據韓國媒體Business Korea報導,，三星電子已于第四季度在平澤P2廠建立10nm級（1d）的第七代DRAM測試線,。業(yè)界也將此測試線稱為“單路徑線”（one path），預期明年第一季度將完全建成,。

報道稱，測試產線是測試新半導體產品量產潛質的設施,，一旦下一代芯片性能在研發(fā)階段時確定,，就會在此引進晶圓，開始提高量產良率,。目前還不確定三星平澤10nm級第七代DRAM廠房的規(guī)模,，但通常安裝測試產線每月可處理約1萬片晶圓。

三星今年3月在美國舉行的“MemCon 2024”活動中曾宣布,，計劃在2026年前量產第七代DRAM,，至于其前身第六代（1c）DRAM，計劃明年（2025年）量產,。因此,，這條第七代測試線與第六代DRAM量產的準備工作同步進行。

三星計劃明年初開始以平澤P4廠為中心引進半導體設備，生產10nm級第六代DRAM,，并加快良率提升的腳步,，目標是明年5月前取得內部量產認證（PRA）。此外,，為了順利第六代DRAM量產,，三星還將DRAM相關人員從華城廠調派至平澤廠。

也就是說,，三星在第六代DRAM還沒進入量產階段前,，就已經開始為第七代DRAM建置廠房。外界認為,，三星此舉是為明年重奪優(yōu)勢而提前進行投資,。

做為全球DRAM制造龍頭大廠，三星這兩年遭遇很大的打擊,，特別是在AI所需的HBM（高帶寬內存）市場,，SK海力士的市場份額大幅領先于三星。此外,，在10nm級第六代DRAM的開發(fā)速度上,，三星也落后于SK海力士。

對于三星來說,，如果要奪回領導地位,，必須加快產品的開發(fā)速度，這從三星的新人事變動可以窺見一斑,。

三星電子副董事長全永鉉（Jeon Young-hyun）從半導體業(yè)務的設備解決方案（DS）負責人改為CEO,，同時兼任內存業(yè)務和三星綜合技術院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）負責人,。他以強大驅動力著稱,，預期將大膽推動三星技術開發(fā)和投資。

業(yè)界人士解釋,，全永鉉現在可以更密切地參與三星DRAM技術,，預計他會從主力產品DRAM開始強力創(chuàng)新。

三星電子也加速投資另一種內存NAND閃存,，最近該公司在平澤一廠安裝業(yè)界第一條400層NAND（V10）測試線,，并在平澤四廠NAND廠房添置286層V9設備。