EDA與制造相關文章 TrendForce預計2025年Q3 NAND閃存價格環(huán)比增幅有望達10% 5 月 26 日消息，市場分析機構 TrendForce 集邦咨詢今日表示，在 AI 需求刺激企業(yè)級固態(tài)硬盤需求顯著增長的背景下，預計 2025 年第三季度 NAND 閃存價格有望環(huán)比整張 10%。 發(fā)表于：5/27/2025 施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術重構變頻器防護標準 在工業(yè)自動化領域，變頻器作為核心控制設備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機性能。然而，復雜的使用環(huán)境對變頻器PCB電路板的防護提出了嚴苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術有限公司正是在這一行業(yè)痛點中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術實現(xiàn)產(chǎn)品競爭力的跨越式提升。 發(fā)表于：5/27/2025 臺積電發(fā)強硬聲明硬杠美國芯片關稅 5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，美國商務部針對半導體關稅的所謂“232調(diào)查”意見報告即將出爐，半導體關稅呼之欲出。 近日，晶圓代工龍頭臺積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強硬地警告稱，若美方執(zhí)意對芯片征收進口關稅，將影響該公司在美國亞利桑那州的投資計劃。 發(fā)表于：5/27/2025 環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶爭奪戰(zhàn) 5月26日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，針對近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請破產(chǎn)保護一事，半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示，希望爭取Wolfspeed原來合作客戶轉(zhuǎn)單的機會。 發(fā)表于：5/27/2025 礪算科技成功點亮國內(nèi)第一顆6nm GPU 5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，又一款高性能國產(chǎn)GPU已封裝回片并成功點亮。 據(jù)礪算科技高管透露，礪算科技首款GPU芯片已封裝回片并成功點亮。 發(fā)表于：5/27/2025 消息稱臺積電有望多年代工谷歌Tensor手機SoC 5 月 26 日消息，谷歌今年下半年推出的新一代旗艦安卓智能手機 Pixel 10 系列預計搭載臺積電以 3nm 節(jié)點代工的 Tensor G5 AP（注：應用處理器），這也會是谷歌 Tensor G 系列首度導入非三星制程。 發(fā)表于：5/26/2025 三星將在2028年前采用玻璃中介層技術 5月25日消息，據(jù)ET新聞報道，三星電子計劃從 2028 年開始在芯片封裝中采用玻璃中介層，預計可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生產(chǎn)，將徹底改變 AI芯片封裝。 在芯片制造中，中介層是 2.5D 芯片封裝的關鍵部件，尤其是對于 AI 芯片來說，比如GPU和高帶寬內(nèi)存（HBM）需要依靠中介層來連接這兩個組件，以實現(xiàn)更快的通信。雖然傳統(tǒng)的硅中介層很有效，但其成本遠高于玻璃中介層，而且玻璃中介層對超精細電路具有更高的精度和更高的尺寸穩(wěn)定性。玻璃中介層的優(yōu)勢絕對超過了傳統(tǒng)的硅中介層，這使它們成為下一代 AI 芯片的關鍵技術。 發(fā)表于：5/26/2025 耐高溫灌封膠：性能特點與行業(yè)應用詳解 在現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展中，各種電子、電氣設備在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運行需求日益凸顯。耐高溫灌封膠作為一種關鍵的封裝材料，能夠在高溫條件下為電子元件、機械部件等提供有效的保護，防止其受到高溫、潮濕、腐蝕等惡劣環(huán)境的影響，確保設備的性能和可靠性。 施奈仕，作為深耕十多年電子膠粘劑領域的創(chuàng)新性企業(yè)，憑借自主研發(fā)的灌封膠產(chǎn)品及用膠技術解決方案，在行業(yè)內(nèi)擁有著良好口碑。施奈仕以多年對灌封膠的研究與認識，帶大家認識耐高溫灌封膠的應用和特點！ 發(fā)表于：5/26/2025 傳鴻海將30億美元競標UTAC 加速半導體垂直整合 5月26日消息，據(jù)媒體報道，中國臺灣電子代工巨頭鴻海集團（富士康）正考慮競標新加坡半導體封裝測試企業(yè)聯(lián)合科技控股（UTAC），交易估值或達30億美元。 據(jù)知情人士透露，UTAC母公司北京智路資本已聘請投行杰富瑞主導出售事宜，預計本月底前接收首輪報價。目前各方均未對此置評。 值得關注的是，UTAC在中國大陸的業(yè)務布局使其成為非美資戰(zhàn)略投資者的理想標的。作為全球最大電子代工商和蘋果核心供應商，鴻海近年來持續(xù)加碼半導體產(chǎn)業(yè)布局。 發(fā)表于：5/26/2025 HBM4制造難度及成本將更高 5月22日消息，根據(jù)市場研究機構TrendForce最新發(fā)布的研究報道稱，受益于AI芯片需求的帶動，三大DRAM原廠正積極推動HBM4 產(chǎn)品進度。但因HBM4的I/O 數(shù)量增加，復雜芯片設計也使得所需的晶圓面積增加，且部分供應商產(chǎn)品改為采邏輯基低芯片構架以提高性能，這些都將帶來成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時溢價比例約20%，制造難度更高的HBM4的溢價幅度或突破30%。 發(fā)表于：5/23/2025 Deca攜手IBM打造北美先進封裝生產(chǎn)基地 當?shù)貢r間5月22日，Deca Technologies 宣布與IBM 簽署協(xié)議，將Deca 旗下的M-Series 與Adaptive Patterning 技術導入IBM 位于加拿大魁北克省Bromont 的先進封裝廠。根據(jù)此協(xié)議，IBM 將建立一條大規(guī)模生產(chǎn)線，重點聚焦于Deca 的M-Series Fan-out Interposer 技術（MFIT）。通過結合IBM 的先進封裝能力與Deca 經(jīng)市場驗證的技術，雙方將攜手擴展高效能小芯片整合與先進運算系統(tǒng)的全球供應鏈。 發(fā)表于：5/23/2025 三星押注1c DRAM挑戰(zhàn)SK海力士HBM霸主地位 5 月 23 日消息，HBM4 已成為內(nèi)存巨頭的新競技場，三星正通過激進投資縮小與 SK 海力士的差距。科技媒體 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）報道稱，三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM（第六代 10nm 級）生產(chǎn)，相關投資將在年底前啟動。 IT之家援引博文介紹，SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎技術，而三星大膽押注更先進的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。 發(fā)表于：5/23/2025 TLSM系列輕觸開關為高使用率設備提供200萬次長使用壽命 2025年5月22日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日隆重推出適用于表面貼裝技術(SMT)的TLSM系列輕觸開關。 發(fā)表于：5/22/2025 消息稱臺積電已婉拒印度等地的設廠邀約 5 月 21 日消息，Digitimes 今日報道稱，臺積電已正式回絕印度政府建廠邀約，這也促使印度轉(zhuǎn)向與力積電（PSMC）達成合作協(xié)議。這是臺積電繼拒絕卡塔爾、新加坡后，再次婉拒海外設廠邀請。 發(fā)表于：5/22/2025 美國碳化硅大廠Wolfspeed即將申請破產(chǎn) 5月21日消息，據(jù)《華爾街日報》報導，由于難以解決債務問題，美國碳化硅（SiC）大廠Wolfspeed正準備在數(shù)周內(nèi)申請破產(chǎn)。 發(fā)表于：5/22/2025 ?…78910111213141516…?
