EDA與制造-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

我國最大規(guī)模碳化硅晶圓半導(dǎo)體基地投產(chǎn)

5 月 29 日消息，“湖北發(fā)布”官方公眾號今天（5 月 29 日）發(fā)布博文，報道稱長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓已正式投產(chǎn)，這是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，可貢獻國產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能的 30%，有望破解我國新能源產(chǎn)業(yè)缺芯困局。碳化硅是新一代信息技術(shù)的基礎(chǔ)材料，被稱為新能源時代的“技術(shù)心臟”，是全球爭相搶占的科技制高點。

發(fā)表于：5/30/2025

消息稱美國暫停對華發(fā)動機和半導(dǎo)體技術(shù)出口

5月30日消息，據(jù)國外媒體報道稱，美國為了回應(yīng)稀土制裁，已暫停向中國出售關(guān)鍵技術(shù)，包括與噴氣發(fā)動機和半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)。報道中提到，特朗普政府已暫停向中國出售部分關(guān)鍵美國技術(shù)，包括與噴氣發(fā)動機、半導(dǎo)體和一些化學(xué)品相關(guān)的技術(shù)。此外，按照消息人士透露的情況，美國商務(wù)部已暫停向中國商飛公司出售用于研發(fā)C919飛機的多項產(chǎn)品和技術(shù)的許可證。

發(fā)表于：5/30/2025

臺積電在美晶圓廠正接受英偉達工藝認證預(yù)計年內(nèi)量產(chǎn)

英偉達 CEO 黃仁勛在公司 2026 財年第一財季財報電話會議上提及其生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴在美國的投資建設(shè)。

發(fā)表于：5/30/2025

2025年Q1半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)典型季節(jié)性疲軟

5 月 28 日消息，根據(jù) SEMI 與 TechInsights 合作編制的《2025 年第一季度半導(dǎo)體制造監(jiān)測報告》，全球半導(dǎo)體制造業(yè)在 2025 年的首個季度呈現(xiàn)出典型的季節(jié)性模式，整體相對疲軟。在具體數(shù)據(jù)方面，今年一季度電子產(chǎn)品銷售額環(huán)比下降 16%，同比持平；而 IC（IT之家注：集成電路）銷售額環(huán)比下降 2%，同比大幅增長 23%，反映對 AI / HPC 基礎(chǔ)設(shè)施的持續(xù)投資。

發(fā)表于：5/29/2025

美國要求全球前三大EDA公司對華斷供？

5月28日消息，近日有業(yè)內(nèi)傳聞稱，EDA大廠西門子已經(jīng)接到美國商務(wù)部BIS的通知，要求暫停對整個中國大陸地區(qū)的EDA服務(wù)與支持。西門子旗下的西門子EDA（原Mentor，公司位于美國）是全球第三大EDA廠商。該傳聞稱，西門子EDA技術(shù)類網(wǎng)站等已經(jīng)對中國區(qū)禁止訪問。西門子內(nèi)部人員稱，將等待美國BIS上班后（目前美國正在假期）再進行確認細節(jié)。另外兩家美系EDA大廠似乎也接到了通知，也在等待與美國BIS確認。

發(fā)表于：5/29/2025

PCB阻焊橋脫落與LDI工藝

本文對貼片廠貼回來的電路板出現(xiàn)芯片引腳間的連錫問題、PCB板（電路板）的阻焊橋脫落有一定意義，特別是做電子產(chǎn)品的工程師強烈建議閱讀、而對于個人DIY的電子玩家也可以了解這些概念。 1.阻焊橋的作用與工藝生產(chǎn)能力 1.1.阻焊橋的定義與作用阻焊橋（又稱綠油橋或阻焊壩），指的是表面貼裝器件（SMD）焊盤之間的阻焊油墨。阻焊橋的作用是用于防止SDM焊盤（特別是IC封裝）間距過小而導(dǎo)致焊接橋連短路，阻止焊料流動。在日常開發(fā)中，我們有兩種選擇：一種是開通窗去除阻焊橋：對整個芯片引腳區(qū)域進行阻焊開窗，像處理金手指一樣，讓IC引腳之間沒有綠橋，手工焊接時還不覺的有問題，但是在量產(chǎn)，SMT貼片的時候，會出現(xiàn)芯片引腳之間的連錫問題。那就需要貼片廠的工作人員對每一塊電路板進行檢查（不過本來也應(yīng)該要檢查），但是人工檢查總會有遺漏，是不是就可能發(fā)生把有問題的電路板寄到你們公司啦，這個時候就會去找貼片廠的麻煩。之后省略一萬字，自己領(lǐng)悟。這種方法不建議。

發(fā)表于：5/29/2025

2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備支出猛增35%全球居首

5月28日消息，據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新統(tǒng)計，2024年中國在半導(dǎo)體設(shè)備上的支出達到495.5億美元，較去年同期增長35%，成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備支出國。這一增長主要得益于中國政府對本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持以及企業(yè)積極擴充產(chǎn)能，SEMI指出，中國通過政策支持和產(chǎn)業(yè)投資，鞏固其全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場的地位。能力的提升。

發(fā)表于：5/29/2025

嘉立創(chuàng)發(fā)布50萬字的新書與創(chuàng)業(yè)扶持計劃

“設(shè)計方案無法順利投產(chǎn)？”“制造成本高企，返工不斷？”這些是許多電子工程師在研發(fā)過程中經(jīng)常遇到的痛點。在5月24日舉辦的第三屆開源硬件星火會暨電子工程師大會上，嘉立創(chuàng)針對這些難題，推出了重磅“組合拳”——發(fā)布《從設(shè)計到量產(chǎn)：電子工程師PCB智造實戰(zhàn)指南》并啟動開源硬件創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)扶持計劃，旨在將多年積累的實戰(zhàn)經(jīng)驗與豐厚資源開放共享，全方位助力工程師的技能躍遷與項目成功落地。

發(fā)表于：5/29/2025

聯(lián)電宣布與英特爾合作開發(fā)的12nm制程平臺2027年量產(chǎn)

5月28日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行年度股東大會，聯(lián)電首席財務(wù)官劉啟東指出，與處理器大廠英特爾合作的12nm節(jié)點制程，為聯(lián)電最重要的發(fā)展計劃之一，預(yù)計量產(chǎn)的時間點將會落在2027年。而雙方也會采取分工的模式，由英特爾負責(zé)當(dāng)?shù)刂圃欤?lián)電則負責(zé)制程開發(fā)、銷售與服務(wù)流程技術(shù)。

發(fā)表于：5/29/2025

臺積電稱暫無為先進制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺積電負責(zé)業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場上表示，臺積電暫無為先進制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強表示，臺積電新近公布的 1.4nm 級邏輯制程 A14 即使沒有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱SK海力士計劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報道稱，SK海力士計劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達計劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺積電警告稱芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計劃

5 月 28 日消息，臺積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴建計劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計劃再建三座晶圓廠、兩座先進封裝廠和一個研發(fā)中心，總投資額累計 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱三星電子調(diào)整HBM團隊組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負責(zé)人全永鉉正在對內(nèi)部組織進行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評價為“錯失開發(fā)時機”的高帶寬存儲器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團隊細分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團隊。

發(fā)表于：5/28/2025

芯科科技推出首批第三代無線開發(fā)平臺SoC，推動物聯(lián)網(wǎng)實現(xiàn)突破

中國，北京 – 2025年5月26日 – 低功耗無線解決方案領(lǐng)導(dǎo)性創(chuàng)新廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布：推出其第三代無線開發(fā)平臺產(chǎn)品組合的首批產(chǎn)品，即采用先進的22納米（nm）工藝節(jié)點打造的兩個全新無線片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列：SiXG301和SiXG302

發(fā)表于：5/28/2025

美國政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺在即！

5月27日消息，針對美國商務(wù)部《貿(mào)易擴張法》第232條進行的半導(dǎo)體進口國家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國半導(dǎo)體巨頭以及美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）近日都向美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹慎對待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴重意外損害。根據(jù)此前報道，美國特朗普政府可能很快將會推出針對半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場傳聞稅率可能高達25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關(guān)稅，這也將對臺積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計廠商帶來負面影響。

發(fā)表于：5/27/2025