工業(yè)自動化最新文章 SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求 提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求,,消息稱 SK 海力士正升級 M16 晶圓廠 發(fā)表于:2024/6/17 沒有撤離荷蘭 ASML總部擴建計劃獲批 6月17日消息,近日,,荷蘭埃因霍溫市議會多數(shù)成員以 34 比 6 的投票結(jié)果通過了ASML在Brainport Industries Campus園區(qū)的擴張計劃,,這也為這家半導體巨頭繼續(xù)在當?shù)財U張鋪平了道路。 發(fā)表于:2024/6/17 PANJIT強勢推出兩顆優(yōu)化的1600V通用型整流器 PANJIT積極推出兩顆優(yōu)化的1600V通用型整流器(PGR6016PT/PGR9016PT),,電流高達60A/90A,,以其優(yōu)越性能脫穎而出,在ORing Diode電路上提供卓越的表現(xiàn),,具有高效率,、低耗損特性。由于充電樁會有若干個充電模塊并聯(lián)后進行輸出供電,,這可確保在其中一個電源失效時,,其他電源仍正常運作。 發(fā)表于:2024/6/14 Intel 3工藝官方揭秘最新數(shù)據(jù) Intel 3工藝官方揭秘:面積縮小10%,、能效飆升17% 發(fā)表于:2024/6/14 三星公布引領(lǐng)AI時代半導體技術(shù)路線圖 三星公布引領(lǐng)AI時代半導體技術(shù)路線圖 效果大幅提升 發(fā)表于:2024/6/14 諾獎得主稱美國最多斷供中國10年芯片 華為等加油,!諾獎得主稱美國最多斷供中國10年芯片:中國能造出比美更好的 發(fā)表于:2024/6/14 美國發(fā)展半導體2024年建設(shè)支出超前28年總和 美國發(fā)展半導體有多瘋狂:2024年建設(shè)支出超前28年總和! 發(fā)表于:2024/6/14 彌費科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗收 彌費科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗收,,打破行業(yè)長期海外壟斷 發(fā)表于:2024/6/14 CPU 2.0時代即將到來 CPU 2.0時代即將到來,!爆炸性成果使任何CPU性能提升100倍 發(fā)表于:2024/6/14 國內(nèi)首條光子芯片中試線月底調(diào)試 國內(nèi)首條光子芯片中試線月底調(diào)試 產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程不斷提速 發(fā)表于:2024/6/14 隆基綠能再次刷新晶硅-鈣鈦礦疊層電池效率世界紀錄 隆基綠能再次刷新晶硅-鈣鈦礦疊層電池效率世界紀錄 發(fā)表于:2024/6/14 英諾賽科赴港IPO:三年虧損67億元 英諾賽科赴港IPO:三年虧損67億元,被英飛凌等起訴專利侵權(quán),! 發(fā)表于:2024/6/14 成本可降低數(shù)倍 EUV光源的替代方案來了 成本可降低數(shù)倍,!EUV光源的替代方案來了! 目前臺積電,、英特爾和三星等頭部的晶圓制造商積極地發(fā)展尖端先進制程工藝,,希望在單位面積內(nèi)塞入更多的晶體管,以維持摩爾定律的繼續(xù)有效,。為此,,他們在7nm制程上就都已經(jīng)采用了售價高達1.5億歐元的EUV光刻機,而未來進入2nm以下的埃米級制程則需要采用售價高達3.5億歐元的High NA EUV光刻機,。這些機器之所以如此昂貴,,其中一個關(guān)鍵原因在于,它們的EUV光源的生產(chǎn),,都采用的是目前地球上最強大的商用激光器,,通過轟擊金屬錫滴來來產(chǎn)生13.5nm EUV光源。 發(fā)表于:2024/6/14 Gartner首席執(zhí)行官調(diào)查:AI是繼下一輪業(yè)務轉(zhuǎn)型的首要任務 Gartner首席執(zhí)行官調(diào)查:AI是繼下一輪業(yè)務轉(zhuǎn)型的首要任務 發(fā)表于:2024/6/14 三星祭出交鑰匙代工服務 加速AI芯片生產(chǎn) 6月14日 三星正在構(gòu)建一個全新的AI芯片制造“交鑰匙代工”服務,,計劃將所有的生產(chǎn)流程整合起來,,以更快地交付AI芯片產(chǎn)品,滿足不斷增長的用戶需求,。 在6月12日舉辦的“代工論壇”(Foundry Forum)上,,三星電子透露了到2027年采用先進代工技術(shù)的計劃,。這家全球最大的存儲芯片制造商,將通過整合其存儲器,、代工和封裝業(yè)務,,為AI芯片制造提供一站式服務。 發(fā)表于:2024/6/14 ?…80818283848586878889…?