最新行業(yè)報(bào)告顯示,,臺(tái)積電正積極上調(diào)系統(tǒng)級(jí)集成單芯片(SoIC)的產(chǎn)能計(jì)劃,,計(jì)劃到 2024 年年底,月產(chǎn)能躍升至 5000-6000 顆,,以應(yīng)對(duì)未來(lái)人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)的強(qiáng)勁需求。
AMD 是臺(tái)積電 SoIC 的首發(fā)客戶(hù),,其最新 AI 芯片產(chǎn)品 MI300 搭配 SoIC 和 CoWoS 封裝,,如果能取得成功,,那么將成為臺(tái)積電 SoIC 的一大“代表作”。
臺(tái)積電最大的客戶(hù)蘋(píng)果公司對(duì) SoIC 非常感興趣,。蘋(píng)果計(jì)劃讓 SoIC 搭配熱塑碳纖板復(fù)合成型技術(shù),,目前正小量試產(chǎn),預(yù)計(jì) 2025-2026 年量產(chǎn),,擬應(yīng)用在 Mac,、iPad 等產(chǎn)品,制造成本比當(dāng)前方案更具有優(yōu)勢(shì),。
業(yè)內(nèi)人士分析稱(chēng),,蘋(píng)果這一路線(xiàn)主要是基于產(chǎn)品設(shè)計(jì)、定位,、成本等綜合考量,。若未來(lái) SoIC 順利導(dǎo)入筆電、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品,,有望創(chuàng)造更多需求,,并大幅提升其他大客戶(hù)的跟進(jìn)意愿。
編者注:臺(tái)積電 SoIC 是業(yè)內(nèi)第一個(gè)高密度 3D chiplet 堆疊技術(shù),。SoIC 設(shè)計(jì)是在創(chuàng)造鍵合界面,,讓芯片可以直接堆疊在芯片上。
封裝技術(shù)主要指標(biāo)為凸點(diǎn)間距(Bump Pitch),,凸點(diǎn)間距越小,,封裝集成度越高,難度越大,,臺(tái)積電的 3D SoIC 的凸點(diǎn)間距最小可達(dá) 6um,,居于所有封裝技術(shù)首位。
SoIC 是一種“3D 封裝最前沿”技術(shù),,是臺(tái)積電異構(gòu)小芯片封裝的關(guān)鍵,,具有高密度垂直堆疊性能。與 CoWoS 及 InFo 技術(shù)相比,,SoIC 可提供更高的封裝密度,、更小的鍵合間隔,還可以與 CoWoS / InFo 共用,,基于 SoIC 的 CoWoS / InFo 封裝將帶來(lái)更小的芯片尺寸,,實(shí)現(xiàn)多個(gè)小芯片集成。
業(yè)內(nèi)人士表示,,SoIC 在 2023 年年底,,月產(chǎn)能為 2000 顆,,原本計(jì)劃 2024 年擴(kuò)大到 3000-4000 顆,,而最新計(jì)劃被上調(diào)至 5000-6000 顆,,而且 2025 年目標(biāo)月產(chǎn)能再翻番。
CoWoS 是一項(xiàng)經(jīng)過(guò) 15 年發(fā)展的成熟技術(shù),,預(yù)計(jì)到今年年底月產(chǎn)能將達(dá)到 30000 至 34000 件,。