CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標簽： CoolMOS 導通電阻 VDMOS
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文檔介紹： 為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成,。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降,。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS,。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron A = C V 2B ,對縱向器件: Ron A = C V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間RonA = CV 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數(shù)量級,。
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