COOLMOS 原理結(jié)構(gòu)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： CoolMOS EPI
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文檔介紹： 看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣,，把自己收集整理的資料,、個(gè)人理解發(fā)出來，與大家共享,。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考,。COOLMOS（super junction）原理,，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV,，都是從減小EPI參雜濃度著手,，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了,，電阻必然變大,，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,，兩者矛盾不可調(diào)和,。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了,。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū),，大大提高了BV，同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響,。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū),，就能大大提高耐壓呢？
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