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DRAM漲價成為投資動力 美光聯(lián)手華亞科求自保
發(fā)表于：2017/3/8 6:00:00
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三星18nm工藝DRAM芯片惹禍了
發(fā)表于：2017/3/7 6:00:00
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DRAM供不應求加劇 下季漲幅將超預期
發(fā)表于：2017/3/6 6:00:00
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回顧DRAM產(chǎn)業(yè)史：DRAM市場已邁入多元化發(fā)展
發(fā)表于：2017/3/3 6:00:00
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中國12寸晶圓廠大爆發(fā) FinFET與FD-SOI兩大陣營如何站隊
發(fā)表于：2017/2/20 5:00:00
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2016年Q4季全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)值達55.05億美元 季增20%
發(fā)表于：2017/2/19 5:00:00
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紫光挖腳晨星楊偉毅出任長江存儲CTO
發(fā)表于：2017/2/17 5:00:00
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國內(nèi)存儲器項目建設火熱
發(fā)表于：2017/2/8 6:00:00
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我國為何把3D NAND作為入局半導體的最佳切入點,？
發(fā)表于：2017/1/13 21:38:00
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未來五年存儲器成長力道強勁
發(fā)表于：2017/1/11 5:00:00
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內(nèi)存市場前景旺 未來 5 年年均增長達 7.3%
發(fā)表于：2017/1/10 6:00:00
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DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄
發(fā)表于：2017/1/6 6:00:00
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三星電子是如何確立今天的地位的
發(fā)表于：2017/1/4 5:00:00
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DRAM搭載量跳增 南亞科華邦電受惠最大
發(fā)表于：2016/12/30 5:00:00
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三星電子存儲器發(fā)展啟示，中國存儲器產(chǎn)業(yè)能借鑒多少,？
發(fā)表于：2016/12/29 9:28:00
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剖析三星電子在存儲器領域成功的原因
發(fā)表于：2016/12/29 5:00:00
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2016中國半導體商界八大熱門人物都做了什么
發(fā)表于：2016/12/28 6:00:00
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DRAM向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
發(fā)表于：2016/12/27 5:00:00
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2017存儲“芯”發(fā)展 DRAM與NAND將持續(xù)漲價
發(fā)表于：2016/12/24 5:00:00
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
發(fā)表于：2016/12/23 6:00:00
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三星將為新一代iPhone大量供應零部件
發(fā)表于：2016/12/19 6:00:00
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卸下華亞科董事長頭銜當天 李培瑛談美光和華亞科的合作細節(jié)
發(fā)表于：2016/12/17 5:00:00
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供貨日俱吃緊價格水漲船高 今年的存儲器市場發(fā)生了什么？
發(fā)表于：2016/12/17 5:00:00
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2017 年DRAM價格將持續(xù)攀高
發(fā)表于：2016/12/15 13:21:00
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下一代革命性儲存技術 儲存級存儲器(SCM)
發(fā)表于：2016/12/12 9:49:00
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第三季移動DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%
發(fā)表于：2016/11/28 9:14:00
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第三季全球DRAM總體營收成長約15.8%
發(fā)表于：2016/11/25 9:15:00
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陳賢：中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不會對世界構(gòu)成威脅
發(fā)表于：2016/11/23 15:52:00
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兆易創(chuàng)芯即將與ISSI整并成國產(chǎn)DRAM新?lián)?/a>
發(fā)表于：2016/11/21 9:15:00
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臺積電將于2017年率先發(fā)布7nm FinFET技術
發(fā)表于：2016/11/16 9:10:00
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