2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設(shè)計(jì)
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： 低噪聲放大器
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文檔介紹： 利用pHEMT工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計(jì)中采用了具有低噪聲,、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF-54143晶體管,，電路采用二級(jí)級(jí)聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實(shí)現(xiàn)輸入輸出和級(jí)間匹配,，通過(guò)ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對(duì)電路增益,、噪聲系數(shù)、駐波比,、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計(jì),，最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB,，輸出電壓駐波比小于2,，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。
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