CoolMos的原理,、結構及制造
所屬分類：技術論文
上傳者：serena
標簽： CoolMOS VDMOS
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文檔介紹： 對于常規(guī)VDMOS器件結構,， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV,，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道,，EPI參雜濃度減小了,，電阻必然變大，Rdson增大,。所以對于普通VDMOS,，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS,，這個矛盾就不那么明顯了,。通過設置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV,，同時對Rdson上不產生影響,。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS,，反向耐壓,，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結，對于一個PN結,，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,，耗盡區(qū)內的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積,，也就是下圖中的淺綠色部分,，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,，P body濃度要大于N EPI,， PN結耗盡區(qū)主要向低參雜一側擴散，所以此結構下,，P body區(qū)域一側,，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻,，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區(qū)域,，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結）,，電場強度E越大,。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
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