場效應(yīng)晶體管電路設(shè)計(jì) | |
所屬分類:解決方案 | |
上傳者:news | |
文檔大?。?span>4689 K | |
標(biāo)簽: ADI TI FPGA | |
所需積分:2分積分不夠怎么辦,? | |
文檔介紹:效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高(108~109Ω),、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 | |
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