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AI技術(shù)賦能EDA平臺(tái)促IC設(shè)計(jì)“提質(zhì)增效”

日前，西門子EDA年度技術(shù)峰會(huì)“Siemens EDA Forum 2024”在上海成功舉辦，西門子EDA Silicon Systems首席執(zhí)行官 Mike Ellow親臨現(xiàn)場(chǎng),，發(fā)表了題為“激發(fā)想象力——綜合系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新時(shí)代”的主旨演講,，闡述了西門子EDA如何應(yīng)用AI技術(shù)不斷推動(dòng)產(chǎn)品優(yōu)化，讓IC設(shè)計(jì)“提質(zhì)增效”,。

發(fā)表于：2024/10/31

三大內(nèi)存原廠將于20層堆疊HBM5全面應(yīng)用混合鍵合工藝

三大內(nèi)存原廠將于 20 層堆疊 HBM5 全面應(yīng)用混合鍵合工藝

發(fā)表于：2024/10/31

消息稱三星電子2025年初引進(jìn)其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)

10 月 30 日消息,，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子已決定 2025 年初引進(jìn)其首臺(tái) ASML High NA EUV 光刻機(jī),，正式同英特爾,、臺(tái)積電展開(kāi)下代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。三星電子此前同比利時(shí)微電子研究中心 imec 合作,，在后者與 ASML 聯(lián)手建立的 High NA EUV 光刻實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了對(duì) High NA 光刻的初步探索,；此次引入自有 High NA 機(jī)臺(tái)將加速三星的研發(fā)進(jìn)程。

發(fā)表于：2024/10/31

傳OpenAI攜手博通及臺(tái)積電打造自研AI芯片

10月30日消息,，據(jù)路透社獨(dú)家引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)稱,，人工智能（AI）技術(shù)大廠OpenAI野心勃勃的晶圓代工廠建設(shè)計(jì)劃已經(jīng)暫時(shí)擱置，目前正與博通（Broadcom）和臺(tái)積電合作打造自研AI芯片,，以支持自研AI大模型,。此外，OpenAI還在采購(gòu)英偉達(dá)（NVIDIA ）,、AMD芯片,，以滿足其高漲的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求。

發(fā)表于：2024/10/31

傳臺(tái)積電已取消對(duì)英特爾的6折優(yōu)惠

10月30日消息,，據(jù)路透社29日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)稱,，原本在數(shù)年前臺(tái)積電與英特爾之間的關(guān)系良好，當(dāng)時(shí)英特爾將部分芯片交由臺(tái)積電代工,，臺(tái)積電向英特爾提供了高達(dá)6折的折扣,。但是，隨著英特爾CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”戰(zhàn)略,，開(kāi)始發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù),，這也使得臺(tái)積電取消了對(duì)英特爾的折扣優(yōu)惠。報(bào)道稱,，基辛格近年來(lái)忙于恢復(fù)英特爾的制造能力,，卻疏于維護(hù)與臺(tái)積電的關(guān)系。甚至是在2021年5月,，基辛格還公開(kāi)表示：“你不會(huì)想把所有雞蛋全放在臺(tái)灣晶圓廠這個(gè)籃子里”,。同年12月，他在鼓吹政府投資美國(guó)芯片制造商時(shí),，還表示“臺(tái)灣不是一個(gè)穩(wěn)定之處”,。

發(fā)表于：2024/10/31

世芯電子宣布成功流片2nm測(cè)試芯片

10月30日消息,，近日，高性能 ASIC 設(shè)計(jì)服務(wù)廠商世芯電子（Alchip）發(fā)布新聞稿稱,，它已經(jīng)成功流片了一款 2nm 測(cè)試芯片,，預(yù)計(jì)明年第一季度將公布結(jié)果。目前,，世芯正在與客戶積極合作開(kāi)發(fā)高性能 2nm ASIC,。

發(fā)表于：2024/10/31

西門子接近達(dá)成收購(gòu)工程軟件制造商Altair

發(fā)表于：2024/10/31

三星前員工涉嫌向韓國(guó)泄露國(guó)產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國(guó)警方逮捕

據(jù)多家媒體報(bào)道，韓國(guó)駐華大使館于10月28日表示,，一名50歲韓國(guó)男子A某因涉嫌“向韓國(guó)泄露中國(guó)半導(dǎo)體信息”,，被以“間諜罪”于去年12月被中國(guó)警方拘留。這是自去年 7 月中國(guó)修訂的《反間諜法》生效以來(lái),，第一起根據(jù)該法逮捕韓國(guó)人的案件,。報(bào)道稱，A某現(xiàn)居安徽省合肥市,，在當(dāng)?shù)匾患野雽?dǎo)體公司工作,，與妻子和兩個(gè)女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導(dǎo)體部門擔(dān)任離子注入技術(shù)員二十余年,，2016年開(kāi)始移居中國(guó),，加入了中國(guó)最大的DRAM內(nèi)存芯片制造商CXMT，當(dāng)時(shí)該公司首次招募了10 名韓國(guó)半導(dǎo)體專業(yè)人員,。隨后他在離開(kāi)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)后,，又相繼在另外兩家中國(guó)半導(dǎo)體公司任職。

發(fā)表于：2024/10/31

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模,，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍

　　中國(guó)北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布,，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開(kāi)始投產(chǎn),。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能,，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來(lái)的四倍,。

發(fā)表于：2024/10/31

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,，突破技術(shù)極限并提高能效

【2024年10月29日, 德國(guó)慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑,。

發(fā)表于：2024/10/30

消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出

10 月 29 日消息,，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400,，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM,。

發(fā)表于：2024/10/30

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓

10月29日消息,，據(jù)英飛凌官方消息，近日,，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展,，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發(fā)絲的四分之一,，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半,。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后,，再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑,。

發(fā)表于：2024/10/30

商務(wù)部回應(yīng)歐盟對(duì)華電動(dòng)汽車反補(bǔ)貼調(diào)查終裁

10 月 30 日消息，從商務(wù)部官網(wǎng)獲悉,，商務(wù)部新聞發(fā)言人就歐盟公布對(duì)華電動(dòng)汽車反補(bǔ)貼調(diào)查終裁結(jié)果答記者問(wèn),。

發(fā)表于：2024/10/30

消息稱臺(tái)積電擬收購(gòu)更多群創(chuàng)工廠擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝

據(jù)報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備公司的消息人士透露,，今年8月收購(gòu)了群創(chuàng)在南科的5.5代LCD面板廠的臺(tái)積電,，打算在其已收購(gòu)的工廠附近收購(gòu)更多的群創(chuàng)工廠。

發(fā)表于：2024/10/30

國(guó)產(chǎn)廠商的光芯片布局解析

" 人工智能需求促使高速光模塊需求量劇增,，光芯片供應(yīng)小于需求,，目前缺口較大。" 光瓴時(shí)代（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（下稱 " 光瓴時(shí)代 "）創(chuàng)始人張杰向財(cái)聯(lián)社記者表示道,。隨著 AI 服務(wù)器對(duì) 800G,、1.6T 等高速光模塊的需求增加，光模塊的重要零組件光芯片陷入緊缺,。

發(fā)表于：2024/10/29