国产成人剧情在线观看,极品少妇被弄得99精品欧美,av激情亚洲

EDA與制造相關(guān)文章

佳能宣布已向德克薩斯電子研究所出貨首臺(tái)納米壓印設(shè)備

佳能宣布已向德克薩斯電子研究所出貨首臺(tái)納米壓印設(shè)備

發(fā)表于：2024/9/27

Rapidus將獲250億日元資金支持其2027年量產(chǎn)2nm制程

Rapidus將獲250億日元資金支持其2027年量產(chǎn)2nm制程

發(fā)表于：2024/9/27

三星兩個(gè)半導(dǎo)體工廠被曝按下暫停鍵

三星韓美半導(dǎo)體工廠被曝按下暫停鍵

發(fā)表于：2024/9/27

新存科技發(fā)布國(guó)內(nèi)最大64Gb單芯片容量3D新型存儲(chǔ)器芯片NM101

新存科技發(fā)布國(guó)內(nèi)最大64Gb單芯片容量3D新型存儲(chǔ)器芯片NM101

發(fā)表于：2024/9/27

美光宣布今明兩年HBM產(chǎn)能已銷(xiāo)售一空

9月25日，存儲(chǔ)芯片大廠美光科技于美股盤(pán)后公布了截至自然年2024年8月29日的2024財(cái)年第四財(cái)季財(cái)報(bào)，同時(shí)披露了2025財(cái)年第一財(cái)季業(yè)績(jī)指引。由于整體業(yè)績(jī)及指引均超預(yù)期，推動(dòng)美光盤(pán)后股價(jià)上漲超過(guò)10%,。截至當(dāng)?shù)貢r(shí)間26日美股收盤(pán)，美光股價(jià)大漲14.73%,。營(yíng)收同比暴漲93.3% 得益于存儲(chǔ)需求回暖以及存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,，美光第四財(cái)季度營(yíng)收為77.5億美元，同比暴漲93.3%,，高于分析師預(yù)期76.6億美元,，符合公司此前給出的74億至78億美元指引,。

發(fā)表于：2024/9/27

新思科技和臺(tái)積電為萬(wàn)億晶體管AI和多芯粒芯片設(shè)計(jì)鋪平了道路

9月25日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠新思科技（Synopsys）宣布與晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電持續(xù)密切合作,，基于臺(tái)積電最先進(jìn)的工藝和 3DFabric 技術(shù),，提供了先進(jìn)的 EDA 和 IP 解決方案，以加速 AI 和多芯粒設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,。AI 應(yīng)用中無(wú)休止的計(jì)算需求要求半導(dǎo)體技術(shù)跟上步伐,。從行業(yè)領(lǐng)先的 AI 驅(qū)動(dòng)型 EDA 套件（由 Synopsys.ai? 提供支持以提高生產(chǎn)力和芯片結(jié)果），到促進(jìn)向 2.5/3D 多芯粒架構(gòu)遷移的完整解決方案,，新思科技和臺(tái)積電幾十年來(lái)一直密切合作,，為未來(lái)十億到萬(wàn)億晶體管的 AI 芯片設(shè)計(jì)鋪平了道路。

發(fā)表于：2024/9/27

SK海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn)12層HBM3E芯片

9 月 26 日消息,，SK 海力士今日宣布,，公司全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量,；公司將在年內(nèi)向客戶(hù)提供此次產(chǎn)品,。

發(fā)表于：2024/9/26

三星電子代工業(yè)務(wù)遇困局不斷

三星電子代工業(yè)務(wù)遇困局：成熟制程水平落后、先進(jìn)制程難獲訂單

發(fā)表于：2024/9/26

美國(guó)敲定芯片法案法案首份商業(yè)制造設(shè)施補(bǔ)貼

美國(guó)敲定芯片法案法案首份商業(yè)制造設(shè)施補(bǔ)貼,，高壓半導(dǎo)體企業(yè)Polar獲1.23億美元

發(fā)表于：2024/9/26

英特爾首款18A芯片正式亮相

9月25日消息,，據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，處理器大廠英特爾于上周在俄勒岡州波特蘭市舉行的 Enterprise Tech Tour 活動(dòng)中,，首次展示了其代號(hào)為Clearwater Forest的Xeon芯片,，這也是英特爾首款最新的Intel 18A制程芯片，不過(guò)該芯片可能需要等到明年下半年才能上市,。

發(fā)表于：2024/9/26

英偉達(dá)Blackwell GPU已開(kāi)始量產(chǎn)

英偉達(dá)Blackwell GPU已開(kāi)始量產(chǎn),，預(yù)計(jì)四季度將創(chuàng)造100億美元營(yíng)收

發(fā)表于：2024/9/26

消息稱(chēng)NAND閃存芯片制造商鎧俠取消10月IPO計(jì)劃

消息稱(chēng) NAND 閃存芯片制造商鎧俠取消在 10 月進(jìn)行 IPO 的計(jì)劃

發(fā)表于：2024/9/25

中國(guó)存儲(chǔ)模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮

中國(guó)存儲(chǔ)模組制造商涌現(xiàn)大批拋貨潮

發(fā)表于：2024/9/25

臺(tái)積電高雄2nm晶圓廠即將完工

臺(tái)積電高雄2nm晶圓廠即將完工，預(yù)計(jì)12月開(kāi)始裝機(jī)

發(fā)表于：2024/9/25

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造3D NAND芯片

9月20日消息,，據(jù)媒體報(bào)道,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部分美系設(shè)備,。長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層,，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比,，也具有極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備,、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備,，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，成功制造出3D NAND閃存芯片,。

發(fā)表于：2024/9/24