日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP,。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
　
　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7mΩ和2.2mΩ,，在10V和4.5V下的FOM分別為128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的競(jìng)爭(zhēng)MOSFET低4%,，而4.5V下的FOM則低15.5%,。
　
　　60V SiR662DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC,。器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%,，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個(gè)工作范圍內(nèi),，低導(dǎo)通電阻和低FOM將能夠減少開(kāi)關(guān)損耗,。
　
　　兩款器件在制造過(guò)程中采用了一種新的硅技術(shù),，該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結(jié)構(gòu),。對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,，從而降低功耗,，尤其是在重載的情況下。器件的低FOM能夠降低高頻和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗,，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下,。器件的高頻率使設(shè)計(jì)者能夠增加其系統(tǒng)的功率密度，或是同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗和更綠色的應(yīng)用方案,。
　
　　SiR662DP和SiR640DP適用于DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器中的次級(jí)側(cè)同步整流,、DC/DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載點(diǎn)模塊,、電機(jī)驅(qū)動(dòng),、橋式逆變器和替代機(jī)械式繼電器的應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括通信電源,、工業(yè)自動(dòng)化和專(zhuān)業(yè)游戲機(jī),、不間斷電源(UPS)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。
　
　　MOSFET的電壓等級(jí)為4.5V,，使許多設(shè)計(jì)者能夠在其系統(tǒng)中使用現(xiàn)有的給數(shù)字邏輯電路供電的5V電源軌,，無(wú)需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級(jí)還能夠大幅降低柵極驅(qū)動(dòng)的損耗,，同時(shí)還能夠使用電壓更低,、成本更低的5V PWM IC。
　
　　兩款芯片均經(jīng)過(guò)了100%的Rg和UIS測(cè)試,，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,，符合RoHS指令2002/95/EC,。
　
　　SiR662DP和SiR640DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十六周,。