Vishay Siliconix推出具有業(yè)界最佳優(yōu)值系數(shù)（FOM）的新款N溝道功率MOSFET
該器件是采用TO-247封裝的600V、47A器件,，具有15.12Ω-nC的導(dǎo)通電阻
2010-11-08
作者：Vishay
日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款600V,、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC,，采用TO-247封裝,。
柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC,，是業(yè)界此類器件當(dāng)中最低的,。
SiHG47N60S的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在太陽(yáng)能電池和風(fēng)力發(fā)電機(jī)的逆變器,、通信,、服務(wù)器和電機(jī)控制電源應(yīng)用中的逆變器電路和脈寬調(diào)制(PWM)全橋拓?fù)渲泄?jié)約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術(shù)制造,，這種技術(shù)為減小通態(tài)電阻,、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進(jìn)行了有針對(duì)性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,，為保證可靠工作進(jìn)行了完備的雪崩測(cè)試,。
新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周,。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問(wèn)題,，請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施,，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：[email protected],。