DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
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標(biāo)簽： DRAM 無電容存儲(chǔ)單元 3D DRAM
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文檔介紹：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）因其高存儲(chǔ)密度和成本效益，在現(xiàn)代大規(guī)模計(jì)算機(jī)和超高速通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用,。主要介紹動(dòng)態(tài)DRAM的發(fā)展歷程,、關(guān)鍵技術(shù),、國內(nèi)外研究進(jìn)展以及未來發(fā)展方向,。首先，介紹了DRAM的分類、基本單元結(jié)構(gòu),、工作原理。其次,，詳細(xì)介紹了DDR SDRAM的關(guān)鍵性能指標(biāo)以及專用DRAM的發(fā)展。然后,，介紹了提高DRAM訪問速度,、容量與密度的創(chuàng)新DRAM架構(gòu)和技術(shù),，以及無電容存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、3D堆疊DRAM技術(shù)以及Rowhammer安全問題及其防御機(jī)制,。最后，展望了DRAM技術(shù)的未來發(fā)展方向,，闡述了為了應(yīng)對(duì)日益增長的高速,、低功耗和高可靠性的存儲(chǔ)需求，對(duì)現(xiàn)有DRAM技術(shù)的進(jìn)行深入研究和創(chuàng)新的重要性,。
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