大功率IGBT器件內(nèi)部載流子控制方法綜述 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大小:703 K | |
標(biāo)簽: 絕緣柵雙極晶體管 載流子控制方法 器件性能 | |
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文檔介紹:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的內(nèi)部載流子控制方法對(duì)器件的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降,、關(guān)斷損耗、SOA,、熱可靠性和瞬態(tài)穩(wěn)定性等器件性能至關(guān)重要,。已經(jīng)報(bào)道的許多載流子控制方法都側(cè)重于發(fā)射極(或陰極)、集電極(或陽極)和漂移區(qū)的設(shè)計(jì),。重點(diǎn)介紹了當(dāng)前和未來幾代IGBT的載流子控制方法,。回顧發(fā)射極,、集電極和漂移區(qū)的設(shè)計(jì)如何影響正向壓降和關(guān)斷能量損耗之間的權(quán)衡,。最后,總結(jié)展望未來大功率IGBT器件內(nèi)部載流子控制方法的發(fā)展趨勢(shì),。 | |
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