消息稱三星1&2代3nm工藝良率僅60%和20%

11 月 7 日消息,，韓媒《時(shí)事周刊 e》（Sisa Journal e）當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱,，三星電子第 1、2 代 3nm 工藝（注：即 SF3E-3GAE 與 SF3-3GAP）目前良率分別為 60% 和 20% 左右。 這一水平未達(dá)到高通,、英偉達(dá)等主要潛在客戶提出的 70% 要求,，導(dǎo)致三星無法在最先進(jìn)制程上與臺(tái)積電爭奪訂單,，進(jìn)而影響了三星尖端邏輯工藝投資的收益能力,。

發(fā)表于：2024/11/8

中芯國際Q3營收創(chuàng)新高

11月7日晚間，中芯國際發(fā)布了2024年第三季度財(cái)報(bào),，不僅以美元計(jì)的單季營收首次突破20億美元,，創(chuàng)歷史新高，并且凈利潤也同比大漲56.4%?,。? 具體來說,，今年前三季度營業(yè)收入418.79億元，同比增長26.5%,；凈利潤27.06億元,，同比減少26.4%；扣非凈利潤21.99億元,，同比下降10.4%,。 其中，第三季度,，中芯國際實(shí)現(xiàn)營收156.09億元,，同比增長32.5%，環(huán)比增長14%,；凈利潤10.59億元,，同比大漲56.4%；扣非凈利潤9.11億元,，同比增長32.1%,。

發(fā)表于：2024/11/8

臺(tái)積電先進(jìn)制程海外首發(fā)4nm

11月7日消息,，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在美國亞利桑那州的第一座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2025年初開始量產(chǎn)4納米制程技術(shù),，月產(chǎn)能或達(dá)2-3萬片,，這也是臺(tái)積電海外生產(chǎn)先進(jìn)制程首發(fā)。 二廠將采用3nm制程,，規(guī)劃月產(chǎn)能2.5萬片,，預(yù)計(jì)2028年兩廠合計(jì)月產(chǎn)能達(dá)6萬片；三廠將采用2nm或更先進(jìn)制程,，預(yù)計(jì)在2030年前完成,。

發(fā)表于：2024/11/8

SIA：Q3全球半導(dǎo)體銷售額同比增長23.2%

11月6日消息，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）發(fā)布數(shù)據(jù)顯示,，2024年第三季度全球半導(dǎo)體銷售額為1660億美元,，同比增長23.2%，環(huán)比增長10.7%,。2024年9月的全球銷售額為553億美元,，與2024年8月的531億美元相比增長了4.1%。 SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer表示："2024年第三季度,，全球半導(dǎo)體市場持續(xù)增長,，季度銷售額創(chuàng)2016年以來最大增幅,。在美洲同比增長46.3%的推動(dòng)下,，9月份的銷售額達(dá)到了市場有史以來最高的單月總額?！?/a>

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

三星電子很快將開始銷售各條前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備,，其中包括其位于中國西安的NAND閃存工廠。預(yù)計(jì)因美國政府壓力堆積起來而無法及時(shí)出售的設(shè)備很快將通過中國本土企業(yè)或第三方出售,。 業(yè)內(nèi)人士透露,，三星電子最近在半導(dǎo)體部門（DS）實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備,。與多家公司的討論已經(jīng)開始,，預(yù)計(jì)出售過程將于2025年正式開始。銷售的設(shè)備大部分是100層3D NAND設(shè)備,。自去年以來,，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。

發(fā)表于：2024/11/7

聯(lián)發(fā)科天璣9500將采用臺(tái)積電2nm制程

聯(lián)發(fā)科天璣9500將采用臺(tái)積電2nm制程

發(fā)表于：2024/11/7

馬斯克要求SpaceX供應(yīng)商將生產(chǎn)搬出中國臺(tái)灣

11月7日消息,，據(jù)路透社報(bào)道,，特斯拉、SpaceX首席執(zhí)行官埃隆·馬斯克已經(jīng)要求為SpaceX提供零部件的中國臺(tái)灣供應(yīng)商將生產(chǎn)業(yè)務(wù)搬出中國臺(tái)灣,。 報(bào)道稱,，這一消息來源于受雇于這些SpaceX臺(tái)灣供應(yīng)商的工作人員及商業(yè)文件,。SpaceX向“星鏈”系統(tǒng)提供零部件的臺(tái)灣供應(yīng)商表示，由于地緣政治風(fēng)險(xiǎn),，希望這些企業(yè)將生產(chǎn)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到其他地區(qū),。

發(fā)表于：2024/11/7

TrendForce預(yù)測2025年DRAM產(chǎn)量同比增長25%

11 月 6 日消息，TrendForce 今日發(fā)布最新研報(bào),，稱 DRAM 產(chǎn)業(yè)經(jīng)過了 2024 年前三季度的去庫存化和價(jià)格回升,，預(yù)計(jì)第四季度的漲價(jià)勢頭將有所減弱。 由于部分廠商在今年嘗到甜頭后已經(jīng)展開新的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,，TrendForce 預(yù)估 2025 年整體 DRAM 產(chǎn)業(yè)（注：按 Bit 出貨量計(jì)算）將同比增長 25%,，增長幅度較 2024 年更大。

發(fā)表于：2024/11/7

消息稱美國即將敲定對(duì)臺(tái)積電格芯等企業(yè)芯片法案補(bǔ)貼

消息稱美國即將敲定對(duì)臺(tái)積電,、格芯等企業(yè)《CHIPS》法案補(bǔ)貼

發(fā)表于：2024/11/7

錯(cuò)過AI熱潮致使三星面臨空前危機(jī)

11月7日消息,，據(jù)媒體報(bào)道，三星目前正面臨前所未有的挑戰(zhàn),。 一方面,，公司在先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展上似乎停滯不前，另一方面,，過時(shí)的企業(yè)文化導(dǎo)致人才流失問題日益嚴(yán)重,。

發(fā)表于：2024/11/7

鎧俠預(yù)計(jì)到2028年NAND Flash需求將增加2.7倍

鎧俠：預(yù)計(jì)到2028年NAND Flash需求將增加2.7倍

發(fā)表于：2024/11/7

蘋果擬聯(lián)手富士康在中國臺(tái)灣生產(chǎn)AI服務(wù)器

據(jù)日經(jīng)報(bào)道，蘋果正與富士康討論在中國臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn) AI 服務(wù)器,，旨在增強(qiáng) Apple Intelligence 設(shè)備（如 iPhone 16系列）的云端算力并抓住生成式 AI 浪潮,。 富士康主要以蘋果 iPhone代工廠而聞名，但其實(shí)這家公司同時(shí)也在生產(chǎn) Nvidia 的 AI 服務(wù)器,，甚至計(jì)劃在墨西哥建造全球最大的 GB200 芯片制造工廠,，詳情可見IT之家此前報(bào)道。 消息人士稱,，其承接蘋果服務(wù)器的能力可能比較有限,。據(jù)稱，蘋果打算為這些 AI 服務(wù)器使用自研芯片,，主要場景是內(nèi)部使用,，因此與 Nvidia 訂單相比生產(chǎn)量較小。為了增強(qiáng)其 AI 服務(wù)器能力,，蘋果還打算與聯(lián)想及其他較小的供應(yīng)商進(jìn)行合作,，以協(xié)助服務(wù)器設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工作。

發(fā)表于：2024/11/7

2030年僅EUV光刻機(jī)的年耗電量將超過54000吉瓦

2030年僅EUV光刻機(jī)的年耗電量將超過54000吉瓦,！ 11月4日消息,，根據(jù)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights的最新發(fā)布的報(bào)告稱，隨著極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的演進(jìn),，該技術(shù)日益增長的能源要求或?qū)⒊蔀橐淮箅y題,。 目前EUV光刻技術(shù)是制造7nm及以下先進(jìn)制程所需的關(guān)鍵技術(shù),，荷蘭的 ASML 和比利時(shí)的 imec 一直是EUV光刻技術(shù)研發(fā)方面的領(lǐng)軍企業(yè)。ASML下一代High NA EUV不僅系統(tǒng)龐大且復(fù)雜（設(shè)備在晶圓廠中需要更多的空間,，尤其是高度,，因此往往用于新的晶圓廠），同時(shí)成本也非常高昂,，達(dá)到了3.5億美元,。

發(fā)表于：2024/11/5

SK海力士稱英偉達(dá)要求其提前6個(gè)月供應(yīng)HBM4

11月4日消息，據(jù)路透社報(bào)導(dǎo),，韓國SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源在SK AI Summit 2024發(fā)表主題演講時(shí)表示,，SK海力士計(jì)劃2025下半年推出首批12層堆疊的HBM4產(chǎn)品，16層堆疊的HBM4將會(huì)在2026年推出,。

發(fā)表于：2024/11/5

臺(tái)積電年底前將接收首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)

11月4日消息,，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)導(dǎo)，全球最大的晶圓代工廠商臺(tái)積電（TSMC）年底前會(huì)收到ASML最先進(jìn)的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機(jī),，每臺(tái)售價(jià)超過3.5億美元,，能使半導(dǎo)體制造商制造線寬更小的芯片。 此前臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示,，雖然對(duì)High NA EUV能力印象深刻,，但設(shè)備價(jià)格過高。臺(tái)積電依靠現(xiàn)有EUV能力可支持芯片生產(chǎn)到2026年底,，屆時(shí)其A16制程技術(shù)也將依靠目前的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)來量產(chǎn),。

發(fā)表于：2024/11/5