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EDA與制造相關(guān)文章

歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補(bǔ)貼

2月25日消息,，歐盟委員會依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準(zhǔn)一筆 2.27歐元的補(bǔ)貼資金,，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導(dǎo)體后端制造工廠,，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開放,。

發(fā)表于：2/26/2025

英特爾Panther Lake處理器今年初生產(chǎn)良率不到20%~30%

2 月 25 日消息,，分析師郭明錤昨日深夜表示,，根據(jù)其進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)調(diào)查,，英特爾下代移動端處理器 Panther Lake 在 2025 年初的生產(chǎn)良率不到 20%~30%,，英特爾要想實(shí)現(xiàn)今年下半年量產(chǎn) Panther Lake 的目標(biāo)并非易事,。

發(fā)表于：2/25/2025

三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃

2 月 24 日消息,，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖,，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)：

發(fā)表于：2/25/2025

臺積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動工

2 月 24 日消息,，據(jù)日本熊本縣當(dāng)?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當(dāng)?shù)貢r間 21 日報道，臺積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設(shè)時間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi),，不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計劃沒有發(fā)生改變,。

發(fā)表于：2/25/2025

英特爾首批兩臺ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)已投產(chǎn)

2 月 25 日消息,，英特爾公司于當(dāng)?shù)貢r間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺先進(jìn)光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn),。早期數(shù)據(jù)顯示,，這些新型光刻機(jī)的可靠性優(yōu)于舊款機(jī)型。

發(fā)表于：2/25/2025

消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利

2 月 24 日消息,，隨著存儲行業(yè)的激烈競爭,，推動 NAND 技術(shù)不斷進(jìn)步，一個令人驚訝的消息出現(xiàn)了：據(jù)韓媒 ZDNet 今日報道,，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利,，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。報道稱,，三星計劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND,，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約 420 至 430 層。報道還提到,，三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲協(xié)商一項(xiàng)專利協(xié)議,。

發(fā)表于：2/25/2025

三星電機(jī)已關(guān)停昆山工廠退出HDI業(yè)務(wù)

2 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社,，三星電機(jī)今日發(fā)布的 2024 年審計報告顯示,，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機(jī)有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機(jī)主板業(yè)務(wù),。國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實(shí)了這一變化,，顯示昆山三星電機(jī)有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷，注銷原因?yàn)闆Q議解散,。

發(fā)表于：2/25/2025

合見工軟成功實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝UCIe IP互連

2025年2月24日——中國數(shù)字EDA龍頭企業(yè)上海合見工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司（簡稱“合見工軟”）今日宣布,，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝節(jié)點(diǎn)的UCIe IP互連技術(shù)驗(yàn)證，在采用臺積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測試芯片之間成功完成互操作性測試,，在Die-to-Die (D2D) 場景下支持高達(dá)24GT/s的數(shù)據(jù)傳輸,，并進(jìn)一步突破實(shí)現(xiàn)了Chip-to-Chip (C2C)互連應(yīng)用，達(dá)到16GT/s的穩(wěn)定數(shù)據(jù)互操作測試,。

發(fā)表于：2/25/2025

臺積電今年超70%先進(jìn)封裝產(chǎn)能被英偉達(dá)包下

2月24日消息,，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道稱，近日業(yè)界傳出消息,，英偉達(dá)（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強(qiáng)勁,，已包下臺積電今年超過70%的CoWoS-L先進(jìn)封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長20%以上逐季沖高,，助力臺積電營運(yùn)熱轉(zhuǎn),。

發(fā)表于：2/24/2025

臺積電強(qiáng)調(diào)2nm制程將如期在下半年量產(chǎn)

2 月 23 日消息，中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》昨晚報道稱，業(yè)界消息稱臺積電 2nm 制程月產(chǎn)今年底前有望達(dá)到 5 萬片,，甚至有機(jī)會邁上 8 萬片,。臺積電對此不予評論，僅強(qiáng)調(diào) 2nm 制程技術(shù)進(jìn)展良好,，將如期在今年下半年量產(chǎn),。

發(fā)表于：2/24/2025

Intel 18A工藝正式開放代工

2月23日消息，Intel官方網(wǎng)站悄然更新了對于18A(1.8nm級)工藝節(jié)點(diǎn)的描述,，稱已經(jīng)做好了迎接客戶項(xiàng)目的準(zhǔn)備,，將在今年上半年開始流片，有需求的客戶可以隨時聯(lián)系,。 Intel宣稱,，這是在北美地區(qū)率先量產(chǎn)的2nm以下工藝節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)有多達(dá)35家行業(yè)生態(tài)伙伴,，涵蓋EDA芯片設(shè)計工具,、IP知識產(chǎn)權(quán)、設(shè)計服務(wù),、云服務(wù),、航空國防等各個領(lǐng)域。

發(fā)表于：2/24/2025

三星量產(chǎn)Exynos 2500良率仍低于50%

2月22日消息,，據(jù)外媒Thebell報道,，三星電子已經(jīng)開始量產(chǎn)新一代旗艦移動處理器Exynos 2500，晶圓測試最早將于 3 月開始,，可能將首發(fā)于三星今年下半年發(fā)布的入門級折疊屏新機(jī)Galaxy Z Flip FE,。但由于3nm GAA 良率低的問題依然存在，因此目前無法擴(kuò)大規(guī)模,，初期的產(chǎn)能只有每月5000片,。

發(fā)表于：2/24/2025

AMD擬40億美元出售服務(wù)器制造工廠

2月23日消息，根據(jù)彭博資訊引述知情人士說法報道稱,，處理器大廠AMD有意出售此前收購的ZT Systems公司旗下的服務(wù)器制造工廠，目前正與一些臺系服務(wù)器代工廠洽談中,，包括仁寶,、英業(yè)達(dá)、和碩,、緯創(chuàng)在內(nèi),，都已表達(dá)有收購意愿。

發(fā)表于：2/24/2025

三星將LPDDR5速率提高到12.7Gb/s

2月22日消息,，三星電子近日在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上引入了 LPDDR5 規(guī)范的另一項(xiàng)擴(kuò)展,，將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成為了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。為了提高速度,，三星在其 DRAM 芯片（稱為 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡等技術(shù),。

發(fā)表于：2/24/2025

Silicon Labs獲得德克薩斯州2300萬美元補(bǔ)貼

當(dāng)?shù)貢r間2025年2月19日，互聯(lián)安全及智能無線技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs宣布,，其已獲得由《德克薩斯州芯片法案》設(shè)立的德克薩斯半導(dǎo)體創(chuàng)新基金（TSIF）提供的 2300 萬美元補(bǔ)貼,，將支持其在奧斯汀建立新的研發(fā) （R?&D）實(shí)驗(yàn)室，幫助創(chuàng)造和維持當(dāng)?shù)鼐蜆I(yè)機(jī)會,，并加強(qiáng) Silicon Labs 對維護(hù)德克薩斯州中部作為首屈一指的技術(shù)中心地位的決心,。

發(fā)表于：2/24/2025