當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月5日,,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)在《聯(lián)邦公報(bào)》上發(fā)布了一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)則(IFR),,加強(qiáng)了對(duì)量子計(jì)算、先進(jìn)半導(dǎo)體制造,、GAAFET等相關(guān)技術(shù)的出口管制,。
具體來說,該IFR 涵蓋了:量子計(jì)算,、相關(guān)組件和軟件,;先進(jìn)的半導(dǎo)體制造;用于開發(fā)超級(jí)計(jì)算機(jī)和其他高端設(shè)備的高性能芯片的環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管 (GAAFET) 技術(shù),;以及用于制造金屬或金屬合金部件的增材制造工具,。
1、量子計(jì)算相關(guān):
隨著具有更多量子位的更大型的量子計(jì)算機(jī)的開發(fā),控制電路必須在低溫恒溫器內(nèi)移動(dòng)以減少這些延遲,。目前,,傳統(tǒng)CMOS器件的一般溫度下限為-40°C(233K)。CMOS設(shè)計(jì)目前正在開發(fā)中,,以適用于在4K或以下溫度下工作,用于量子計(jì)算,。出于這些原因,,BIS在CCL中添加了3A901.a,以控制3A001.a.2中未指定的CMOS集成電路,,這些電路設(shè)計(jì)用于在等于或低于4.5 K(-268.65°C)的環(huán)境溫度下運(yùn)行,。這一補(bǔ)充附帶了一份技術(shù)說明,主要限制“低溫CMOS或低溫CMOS集成電路,?!?/p>
量子計(jì)算項(xiàng)目中的一個(gè)關(guān)鍵功能是讀取非常微弱的信號(hào)的能力。為了執(zhí)行該功能,,量子比特和信號(hào)放大器需要冷卻到非常低的溫度以抑制噪聲,。因此,BIS在CCL中添加了3A901.b,,以控制在極低溫度,、指定頻率和噪聲系數(shù)參數(shù)下工作的參數(shù)信號(hào)放大器。還添加了一個(gè)注釋和一個(gè)技術(shù)注釋,,說明“參數(shù)信號(hào)放大器包括行波參數(shù)放大器(TWPA)”和“參數(shù)信號(hào)功放也可稱為量子限幅放大器(QLA),。”根據(jù)3A901.a規(guī)定的CMOS集成電路和3A901.b規(guī)定的參數(shù)信號(hào)放大器需要獲得所有目的地的許可證,。
此外,,量子計(jì)算芯片所需的低溫晶圓探測(cè)設(shè)備(3B904)也被進(jìn)一步限制。低溫晶圓探測(cè)器的目標(biāo)是擴(kuò)大基于固態(tài)量子位和其他類型量子位的量子計(jì)算,。低溫量子器件,、電子學(xué)和探測(cè)器的發(fā)展可以從低溫晶片探測(cè)器提供的更好的器件特性中受益。某些低溫晶片探測(cè)器將加快被測(cè)量子比特器件的測(cè)試和表征(大容量數(shù)據(jù)的收集),。這在開發(fā)過程中提供了一個(gè)明顯的優(yōu)勢(shì),,傳統(tǒng)上,低溫測(cè)試需要更多的時(shí)間,。出于這個(gè)原因,,BIS認(rèn)為,這些設(shè)備需要出口管制,。因此,,BIS正在CCL中添加ECCN 3B904,以控制指定的低溫晶片探測(cè)設(shè)備。根據(jù)國家安全控制和許可證審查政策集的規(guī)定,,ECCN 3B904中指定的項(xiàng)目對(duì)所有目的地的NS和RS進(jìn)行控制,。
2、GAAFET及相關(guān)
針對(duì)3nm以下制程所需要采用的GAAFET,,BIS在通用許可證中增加了兩項(xiàng)授權(quán),,以補(bǔ)充第736部分第4號(hào)通用命令的第1項(xiàng),即GAAFET出口,、再出口和轉(zhuǎn)讓(國內(nèi))到目前與美國工業(yè)合作的實(shí)體,,目的地為EAR國家組A:5或A:6中指定的目的地,以及ECCN 3E905中指定的GAAFET“技術(shù)”和“軟件”的視同出口和視同再出口到已受雇于實(shí)體的外籍員工或承包商,,其最近的公民身份或永久居留權(quán)是國家組中指定的目標(biāo),。
另外,由于美國此前已經(jīng)對(duì)GAAFET設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行了出口管制,,因此,,與GAAFET相關(guān)的制造設(shè)備此次也一并受到了限制。
3,、半導(dǎo)體設(shè)備
3B001用于制造半導(dǎo)體器件,、材料或相關(guān)設(shè)備的設(shè)備,如下(見受控物品清單)及其“特殊設(shè)計(jì)”的“組件”和“配件”:
基于列表的許可證例外(有關(guān)所有許可證例外的描述,,請(qǐng)參閱第740部分)
LVS:500,,3B001.a.4、c,、d,、f.1.b、j至p中規(guī)定的半導(dǎo)體制造設(shè)備除外,。
GBS:a.3(使用氣體源的分子束外延生長設(shè)備),、c.1.a(為各向同性干法蝕刻設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備)、c.1.c(為各向異性干法蝕刻設(shè)計(jì)和修改的設(shè)備”),、.e(僅當(dāng)連接到由3B001.a.3或.f控制的設(shè)備時(shí)才自動(dòng)裝載多腔中央晶片處理系統(tǒng)),、.f(光刻設(shè)備)和.q(為集成電路設(shè)計(jì)的“EUV”掩模和掩模,未在3B001.g中指定,,并具有3B001.j中指定的掩?!盎蹇瞻住保┏狻?/p>
IEC:3B001.c.1.a,、c.1.c和.q為是,,見《出口管理?xiàng)l例》第740.2(a)(22)條和第740.24條。
STA的特殊條件
STA:許可證例外STA不得用于將3B001.c.1.a,、c.1.c或.q運(yùn)送到國家組a:5或a:6中列出的任何目的地(見EAR第740部分補(bǔ)充1),。
受控項(xiàng)目清單:
相關(guān)控制:另見3B903和3B991
相關(guān)定義:無
項(xiàng)目:
a.設(shè)計(jì)用于外延生長的設(shè)備如下:
a.1.設(shè)計(jì)或改裝的設(shè)備,,用于在75毫米或更長的距離內(nèi)生產(chǎn)厚度均勻小于±2.5%的硅以外的任何材料層;
注:3B001.a.1包括原子層外延(ALE)設(shè)備,。
a.2:金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)反應(yīng)器,,設(shè)計(jì)用于化合物半導(dǎo)體外延生長具有以下兩種或多種元素的材料:鋁、鎵,、銦,、砷、磷,、銻或氮,;
a.3:使用氣體或固體源的分子束外延生長設(shè)備;
a.4:為硅(Si),、碳摻雜硅、硅鍺(SiGe)或碳摻雜SiGe外延生長并且具有以下所有特性:
a.4.a.多個(gè)腔室,,并在工藝步驟之間保持高真空(等于或小于0.01 Pa)或惰性環(huán)境(水和氧氣分壓小于0.01帕),;
a.4.b.至少一個(gè)預(yù)清潔室,其設(shè)計(jì)用于提供表面處理裝置以清潔晶片的表面,;和
a.4.c.外延沉積操作溫度為685°c或以下,;
b.設(shè)計(jì)用于離子注入的半導(dǎo)體晶片制造設(shè)備,具有以下任何一項(xiàng):
b.1:[保留]
b.2:被設(shè)計(jì)和優(yōu)化為在20keV或更高的束能量和10mA或更大的束電流下工作,,用于氫,、氘或氦注入;
b.3:直接寫入能力,;
b.4:用于將高能氧注入加熱的半導(dǎo)體材料“基板”的65keV或更高的束能量和45mA或更高束電流,;或
b.5:被設(shè)計(jì)和優(yōu)化為在20keV或更高的束能和10mA或更大的束流下工作,用于將硅注入加熱到600?C或更高溫度的半導(dǎo)體材料“基板”,;
c.蝕刻設(shè)備:
c.1:設(shè)計(jì)用于干法蝕刻的設(shè)備如下:
c.1.a.為各向同性干法蝕刻而設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備,,其最大“硅鍺對(duì)硅(SiGe:Si)蝕刻選擇性”大于或等于100:1;或
c.1.b.為介電材料的各向異性蝕刻而設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備,,能夠制造縱橫比大于30:1,、頂面橫向尺寸小于100nm的高縱橫比特征,并具有以下所有特征:
c.1.b.1:具有至少一個(gè)脈沖RF輸出的射頻(RF)電源,;和
c.1.b.2:一個(gè)或多個(gè)切換時(shí)間小于300毫秒的快速氣體切換閥,;或
c.1.c:為各向異性干法蝕刻而設(shè)計(jì)或修改的設(shè)備,具有以下所有特征,;
c.1.c.1:具有至少一個(gè)脈沖RF輸出的射頻(RF)電源,;
c.1.c.2:一個(gè)或多個(gè)切換時(shí)間小于300毫秒的快速氣體切換閥;和
c.1.c.3:帶有二十個(gè)或更多可單獨(dú)控制的可變溫度元件的靜電卡盤,;
c.2:設(shè)計(jì)用于濕化學(xué)處理的設(shè)備,,其最大“硅鍺對(duì)硅(SiGe:Si)蝕刻選擇性”大于或等于100:1,;
注1:3B001.c包括“自由基”、離子,、順序反應(yīng)或非順序反應(yīng)的蝕刻,。
注2:3B001.c.1.c包括使用RF脈沖激發(fā)等離子體、脈沖占空比激發(fā)等離子體,、電極上的脈沖電壓修飾等離子體,、與等離子體結(jié)合的氣體循環(huán)注入和凈化、等離子體原子層蝕刻或等離子體準(zhǔn)原子層蝕刻的蝕刻,。
4,、增材制造設(shè)備(i.ECCN 2B910)
BIS對(duì)ECCN 2D910和2E910中增材制造設(shè)備(2B910)的“技術(shù)”和“軟件”的外國人實(shí)施視同出口和再出口管制。
美國工業(yè)和安全局副部長艾倫·埃斯特維茲在一份聲明中表示: “今天的行動(dòng)確保我們的國家出口管制與迅速發(fā)展的技術(shù)保持同步,,并且在與國際伙伴合作時(shí)更加有效,。”“協(xié)調(diào)我們對(duì)量子和其他先進(jìn)技術(shù)的控制,,將使我們的對(duì)手更難以以威脅我們集體安全的方式開發(fā)和部署這些技術(shù),。”
有什么改變,?
該規(guī)則在商務(wù)管制清單中增加了新的出口管制分類編號(hào)(ECCN),,涵蓋一般產(chǎn)品類別和能力,而不是特定產(chǎn)品,。
這基本上意味著,,如果你想從美國出口某些類型的產(chǎn)品(已列入或已添加到管制清單的產(chǎn)品),你可能需要獲得美國政府的許可,。這讓美國有能力和機(jī)會(huì)限制向某些國家(如中國,、俄羅斯和伊朗)出售某些類型的技術(shù)。
例如,,管制清單上的新 ECCN B910 指定了與合金制造相關(guān)的套件,,因?yàn)檫@些物質(zhì)用于生產(chǎn)導(dǎo)彈、飛機(jī)和推進(jìn)系統(tǒng)的零件,。另一個(gè)新的 ECCN 是“3A904 低溫冷卻系統(tǒng)和組件”,,重點(diǎn)關(guān)注“與研究具有大量物理量子比特的量子系統(tǒng)相關(guān)的項(xiàng)目”。
這些規(guī)則增加了 18 個(gè) ECCN,,并更新了 9 個(gè)現(xiàn)有 ECCN,。這使美國能夠與其他國家保持步調(diào)一致,主要限制向俄羅斯和伊朗等國輸送裝備,。
2023 年美國國會(huì)研究服務(wù)處報(bào)告 指出,,與其他政府協(xié)調(diào)出口管制對(duì)于確保此類努力取得成效至關(guān)重要。該報(bào)告稱:“協(xié)調(diào)對(duì)于旨在阻止或延遲外國收購某些商品或技術(shù)的政策的有效性至關(guān)重要,。如果商品或技術(shù)很容易從外國獲得,,這種控制措施的效果可能會(huì)降低,。”
例如,,2019 年,,美國政府將中國電信制造商華為及其 114 家關(guān)聯(lián)企業(yè)列入“實(shí)體名單”,以限制華為等中企的技術(shù),。然而,,在沒有國際合作伙伴的協(xié)調(diào)下,這一舉措收效甚微,。因此,,美國商務(wù)部工業(yè)和安全局于次年擴(kuò)大了制裁范圍,以彌補(bǔ)國際支持帶來的缺失,。
2022 年10月,,美國商務(wù)部 BIS宣布新的出口管制措施,旨在遏制中國獲取先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù),。隨后,,在2023 年,美國,、日本和荷蘭這三個(gè)領(lǐng)先的芯片制造國同意協(xié)調(diào)努力,,阻止中國獲得先進(jìn)的芯片技術(shù),。
美國商務(wù)部工業(yè)和安全局的最新出口管制似乎是加強(qiáng)與盟友合作的進(jìn)一步例子,。
美國商務(wù)部負(fù)責(zé)出口管理的助理部長西婭·羅茲曼·肯德勒 (Thea D. Rozman Kendler) 在一份聲明中表示:“保護(hù)我們國家安全的最有效方式是與志同道合的合作伙伴一起制定和協(xié)調(diào)我們的管控措施,今天的行動(dòng)表明了我們?cè)谥贫ù祟惞芸卮胧┮詫?shí)現(xiàn)國家安全目標(biāo)方面的靈活性,?!彼€補(bǔ)充說,值得信賴的合作伙伴可以享受許可豁免,。
中國復(fù)旦大學(xué)和哈佛商學(xué)院的學(xué)者上個(gè)月發(fā)表了一篇論文,,《出口管制對(duì)目標(biāo)國家的后果》,該論文發(fā)現(xiàn),,就2007年美國的“中國規(guī)則”政策而言,,出口管制是有效的,限制了受制裁中國公司的管制商品供應(yīng),。該政策限制了中國從軍事領(lǐng)域進(jìn)口產(chǎn)品,。
然而,美國戰(zhàn)略與國際研究中心2024 年 2 月發(fā)布的一份關(guān)于該主題的報(bào)告描繪了一幅更加微妙的圖景,,指出了美國的經(jīng)濟(jì)成本和中國的機(jī)遇,。
CSIS 報(bào)告稱:“美國管制措施的成功可能取決于能否協(xié)調(diào)美國與主要盟友的限制措施,這些盟友的出口管制措施與美國的出口管制措施大相徑庭,,導(dǎo)致存在巨大差距,??傮w而言,美國盟友的限制范圍較窄,?!?/p>