Flash存儲器單粒子效應(yīng)測試研究綜述
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>561 K
標(biāo)簽： Flash存儲器 單粒子效應(yīng) 測試方法
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文檔介紹：隨著Flash存儲器在航天系統(tǒng)中的大量應(yīng)用,，其單粒子效應(yīng)評價(jià)至關(guān)重要,。首先綜述了Flash存儲器單粒子效應(yīng)研究進(jìn)展,，總結(jié)出在重離子輻照實(shí)驗(yàn)中常見單粒子效應(yīng)及其故障原因，包括由存儲單元故障和外圍電路故障造成的單粒子翻轉(zhuǎn),、單粒子功能中斷和單粒子閉鎖,。隨后，歸納出常見單粒子效應(yīng)的測試區(qū)分方法,、測試算法和測試流程,，為相關(guān)測試實(shí)驗(yàn)研究提供參考。
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