iCoupler®隔離產(chǎn)品的ESD/閂鎖考慮因素
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：ADI
文檔大小：500 K
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文檔介紹：由于iCoupler采用CMOS技術(shù),，因此在系統(tǒng)級(jí)ESD(靜電放電)、電涌電壓,、快速瞬變或其它過(guò)壓條件下,，它比光耦更容易受到閂鎖或ESD的破壞。本應(yīng)用筆記提供關(guān)于避免這些問(wèn)題的指南。針對(duì)各種系統(tǒng)級(jí)測(cè)試配置,，本文舉例說(shuō)明了其可能影響性能的機(jī)制,。針對(duì)每個(gè)示例，本文都給出了推薦解決方案,。
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