工業(yè)自動(dòng)化最新文章 長江存儲(chǔ)起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁 長江存儲(chǔ)起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁,，指控其散布虛假信息！ 發(fā)表于：2024/6/21 上海交大石墨烯超導(dǎo)重大發(fā)現(xiàn)研究登Nature 上海交大石墨烯超導(dǎo)重大發(fā)現(xiàn)研究登Nature 發(fā)表于：2024/6/21 DRAM和NAND現(xiàn)貨價(jià)格下跌 短期內(nèi)難以回升 DRAM和NAND現(xiàn)貨價(jià)格下跌,，短期內(nèi)難以回升 發(fā)表于：2024/6/21 兆芯世紀(jì)大道內(nèi)核微架構(gòu)支持已合入GCC 15編譯器 兆芯“世紀(jì)大道”內(nèi)核微架構(gòu)支持已合入 GCC 15 編譯器 發(fā)表于：2024/6/21 Saab UK 為深海勘探實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新,，降低潛水員及環(huán)境風(fēng)險(xiǎn) 不到兩年前,，兩個(gè) Saab 遙控水下機(jī)器人 (ROV) 下潛 3000 多米,，進(jìn)入寒冷的南極水域，尋找于1915 年沉沒的歐內(nèi)斯特·沙克爾頓爵士的“耐力號(hào)”船,。這位英國探險(xiǎn)家的故事是一段具有無畏的領(lǐng)導(dǎo)力和毅力的傳奇,。本次任務(wù)的成功離不開 Saab Seaeye ROV，它使用先進(jìn)的技術(shù)對殘骸進(jìn)行定位,、檢察和拍攝,，無需再由人類來執(zhí)行這種危險(xiǎn)的深海探測。 發(fā)表于：2024/6/20 400mA,、高輸出壓擺率，納芯微NSOPA240x系列破解旋轉(zhuǎn)變壓器之“難” 2024年6月17日，上海 —— 隨著市場對高精度,、高性能電機(jī)控制技術(shù)的不斷追求，旋轉(zhuǎn)變壓器作為其核心部件之一,，其精確測量角度位置和轉(zhuǎn)速的能力顯得尤為重要,。 發(fā)表于：2024/6/20 利用精密信號(hào)鏈μModule解決方案簡化設(shè)計(jì),、提高性能并節(jié)省寶貴時(shí)間 摘要 ADI公司的精密信號(hào)鏈μModule?解決方案為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供外形緊湊且高度可定制的集成解決方案，以簡化設(shè)計(jì),、提高性能并節(jié)省寶貴的開發(fā)時(shí)間1,。這有助于幫助客戶讓性能出色的產(chǎn)品更快地進(jìn)入市場，從而獲得巨大優(yōu)勢,。 發(fā)表于：2024/6/20 消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù) 消息稱臺(tái)積電研究新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓 發(fā)表于：2024/6/20 傳美擬將11家中國晶圓廠列入實(shí)體清單 傳美擬將11家中國晶圓廠列入“實(shí)體清單” 發(fā)表于：2024/6/20 英特爾官網(wǎng)披露Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié) 英特爾詳解Intel 3工藝：應(yīng)用更多EUV光刻,，同功耗頻率提升至多18% 發(fā)表于：2024/6/20 SK海力士展示HBM3E等AI內(nèi)存解決方案 SK海力士展示HBM3E、CMM-DDR5等AI內(nèi)存解決方案 發(fā)表于：2024/6/20 臺(tái)積電南京工廠擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片 獲美國無限豁免,！臺(tái)積電南京擴(kuò)產(chǎn)16/28nm芯片,，打壓中國芯？ 發(fā)表于：2024/6/20 消息稱美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能 目標(biāo)相關(guān)領(lǐng)域市占看齊整體 DRAM,，消息稱美光正全球擴(kuò)張 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能 發(fā)表于：2024/6/20 三星電子存儲(chǔ)部門宣布進(jìn)行重組 三星電子存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)宣布下半年重組,。這次會(huì)議是在新任設(shè)備解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉上任后舉行的，標(biāo)志著公司可能在高帶寬內(nèi)存（HBM）等核心業(yè)務(wù)上尋求新的突破,。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士19日透露,，三星電子存儲(chǔ)部門前一天召開了會(huì)議。存儲(chǔ)部門總經(jīng)理兼總裁Jungbae Lee主持了會(huì)議,，該部門的主要高管出席了會(huì)議,。 發(fā)表于：2024/6/20 Intel 3制程已大批量生產(chǎn) 6月20日消息，據(jù)Tom's hard ware報(bào)道,，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三,，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級(jí)制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠投入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點(diǎn)更多細(xì)節(jié)信息,。 據(jù)介紹,，Intel 3 帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓,，相比Intel 4 帶來了18%的性能提升,，適用于超高性能應(yīng)用,。該節(jié)點(diǎn)面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)還將會(huì)推出Intel 3-T,、Intel 3-E,、Intel 3P-T等多個(gè)演進(jìn)版本。 發(fā)表于：2024/6/20 ?…77787980818283848586…?
