絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的基本特性與驅(qū)動(dòng)
所屬分類：解決方案
上傳者：hbcxzcj
文檔大?。?span>393 K
標(biāo)簽： IGBT 晶體管
所需積分：0分積分不夠怎么辦,？
文檔介紹：摘要：IGBT 的全 稱是Insulate Gate Bipolar Transistor,，即絕緣柵雙極晶體管。它兼具M(jìn)OSFET和GTR的多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn),，極大的擴(kuò)展了半導(dǎo)體器件的功率應(yīng)用領(lǐng)域,。例如將之應(yīng)用于變頻空調(diào)逆變電路當(dāng)中，顯著地改善了空調(diào)的性能,。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
現(xiàn)在下載
VIP會(huì)員,，AET專家下載不扣分,；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分,。