Vishay Siliconix推出具有業(yè)界最佳優(yōu)值系數（FOM）的新款N溝道功率MOSFET
該器件是采用TO-247封裝的600V,、47A器件,，具有15.12Ω-nC的導通電阻
2010-11-08
作者：Vishay
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新款600V,、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC,，采用TO-247封裝,。
柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優(yōu)值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC,，是業(yè)界此類器件當中最低的,。
SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發(fā)電機的逆變器,、通信,、服務器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節(jié)約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術制造，這種技術為減小通態(tài)電阻,、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試,。
新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產,，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周,。
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