1965年英特爾創(chuàng)辦人之一,，戈登摩爾,，在「電子」雜志發(fā)表的文章中，預(yù)言半導(dǎo)體芯片整合的晶體管數(shù)量,，每年將增加一倍,。

　　1975年摩爾在IEEE大會發(fā)表一篇論文，根據(jù)當(dāng)時的情況,，將之前的預(yù)測,，由每年增加一倍，修正為每兩年增加一倍,，這就是半導(dǎo)體業(yè)界著名的「摩爾定律」,。

　　56年來,，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依循「摩爾定律」，性能以幾何級數(shù)般的快速發(fā)展,，造就今日突飛猛進的高科技,。

　　目前半導(dǎo)體制程已經(jīng)推進到5納米、3納米,，離「物理極限」愈來愈近,，「摩爾定律」的發(fā)展進程，恐離「盡頭」不遠,。

　　為了增加半導(dǎo)體的性能,，在制程技術(shù)尚未推進到一新節(jié)點時，透過先進封裝技術(shù),，將數(shù)種不同制程的「小芯片」（Chiplet）,，「異質(zhì)整合」在一起，提升芯片的效能,，并且可降低成本,。

　　不同用途的半導(dǎo)體元件，能夠使用的最先進半導(dǎo)體制程不盡相同,。舉例而言,，存儲器目前最先進制程為13納米左右，而邏輯制程已推進到5納米,。

　　類比元件往往無法在制程推進時,，享受元件面積縮小的好處。例如5G,、汽車電子等,，的類比元件，占據(jù)的面積,，幾乎無法受益于制程微縮的好處,。65納米是這類元件的最佳節(jié)點，再小的制程節(jié)點,，也無法減少元件的面積,。

　　因此在SOC（系統(tǒng)單芯片）中，勉強將不同性能的元件整合在一起,，不僅技術(shù)復(fù)雜,，良率降低，而且無法妥善利用芯片的空間及效能,。

　　為了增加新性能，將新功能的模塊勉強整合到系統(tǒng)芯片,，不僅將增加芯片的面積,，而且會降低良率,，這對先進制程而言，成本將不符經(jīng)濟原則,。

　　在整合型的SOC中,，某些模塊并不需要最先進的制程，因此將不同性能的模塊制成「小芯片」,，然后透過先進的封裝技術(shù)將「小芯片」整合成系統(tǒng)芯片,。

　　「封裝」是把「裸晶粒」（Die） 裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程,。簡單地說,，就是把晶圓廠廠生產(chǎn)出來的集成電路裸晶粒放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來,，然后固定包裝成為一個整體,。它主要要三個作用：通過特殊材料保護脆弱的芯片、將芯片電子功能部分與外界互連,，以及物理尺度兼容,。

　　先進封裝技術(shù)在將「小芯片」整合成系統(tǒng)芯片中，扮演重要的角色,。

　　有別于傳統(tǒng)的IC封裝,，晶圓級封裝（Wafer Level Package）、直通硅穿孔（Through Silicon Via,，TSV）封裝技術(shù),、2.5D 硅中介板 （Silicon Interposer）封裝技術(shù)、3D封裝等技術(shù)不斷演進,，為堆棧多個異質(zhì)芯片,，縮短電路通道，提高通道流量,、降低延遲等,，提供有效的解決方案。

　　臺積電很早就開始布局先進封裝,，以提供客戶最佳的芯片解決方案,。

　　2012年，臺積電就開始利用CoWoS （Chip on Wafer on Substrate）先進2.5D封裝技術(shù),，為客戶生產(chǎn)FPGA,。

　　2014年臺積電與海思合作推出全球第一個使用CoWoS封裝技術(shù)，將3個16納米芯片整合在一起,，具網(wǎng)絡(luò)功能的單芯片,。

　　除了CoWoS外，臺積電InFO（整合扇出）先進封裝,，為臺積電立下「汗馬功勞」,，臺積電用InFO先進封裝技術(shù)為蘋果公司封裝iPhone的A系列處理器,，不僅縮小芯片大小，而且提升性能,，讓蘋果公司將A系列處理器交給臺積電獨家代工,。

　　2020年8月臺積電提出3DFabric 先進封裝平臺，前段技術(shù)為SoIC （整合芯片系統(tǒng)）,，后段組裝測試相關(guān)技術(shù)包含InFO以及CoWoS系列,，可以讓客戶自由選配。

　　在產(chǎn)品設(shè)計方面,，3D Fabric提供了最大的彈性,，可以整合邏輯小芯片、高頻寬存儲器（HBM）,、特殊制程芯片等,，可以全方位實現(xiàn)各種創(chuàng)新產(chǎn)品設(shè)計。

　　臺積電擁有多個專屬的后端晶圓廠,，這些晶圓廠可以組裝和測試包括3D堆棧芯片在內(nèi)的硅芯片,，并將其加工成封裝后的裝置。

　　為了加快布局小芯片先進封裝技術(shù),，目前臺積電正積極打造創(chuàng)新的3D Fabric先進封測制造基地,，到時候廠房將會具備先進測試、SoIC和2.5D先進封裝的產(chǎn)線,，預(yù)計明年可陸續(xù)完工上線,。

　　臺積電的先進封裝技術(shù)目前領(lǐng)先全球，英特爾及三星電子緊追其后,。

　　英特爾于2017年推出嵌入式多芯片互相橋接（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge,，EMIB），2.5D 先進封裝,。

　　2018年12月英特爾發(fā)表Foveros 3D堆棧先進封裝,，2021年7月發(fā)表 Foveros Omni及Foveros Direct 先進3D封裝技術(shù)。Foveros Omni預(yù)計于2023年量產(chǎn),，F(xiàn)overos Direct為Foveros Omni的補充技術(shù),，量產(chǎn)時間也落在2023年。

　　英特爾的先進封裝技術(shù)與臺積電的差距不大,，在伯仲之間,。

　　三星電子在先進封裝技術(shù)落在臺積電、英特爾之后,。2018年三星電子推出2.5D先進封裝技術(shù)I-Cube2,，并于今年5月量產(chǎn)新一代先進封裝技術(shù)I-Cube4。

　　2020年年底,，三星電子發(fā)表3D先進封裝技術(shù)X-Cube,，可用于7納米,、5納米先進制程產(chǎn)品,。

　　全球制程技術(shù)最先進的三家公司,，不約而同地投入先進封裝的技術(shù)的開發(fā)、應(yīng)用,，足見先進封裝是增強,、延續(xù)半導(dǎo)體性能前進的重要技術(shù)。

　　先進封裝市場近年來將顯著成長,，預(yù)估到2025年全球先進封裝的產(chǎn)值,，將可達約420億美元，市場潛力不容小覷,。