基于HITOC DK與3DIC Integrity的3DIC芯片物理設計 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大?。?span>832 K | |
標簽: 3D異構(gòu)集成 邏輯堆疊邏輯 Hybrid Bonding | |
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文檔介紹:使用了Cadence 3DIC Integrity工具,,并結(jié)合芯盟特有的HITOC(Heterogeneous Integration Technology On Chip) Design Kit,,進行了3DIC(3D異構(gòu)集成)邏輯堆疊邏輯類型芯片的后端實現(xiàn),。項目中對于Cadence 3DIC Integrity工具中的proto seeds(即最小分布單元)進行了拆分,、分布,、定義等方面的研究優(yōu)化,;并且對于頂層電源規(guī)劃與Hybrid Bonding bump間的布線排列進行了算法優(yōu)化,,在不影響電源網(wǎng)絡強壯性的情況下盡可能多地獲得Hybrid Bonding bump數(shù)量,,從而增加了top die與bottom die間的端口數(shù)。最終結(jié)果顯示,,在與傳統(tǒng)2D芯片實現(xiàn)的PPA(性能,、功耗、面積)對比中,,本實驗獲得了頻率提升12%,、面積減少11.2%、功耗減少2.5%的收益,。 | |
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