X波段功率器件外殼端口仿真與測(cè)試差異性研究
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>1005 K
標(biāo)簽： 探針測(cè)試 X波段 大功率封裝外殼
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文檔介紹：基于探針測(cè)試方法進(jìn)行X波段功率器件外殼端口的仿真與測(cè)試差異性研究。在使用仿真軟件對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化后,通過HTCC(高溫共燒陶瓷)工藝線制備和生產(chǎn),，發(fā)現(xiàn)使用GSG探針對(duì)該端口進(jìn)行測(cè)試后的插入損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于仿真結(jié)果,。通過對(duì)照實(shí)驗(yàn)和仿真驗(yàn)證等實(shí)驗(yàn)方法,，分析出插入損耗仿真與測(cè)試的差異來源于輻射損耗，導(dǎo)致信號(hào)在返回路徑的信號(hào)完整性受到影響,。對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行相應(yīng)的優(yōu)化后插入損耗大幅減小,，證明輻射損耗是造成差距的原因，通過電磁屏蔽可以得到有效解決,。該研究可以為大功率器件類封裝外殼的設(shè)計(jì),、測(cè)試和使用提供借鑒意義。
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