DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>4444 K
標簽： DRAM 無電容存儲單元 3D DRAM
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文檔介紹：動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）因其高存儲密度和成本效益，在現(xiàn)代大規(guī)模計算機和超高速通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用,。主要介紹動態(tài)DRAM的發(fā)展歷程,、關(guān)鍵技術(shù),、國內(nèi)外研究進展以及未來發(fā)展方向。首先,，介紹了DRAM的分類,、基本單元結(jié)構(gòu)、工作原理,。其次,，詳細介紹了DDR SDRAM的關(guān)鍵性能指標以及專用DRAM的發(fā)展。然后,，介紹了提高DRAM訪問速度,、容量與密度的創(chuàng)新DRAM架構(gòu)和技術(shù)，以及無電容存儲單元結(jié)構(gòu)、3D堆疊DRAM技術(shù)以及Rowhammer安全問題及其防御機制,。最后,，展望了DRAM技術(shù)的未來發(fā)展方向，闡述了為了應(yīng)對日益增長的高速,、低功耗和高可靠性的存儲需求,，對現(xiàn)有DRAM技術(shù)的進行深入研究和創(chuàng)新的重要性。
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