲模組大廠品安一半員工被裁

11月4日消息，臺灣存儲模組廠品安科技在9月宣布,，由于客戶結(jié)束委托,，業(yè)務出現(xiàn)縮減，預計在11月依法遣散約250名員工,。根據(jù)品安今年年報,，截至3月底，員工人數(shù)合計共541人,，此次裁員250人,，幾乎占到了公司一半的人數(shù)。

發(fā)表于：2024/11/5

Intel CEO概述擺脫臺積電計劃

11月3日消息，在近日的財報電話會議上,，Intel CEO概述了減少對臺積電依賴的計劃，目標是將更多芯片生產(chǎn)內(nèi)部化,。下一代Panther Lake處理器將有70%的硅面積在自家工廠生產(chǎn)，這一策略將顯著提升公司的利潤率,。預計2026年推出的Nova Lake處理器將進一步增加內(nèi)部生產(chǎn)比例,，為Intel帶來更多利潤,。

發(fā)表于：2024/11/4

格芯因違規(guī)供貨價值1700萬美元晶圓被美國罰款

11月3日消息,，據(jù)路透社報道，美國拜登政府宣布對美國芯片制造商格芯（GlobalFoundries）處以 500,000 美元的罰款,，因該公司曾違規(guī)向美國工業(yè)和安全局（BIS）管理的實體名單上的SJ Semiconductor 運送了價值超過1700萬美元的晶圓。資料顯示,，由于SJ Semiconductor曾是SMIC持股55.87%的控股子公司,，因此被美國商務部于2020年列入了實體清單。但是隨后在2021年4月,，SMIC宣布將SJ Semiconductor的股權出售給了其他投資者，總交易對價合計約為3.97億美元,，錄得交易收益約2.31億美元。

發(fā)表于：2024/11/4

臺積電計劃CoWoS先進封裝工藝漲價20%

11月2日消息,，根據(jù)摩根士丹利表的最新報告稱，晶圓代工巨頭臺積電正在考慮提高其需求旺盛的3nm制程和CoWoS先進封裝工藝的價格,，以應對巨大的需求。

發(fā)表于：2024/11/4

三大光刻機廠商相繼下調(diào)財測目標

繼日前半導體光刻設備廠商ASML,、佳能相繼下修年度財測目標后,，另一家光刻機廠商尼康近日也宣布下修年度財測目標。 10月31日,，尼康發(fā)布了公告稱,，雖然數(shù)碼相機等圖像事業(yè)部銷售大致符合預期,，但是由于半導體設備市場需求復蘇緩慢,，半導體光刻設備銷售低于預期,，因此將今年度（2024年4月-2025年3月）合并營收目標由今年8月預估的7,500億日元下修至7,250億日元（仍可保持同比增長1%）,，合并營業(yè)利潤目標則由350億日元大幅砍低至220億日元（同比減少45%）,，合并凈利潤目標也自300億日元大幅砍低至160億日元（將同比減少51%）,。

發(fā)表于：2024/11/4

傳三星電子代工制造團隊將裁員30%以上

據(jù)韓媒報道,，三星電子正在進行史無前例的四輪大規(guī)模自愿退休,。特別是，代工制造團隊將減少30%以上,。三星電子高級官員透露,，第一輪自愿退休將給予工作時間超過15年但5年內(nèi)未獲得等級的CL3（副/副經(jīng)理級）員工,。第二輪將給與工作時間持續(xù)10年以上的員工,，如果達不到目標,，第三輪將擴大到全體員工,。據(jù)悉，最后的第四輪將永正常運營。自愿退休的條件預計賠償總計約4億韓元（當前約206.4萬元人民幣）,，其中包括基于CL3的遣散費和四個月的工資3.8億韓元。尤其是8英寸代工制造和技術團隊將裁員30%以上,。據(jù)了解，三星正在考慮一項關于無薪雇員自愿退休的提案,。這是因為三星電子今年第三季度因旗艦半導體業(yè)務競爭力下降而錄得盈利沖擊,，引發(fā)了集團危機論,。

發(fā)表于：2024/11/4

消息稱三星將關閉50%左右晶圓生產(chǎn)線以降低運營成本

11 月 1 日消息,，韓媒 Chosun Daily 今日援引知情人士消息稱,，三星電子在其平澤二號（P2）和三號（P3）生產(chǎn)基地的 4nm,、5nm 和 7nm 制程中,，已有超過 30% 的代工生產(chǎn)線停產(chǎn),，并計劃在年底前將停產(chǎn)比例擴大至約 50%。公司表示將逐步停產(chǎn),，并根據(jù)客戶訂單需求靈活調(diào)整,。

發(fā)表于：2024/11/1

美國8.25億美元補貼助力紐約州EUV加速器項目

2024年10月31日，美國商務部和美國國家半導體技術中心（NSTC）的運營商 Natcast 公司共同宣布了第一個基于美國《芯片與科學法案》推動的芯片研發(fā)（R?&D）旗艦設施的建設計劃,，將在紐約州首府奧爾巴尼（Albany）的 NY CREATES運營的奧爾巴尼納米技術綜合體（Albany NanoTech Complex）內(nèi),，打造CHIPS for America EUV（極紫外）加速器。預計將獲得8.25億美元的擬議聯(lián)邦投資的支持,。

發(fā)表于：2024/11/1

西門子宣布100億美元收購工業(yè)仿真軟件廠商Altair

當?shù)貢r間10月30日,，西門子宣布，將以每股 113 美元的價格,，收購美國領先的工業(yè)仿真軟件廠商 Altair Engineering,，交易總價值約100 億美元。相比Altair在 2024 年 10 月 21 日的不受影響的收盤價溢價19%,。通過此次收購，西門子將進一步鞏固其在科技及工業(yè)軟件領域的領導地位,。

發(fā)表于：2024/11/1

2025年全球CoWoS產(chǎn)能需求將增長113%

據(jù)研究機構(gòu)DIGITIMES Research稱,，受云端AI加速器需求旺盛推動，2025年全球?qū)oWoS及類似封裝產(chǎn)能的需求或?qū)⒃鲩L113%,。主要供應商臺積電,、日月光科技控股（包括矽品精密工業(yè)、SPIL）和安靠正在擴大產(chǎn)能,。根據(jù)DIGITIMES Research關注全球CoWoS封裝技術和產(chǎn)能的報告,，到2025年第四季度末，臺積電的月產(chǎn)能預計將增至6.5萬片以上12英寸晶圓當量,，而安靠和日月光合用產(chǎn)能將增至1.7萬片晶圓,。

發(fā)表于：2024/11/1

三星高管暗示其HBM芯片已獲英偉達質(zhì)量測試重大進展

三星電子高管在財報電話會上提到，公司在向英偉達供應人工智能（AI）內(nèi)存芯片方面取得進展,。當?shù)貢r間周四（10月31日）,，三星電子公布財報顯示，公司芯片部門第三季度實現(xiàn)營業(yè)利潤3.9萬億韓元,，遠低于上一季度的6.45萬億韓元,，環(huán)比大降近40%。作為全球最大的存儲芯片巨頭,，三星錯失了人工智能熱潮這一良機,，遠落后于從中大賺特賺的競爭對手SK海力士。分析認為,，三星高管這番話是為了安撫投資者,。

發(fā)表于：2024/11/1

SK海力士將集成3D檢測單元以提升12層HBM3E的良率和產(chǎn)量

10月31日消息,，據(jù)BusinessKorea報道，繼今年9月SK海力士宣布領先全球量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E之后,，隨著AI 市場對于SK 海力士的 12 層 HBM3E 需求的大幅增長,，促使SK海力士計劃在HBM中集成 3D 檢測單元，以提升產(chǎn)量和良率,。報道稱,，SK Hynix 已經(jīng)收到了英偉達等 HBM 主要客戶的請求，希望以更快的速度和更大的供應量提供HBM3E 12 層產(chǎn)品,。但是,，SK 海力士在從晶圓到HBM芯片的切割過程中遇到了障礙，因為該工藝在增加四層后容易造成不必要的損壞,。對此,，SK海力士計劃通過整合 3D 檢測單元，來大幅提高良率和生產(chǎn)能力,。如果評估完成,，Nextin 的設備很有可能被引入HBM3E 12 層量產(chǎn)線。

發(fā)表于：2024/11/1