基于Liberate+Tempus的先進(jìn)老化時序分析方案 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大?。?span>766 K | |
標(biāo)簽: 芯片老化 靜態(tài)時序分析 Tempus | |
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文檔介紹:在先進(jìn)工藝節(jié)點(7 nm,,5 nm及以下)下,,電路老化已經(jīng)成為制約芯片性能和可靠性的“卡脖子”難題。老化效應(yīng)將導(dǎo)致器件延時增大,,進(jìn)而產(chǎn)生時序違例的風(fēng)險,。數(shù)字電路設(shè)計工程師需要在時序分析中預(yù)判老化后的時序情況,并針對性地設(shè)置時序裕量,,才能確保芯片在服役期限中可靠地運行,。鑒于此,導(dǎo)入基于Liberate+Tempus的考慮老化效應(yīng)的靜態(tài)時序分析(aging-aware STA)方案,。評估結(jié)果顯示,,該方案能在兼顧效率、準(zhǔn)確性,、多樣場景老化時序分析的同時實現(xiàn)時序裕量釋放,,為達(dá)成具備更高可靠性和更佳性能的先進(jìn)芯片設(shè)計提供有力依據(jù)。 | |
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