基于碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護電路設(shè)計
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>6563 K
標(biāo)簽： 碳化硅MOSFET 驅(qū)動電路 有源米勒鉗位
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文檔介紹：針對碳化硅MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計難度較大、門極易受串?dāng)_,、保護功能不齊全以及全國產(chǎn)化的問題,，基于國產(chǎn)芯片設(shè)計了一款碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護電路,。重點分析總結(jié)了碳化硅MOSFET有源米勒鉗位保護、退飽和保護以及橋臂互鎖保護原理與模型,。在隔離原邊信號與副邊信號的同時,，采用18 V/-3.3 V的高低電平，實現(xiàn)對上,、下橋臂碳化硅MOSFET的控制,，同時集成了欠壓鎖定、退飽和保護,、橋臂互鎖,、有源米勒鉗位保護的功能。與國際先進水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驅(qū)動板CGD1200HB2P-BM2進行了參數(shù)對比和功能測試,。實驗結(jié)果表明,，該電路開關(guān)參數(shù)與CGD1200HB2P-BM2驅(qū)動板相近，滿足碳化硅MOSFET驅(qū)動需求,，并能可靠觸發(fā)保護功能,。電路已實際應(yīng)用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動中。
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