據(jù)韓國媒體Business Korea報(bào)導(dǎo),，三星電子已于第四季度在平澤P2廠建立10nm級（1d）的第七代DRAM測試線,。業(yè)界也將此測試線稱為“單路徑線”（one path），預(yù)期明年第一季度將完全建成。

報(bào)道稱,，測試產(chǎn)線是測試新半導(dǎo)體產(chǎn)品量產(chǎn)潛質(zhì)的設(shè)施,，一旦下一代芯片性能在研發(fā)階段時(shí)確定,，就會在此引進(jìn)晶圓,，開始提高量產(chǎn)良率。目前還不確定三星平澤10nm級第七代DRAM廠房的規(guī)模,，但通常安裝測試產(chǎn)線每月可處理約1萬片晶圓,。

三星今年3月在美國舉行的“MemCon 2024”活動中曾宣布，計(jì)劃在2026年前量產(chǎn)第七代DRAM,，至于其前身第六代（1c）DRAM,，計(jì)劃明年（2025年）量產(chǎn)。因此,，這條第七代測試線與第六代DRAM量產(chǎn)的準(zhǔn)備工作同步進(jìn)行,。

三星計(jì)劃明年初開始以平澤P4廠為中心引進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備，生產(chǎn)10nm級第六代DRAM,，并加快良率提升的腳步,，目標(biāo)是明年5月前取得內(nèi)部量產(chǎn)認(rèn)證（PRA）。此外，為了順利第六代DRAM量產(chǎn),，三星還將DRAM相關(guān)人員從華城廠調(diào)派至平澤廠,。

也就是說，三星在第六代DRAM還沒進(jìn)入量產(chǎn)階段前,，就已經(jīng)開始為第七代DRAM建置廠房。外界認(rèn)為,，三星此舉是為明年重奪優(yōu)勢而提前進(jìn)行投資,。

做為全球DRAM制造龍頭大廠，三星這兩年遭遇很大的打擊,，特別是在AI所需的HBM（高帶寬內(nèi)存）市場,，SK海力士的市場份額大幅領(lǐng)先于三星。此外,，在10nm級第六代DRAM的開發(fā)速度上,，三星也落后于SK海力士。

對于三星來說,，如果要奪回領(lǐng)導(dǎo)地位,，必須加快產(chǎn)品的開發(fā)速度，這從三星的新人事變動可以窺見一斑,。

三星電子副董事長全永鉉（Jeon Young-hyun）從半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）負(fù)責(zé)人改為CEO,，同時(shí)兼任內(nèi)存業(yè)務(wù)和三星綜合技術(shù)院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）負(fù)責(zé)人,。他以強(qiáng)大驅(qū)動力著稱,，預(yù)期將大膽推動三星技術(shù)開發(fā)和投資。

業(yè)界人士解釋,，全永鉉現(xiàn)在可以更密切地參與三星DRAM技術(shù),，預(yù)計(jì)他會從主力產(chǎn)品DRAM開始強(qiáng)力創(chuàng)新。

三星電子也加速投資另一種內(nèi)存NAND閃存,，最近該公司在平澤一廠安裝業(yè)界第一條400層NAND（V10）測試線,，并在平澤四廠NAND廠房添置286層V9設(shè)備。