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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

寧德時(shí)代全固態(tài)電池2027年有望小批量生產(chǎn)

寧德時(shí)代：全固態(tài)電池技術(shù)我們行業(yè)領(lǐng)先 2027年有望小批量生產(chǎn)

發(fā)表于：2024/8/14

英飛凌推出PSOC? Control MCU系列

【2024年8月13日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費(fèi)電機(jī)控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用,，包括家用電器,、電動(dòng)工具、可再生能源產(chǎn)品,、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器，以及照明和計(jì)算/通信電源等。

發(fā)表于：2024/8/13

復(fù)旦團(tuán)隊(duì)國(guó)際首次驗(yàn)證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息,，據(jù)復(fù)旦大學(xué)官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲(chǔ)技術(shù),。當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級(jí),，無(wú)法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨?，?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級(jí)超快存儲(chǔ)閃存,。然而，如何實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成,、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn),。從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次驗(yàn)證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗(yàn)證,，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度,。北京時(shí)間 8 月 12 日下午 5 點(diǎn)，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國(guó)際頂尖期刊《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics）,，DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6,。

發(fā)表于：2024/8/13

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來(lái)半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：2024/8/13

傳臺(tái)積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺(tái)積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地,，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺(tái)灣發(fā)展,。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求,。據(jù)悉,，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程,，盤點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給,，作為臺(tái)積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對(duì)臺(tái)積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局,，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場(chǎng)傳言,。

發(fā)表于：2024/8/13

消息稱三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃,，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng),。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期,。在早前規(guī)劃中,，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工,，三期,、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,，但擱置了二期建設(shè),。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布,。韓媒在報(bào)道中稱,，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/8/13

美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣,，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作,，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉,，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資,，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心,。

發(fā)表于：2024/8/13

武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)量子點(diǎn)光刻膠

8 月 13 日消息,，武漢光谷實(shí)驗(yàn)室宣布與華中科技大學(xué)等研究團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠（QD-PR），其藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色）,，光刻精度達(dá)到 1 μm,，各項(xiàng)性能指標(biāo)為行業(yè)領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：2024/8/13

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍,，成本將大幅降低,！

發(fā)表于：2024/8/13

英國(guó)牛津大學(xué)推出柔性多結(jié)太陽(yáng)能電池板

英國(guó)牛津大學(xué)推出柔性多結(jié)太陽(yáng)能電池板，轉(zhuǎn)換效率有望達(dá)到45%

發(fā)表于：2024/8/13

夏普考慮將半導(dǎo)體和相機(jī)模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息,，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財(cái)年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和智能手機(jī)用相機(jī)模組業(yè)務(wù)出售給鴻海,。對(duì)于出售金額,，夏普社長(zhǎng)沖津雅浩稱由于談判剛剛開始，更多細(xì)節(jié)目前不便透露,。

發(fā)表于：2024/8/13

美國(guó)芯片法案簽署兩周年記

美國(guó)芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資,，創(chuàng)造115000個(gè)工作崗位！

發(fā)表于：2024/8/13

消息稱聯(lián)發(fā)科首款A(yù)I PC芯片明年公布

據(jù)最新消息，聯(lián)發(fā)科將推出首款 PC 芯片以進(jìn)軍 AI PC 領(lǐng)域,，并計(jì)劃攜手英偉達(dá),，在明年上半年公布具體信息，這無(wú)疑是對(duì)英特爾,、AMD,、高通等 PC 芯片陣營(yíng)的一次挑戰(zhàn)。此次聯(lián)發(fā)科與英偉達(dá)的合作,，旨在打造一個(gè)集高效能與低功耗于一身的 Arm PC 處理器,。這款芯片預(yù)計(jì)將在今年第三季度完成設(shè)計(jì)藍(lán)圖，并在第四季度進(jìn)入全面驗(yàn)證階段,，隨后于明年上半年正式亮相,。業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為，聯(lián)發(fā)科此次的優(yōu)勢(shì)不僅在于其以往在效能與功耗上的出色表現(xiàn),，更在于其更加親民的價(jià)格策略,，這有望在價(jià)格敏感的市場(chǎng)中掀起一陣風(fēng)暴。

發(fā)表于：2024/8/13

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%,！

發(fā)表于：2024/8/13

Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性

　　奈梅亨,，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件,。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS（on）和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器,、電源,、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰,。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇,，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

發(fā)表于：2024/8/13