EDA與制造-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

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緯創(chuàng)宣布投資5000萬美元在美國建廠

4月2日，中國臺灣電子代工大廠緯創(chuàng)發(fā)布公告，宣布計(jì)劃在美國投資新設(shè)子公司，注冊資本為4,500萬美元，并擬于不超過5,000萬美元額度內(nèi)，取得美國土地及廠房。緯創(chuàng)表示，在美國投資設(shè)立的子公司名為Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投資是因業(yè)務(wù)發(fā)展及策略規(guī)劃需要。

發(fā)表于：4/3/2025

龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片

4月3日消息，龍芯中科官方宣布，近日，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各項(xiàng)指標(biāo)符合預(yù)期。龍芯2K3000、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應(yīng)用領(lǐng)域、移動終端領(lǐng)域。

發(fā)表于：4/3/2025

晶圓代工巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽

4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

發(fā)表于：4/3/2025

消息稱SK海力士封裝廠產(chǎn)線升級 HBM月產(chǎn)能新增1萬片晶圓

4 月 2 日消息，韓媒 ET News 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 1 日報(bào)道稱，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國京畿道利川市的 M10F 工廠的產(chǎn)線改造，該廠從此前負(fù)責(zé)一般 DRAM 產(chǎn)品的后端處理調(diào)整為封裝高附加值、高需求的 HBM 內(nèi)存。消息人士稱 SK 海力士為利川 M10F 工廠引進(jìn)和更換了新項(xiàng)目所需的工藝設(shè)備和原材料，并獲得了消防部門更新的安全許可，該工廠 HBM 封裝產(chǎn)線已于 3 月底開始批量生產(chǎn)。

發(fā)表于：4/3/2025

Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm芯片仍面臨三大挑戰(zhàn)

近日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，已決定向本土半導(dǎo)體制造商Rapidus再追加8025億日元投資，使得政府援助總額將達(dá)到1.7萬億日元，以支持Rapidus實(shí)現(xiàn)2027年在日本量產(chǎn)2nm芯片的目標(biāo)。

發(fā)表于：4/3/2025

創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片

4月2日，先進(jìn)ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）半導(dǎo)體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：4/3/2025

英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段

4 月 2 日消息，英特爾高級副總裁、英特爾代工部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段。

發(fā)表于：4/2/2025

日本芯片制造商Rapidus計(jì)劃2025財(cái)年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK

4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計(jì)劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動中試線，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開發(fā)。

發(fā)表于：4/2/2025

臺積電美國廠全部量產(chǎn)后營收占比將達(dá)三分之一

4月1日消息，據(jù)英國《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，根據(jù)分析師的估算，晶圓代工大廠臺積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會占該公司2030年代初總營收的約三分之一，遠(yuǎn)低于其中國臺灣晶圓廠的營收占比。

發(fā)表于：4/2/2025

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

2025年4月1日，中國蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

發(fā)表于：4/2/2025

業(yè)界預(yù)計(jì)臺積電將在2027年開始1.4nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)

4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！早在今年初，就有報(bào)道陳，臺積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期，樂觀預(yù)計(jì)位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬塊晶圓。

發(fā)表于：4/2/2025

聯(lián)電新加坡Fab 12i 晶圓廠擴(kuò)建落成開業(yè)

4月1日，臺系晶圓代工大廠聯(lián)電在新加坡舉行擴(kuò)建新廠開幕典禮，新廠第一期項(xiàng)目將在2026年開始量產(chǎn)，預(yù)計(jì)將使聯(lián)電新加坡Fab 12i廠總產(chǎn)能提升至每年超過100萬片12英寸晶圓。此外，聯(lián)電這座新廠也將成為新加坡最先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓代工廠之一，提供用于通信、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、車用和人工智能（AI）創(chuàng)新領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片。

發(fā)表于：4/2/2025

夏普再次出售工廠

當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月31日，日本顯示面板大廠夏普宣布，已經(jīng)和日本電子元件廠Aoi Electronics簽訂契約，擬將生產(chǎn)中小尺寸液晶面板的三重事業(yè)所（三重工廠）的第一工廠廠房（總樓地板面積約6萬平方公尺）出售給Aoi，Aoi將借此導(dǎo)入半導(dǎo)體封裝產(chǎn)線。早在2024年7月，夏普就曾宣布，已和Aoi達(dá)成基本協(xié)議，Aoi將在三重工廠第一廠房打造先進(jìn)半導(dǎo)體面板封裝（advanced semiconductor panel packages）產(chǎn)線。該先進(jìn)封裝產(chǎn)線預(yù)定將用來生產(chǎn)可因應(yīng)先進(jìn)封裝需求的Aoi FOLP（Fan-out Laminate Package）產(chǎn)品。

發(fā)表于：4/2/2025

英特爾CEO陳立武：剝離非核心業(yè)務(wù) 建立世界一流晶圓代工廠

當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月31日，英特爾在美國拉斯維加斯召開了“Intel Vision”（英特爾愿景）大會，英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）首次公開亮相，并做了主題為“A New Intel”的開場演講，在回顧了其過往經(jīng)歷之后，分享了他對恢復(fù)英特爾公司技術(shù)和制造領(lǐng)導(dǎo)地位的方法的見解。

發(fā)表于：4/1/2025

傳統(tǒng)DRAM市場競爭激烈三星利潤面臨連續(xù)三季度下滑

3月31日消息，據(jù)韓國Infomax調(diào)查，分析師預(yù)測三星電子在2025年第一季度的營業(yè)利潤仍不樂觀，面臨連續(xù)三個(gè)季度下滑的局面。分析師預(yù)測，三星電子2025年第一季度的營業(yè)利潤預(yù)計(jì)為4.7萬億韓元（約合32億美元），同比減少27.8%，環(huán)比減少26.6%。報(bào)道稱，這一下滑趨勢主要?dú)w因于中國DRAM廠的產(chǎn)能全開，導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM價(jià)格下跌，三星作為傳統(tǒng)DRAM的主要供應(yīng)商，受到嚴(yán)重沖擊。

發(fā)表于：4/1/2025