91久久国产综合久久91雪峰,天堂√8中文字幕人妻,av 中文字幕

越來(lái)越多半導(dǎo)體企業(yè)布局200億美元規(guī)模FCBGA封裝市場(chǎng)

瓜分200億美元“蛋糕”,，越來(lái)越多半導(dǎo)體企業(yè)布局發(fā)展FCBGA封裝三星電機(jī)預(yù)估到 2026 年,，其用于服務(wù)器和人工智能的高端倒裝芯片球柵陣列（FCBGA）基板的銷售份額將超過(guò) 50%。集邦咨詢認(rèn)為經(jīng)歷了長(zhǎng)期的庫(kù)存削減之后,，半導(dǎo)體供需雙方的平衡得到了改善,，市場(chǎng)需求逐漸恢復(fù),。

發(fā)表于：2024/9/5

英特爾18A制程被曝良率不佳難以量產(chǎn)

9 月 4 日消息,，據(jù)知情人士透露,，英特爾未能通過(guò)博通的測(cè)試,，公司的晶圓代工業(yè)務(wù)遭遇挫折。博通的測(cè)試主要涉及英特爾的 18A 制造工藝,，但博通高管和工程師研究測(cè)試結(jié)果后認(rèn)為,，這種制造工藝還不適合大批量生產(chǎn)。目前暫時(shí)無(wú)法確定雙方的合作關(guān)系,，也無(wú)法確定博通是否已決定放棄潛在的生產(chǎn)交易。英特爾表示,，" 英特爾 18A 已經(jīng)啟動(dòng),，良率狀況良好，產(chǎn)量也很高,，我們?nèi)匀煌耆从?jì)劃在明年開始大批量生產(chǎn),。整個(gè)行業(yè)都對(duì)英特爾 18A 非常感興趣，但我們不對(duì)具體的客戶發(fā)表評(píng)論,。" 博通公司發(fā)言人表示,，該公司正在 " 評(píng)估英特爾代工廠提供的產(chǎn)品和服務(wù)，評(píng)估尚未結(jié)束,。"

發(fā)表于：2024/9/5

三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝

發(fā)表于：2024/9/5

力積電Logic-DRAM技術(shù)獲AMD等多家大廠采用

發(fā)表于：2024/9/5

ESIA呼吁歐盟通過(guò)加速制定芯片法案2.0等方式支持行業(yè)發(fā)展

歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)呼吁歐盟通過(guò)加速制定“芯片法案2.0”等方式支持行業(yè)發(fā)展歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì) ESIA 北京時(shí)間昨日呼吁歐盟立法者采用以競(jìng)爭(zhēng)力檢查為核心的智能政策,，減少政策沖突和繁瑣行政要求，通過(guò)加速制定“芯片法案 2.0”等方式促進(jìn)歐洲半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展,。歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)成員包括博世,、德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用研究促進(jìn)協(xié)會(huì)、imec,、法國(guó) CEA-Leti 實(shí)驗(yàn)室,、恩智浦、意法半導(dǎo)體等重要半導(dǎo)體廠商和研究機(jī)構(gòu),。

發(fā)表于：2024/9/5

使用Cadence AI技術(shù)加速驗(yàn)證效率提升

隨著硬件設(shè)計(jì)規(guī)模和復(fù)雜程度的不斷增加,，驗(yàn)證收斂的挑戰(zhàn)難度不斷增大，單純依靠增加 CPU 核數(shù)量并行測(cè)試的方法治標(biāo)不治本,。如何在投片前做到驗(yàn)證關(guān)鍵指標(biāo)收斂,，是驗(yàn)證工程師面對(duì)的難題。為解決這一難題,，提出了采用人工智能驅(qū)動(dòng)的驗(yàn)證EDA工具和生成式大模型兩種提效方案,，其中EDA工具有Cadence利用人工智能驅(qū)動(dòng)的Verisium apps和采用機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)Xcelium ML，前者用來(lái)提升驗(yàn)證故障定位效率,，包括Verisium AutoTriage,、Verisium SemanticDiff、Verisium WaveMiner等,，后者可用來(lái)提升驗(yàn)證覆蓋率收斂效率,。生成式大模型可輔助智能debug和自動(dòng)生成驗(yàn)證用例,，主要介紹各實(shí)現(xiàn)方案，并給出了項(xiàng)目實(shí)驗(yàn)提升結(jié)果,。

發(fā)表于：2024/9/4

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立,，臺(tái)積電及日月光等30多家企業(yè)加入

發(fā)表于：2024/9/4

2023年中國(guó)CAD市場(chǎng)達(dá)54.8億元同比增長(zhǎng)12.8%

IDC：2023 年中國(guó) CAD 市場(chǎng)達(dá) 54.8 億元同比增長(zhǎng) 12.8%，達(dá)索系統(tǒng),、西門子,、歐特克三巨頭份額均下滑

發(fā)表于：2024/9/4

我國(guó)超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破

99.99995%以上純度！我國(guó)超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破鋰電池/半導(dǎo)體必用材料

發(fā)表于：2024/9/4

三星電子HBM3E內(nèi)存已獲英偉達(dá)驗(yàn)證

TrendForce：三星電子 HBM3E 內(nèi)存已獲英偉達(dá)驗(yàn)證,，8Hi 產(chǎn)品開始出貨

發(fā)表于：2024/9/4

消息稱三星電子測(cè)試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進(jìn)EUV光刻工藝

發(fā)表于：2024/9/4

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化

消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息,，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,。消息人士表示這兩大韓國(guó)內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來(lái)重要收入來(lái)源,，計(jì)劃將“類 HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中,，為端側(cè) AI 提供動(dòng)力,。綜合IT之家此前報(bào)道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存,，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱為 VFO,。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起,。三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達(dá) 512bit,，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬,。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒,，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

發(fā)表于：2024/9/3

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息,，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文,，報(bào)道稱國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù),，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,，具有寬禁帶,、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu),，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS 結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,，元胞一致性較好,、雪崩能量比較高,；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被限制在靠近 P 體區(qū)域的狹窄 N 區(qū)中，流過(guò)時(shí)會(huì)產(chǎn)生 JFET 效應(yīng),，增加通態(tài)電阻,，且寄生電容較大。

發(fā)表于：2024/9/3

國(guó)內(nèi)首個(gè)五星5G工廠建設(shè)完成

9月2日消息,，據(jù)中國(guó)信通院CAICT,，在工信部《5G全連接工廠建設(shè)指南》發(fā)布兩周年之際，國(guó)內(nèi)首個(gè)五星5G工廠——中興通訊南京智能濱江5G工廠（濱江工廠）宣布建設(shè)完成,。該工廠通過(guò)了中國(guó)信息通信研究院泰爾認(rèn)證中心的認(rèn)證,，成為5G技術(shù)與電子設(shè)備制造業(yè)深度融合的全新標(biāo)桿。

發(fā)表于：2024/9/3

2024年二季度全球晶圓代工市場(chǎng)營(yíng)收排名公布

9月2日消息,，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新研究報(bào)告顯示，隨著今年二季度中國(guó)618年中消費(fèi)季到來(lái),，以及消費(fèi)類終端庫(kù)存水位已在相對(duì)健康水位,，客戶陸續(xù)啟動(dòng)消費(fèi)性零組件備貨或庫(kù)存回補(bǔ)，使得晶圓代工廠接獲急單,，帶動(dòng)產(chǎn)能利用率向上提升,，較前一季明顯改善。再加上AI服務(wù)器相關(guān)需求持續(xù)強(qiáng)勁,，推升第二季全球前十大晶圓代工廠的產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng)9.6%至320億美元,。從具體的排名來(lái)看，二季度的前五大晶圓代工廠商與一季度一致,，排名依次為臺(tái)積電,、三星、中芯國(guó)際,、聯(lián)電與格羅方德,。第六至十名，排行依序?yàn)槿A虹,、高塔半導(dǎo)體,、世界先進(jìn)、力積電與晶合集成,。其中,，世界先進(jìn)受益于DDI急單及去中化店員管理IC紅利帶動(dòng)出貨成長(zhǎng)，排行升至第八名,，力積電,、晶合集成分別降至第九與第十名。

發(fā)表于：2024/9/3