針對總劑量效應(yīng)4H-SiC功率器件的加固設(shè)計方法
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大小：3818 K
標(biāo)簽： 4H-SiC 器件 總劑量效應(yīng) 電路加固
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文檔介紹：介紹了總劑量效應(yīng)對4H-SiC功率器件的影響以及對應(yīng)的加固方案,。首先介紹了4H-SiC功率器件的電氣特性以及工作時面臨的輻照環(huán)境。接著根據(jù)輻射對器件特性的影響,，識別輻射缺陷，并建立了退化機制,。然后,，分析了單極性器件和雙極性器件的輻照的特性。最后,，針對器件在輻照環(huán)境中的退化機理,，分別從工藝、器件結(jié)構(gòu),、版圖與電路方面提出了加固設(shè)計方法,。
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