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Vishay Siliconix的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
發(fā)表于：2011/8/17 15:41:22
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提供低損耗大功率的MOSFET
發(fā)表于：2011/8/14 0:00:00
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根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧
發(fā)表于：2011/8/14 0:00:00
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MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
發(fā)表于：2011/8/13 0:00:00
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Vishay將于8月23日和25日在成都和西安兩地分別舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)
發(fā)表于：2011/8/12 10:40:53
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求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法
發(fā)表于：2011/8/11 0:00:00
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高可靠交流-直流LED照明驅(qū)動(dòng)方案
發(fā)表于：2011/8/9 0:00:00
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非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
發(fā)表于：2011/8/5 0:00:00
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德州儀器最新 50 mA、60 V 同步降壓轉(zhuǎn)換器可簡(jiǎn)化工業(yè)電源設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2011/8/4 15:20:59
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1A,、低噪聲、同步降壓-升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可延長(zhǎng)鋰離子和堿性電池供電設(shè)備的電池運(yùn)行時(shí)間
發(fā)表于：2011/8/4 13:11:40
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功率器件更加智能,，高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展
發(fā)表于：2011/8/3 0:00:00
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德州儀器 PowerStack 封裝技術(shù)投入量產(chǎn)
發(fā)表于：2011/8/2 9:05:48
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
發(fā)表于：2011/7/27 17:13:38
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IR 推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2011/7/26 12:44:05
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
發(fā)表于：2011/7/25 0:00:00
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奧地利微電子推出用于側(cè)光式和直下式LCD電視的第三代LED驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于：2011/7/20 13:31:10
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IR為低功率應(yīng)用推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs擴(kuò)展了PQFN封裝系列
發(fā)表于：2011/7/20 13:16:20
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寬輸入電壓范圍降壓型 DC/DC 控制器具 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍
發(fā)表于：2011/7/14 11:31:10
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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)
發(fā)表于：2011/7/14 0:00:00
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IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET,，可為重載應(yīng)用提供低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：2011/7/11 15:23:04
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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
發(fā)表于：2011/7/11 0:00:00
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
發(fā)表于：2011/7/11 0:00:00
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一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
發(fā)表于：2011/6/27 0:00:00
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Diodes 全新 MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗
發(fā)表于：2011/6/23 12:37:13
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同步降壓功率級(jí)中MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：2011/6/22 0:00:00
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說出你的故事：中國(guó)IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例
發(fā)表于：2011/6/21 13:19:36
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IGBT系統(tǒng)的介紹
發(fā)表于：2011/6/19 0:00:00
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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET為低功率應(yīng)用擴(kuò)展封裝組合
發(fā)表于：2011/6/15 14:53:29
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飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET器件滿足電源設(shè)計(jì)人員的高功率密度和易于設(shè)計(jì)要求
發(fā)表于：2011/6/14 12:51:33
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：2011/6/14 0:00:00
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