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Vishay Siliconix的新款N溝道功率MOSFET再次刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
發(fā)表于：2011/3/31 17:01:05
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關(guān)于設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五點(diǎn)忠告
發(fā)表于：2011/3/31 0:00:00
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變流器的核心器件MOSFET和IGBT
發(fā)表于：2011/3/30 0:00:00
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Vishay接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器和功率MOSFET榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)
發(fā)表于：2011/3/28 16:27:36
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大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計(jì)算
發(fā)表于：2011/3/25 0:00:00
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Diodes高電流閘驅(qū)動(dòng)器將開(kāi)關(guān)損耗減至最低
發(fā)表于：2011/3/24 18:39:18
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再創(chuàng)功耗新低、瑞薩電子新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品
發(fā)表于：2011/3/21 16:47:39
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安森美半導(dǎo)體完全自保護(hù)MOSFET功率器件
發(fā)表于：2011/3/21 0:00:00
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雙理想二極管及熱插拔控制器節(jié)省了功率和電路板面積
發(fā)表于：2011/3/15 17:57:45
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Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)內(nèi)最低外形和最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET
發(fā)表于：2011/3/14 14:25:19
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Vishay將在ePChina 2011展示業(yè)界領(lǐng)先的最新技術(shù)
發(fā)表于：2011/3/11 18:15:47
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擁有通道間的電流平衡以提高功率和可靠性的雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器
發(fā)表于：2011/3/10 16:29:07
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出業(yè)界首款內(nèi)置MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的全橋PWM控制器
發(fā)表于：2011/3/9 9:14:09
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包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型
發(fā)表于：2011/3/9 0:00:00
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IR針對(duì)需要高效率和密度的大電流應(yīng)用推出iP1837和iP1827緊湊靈活型單輸入電壓DC-DC穩(wěn)壓器
發(fā)表于：2011/3/7 17:44:16
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功耗與速度的矛盾
發(fā)表于：2011/3/3 0:00:00
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Vishay Siliconix的雙芯片P溝道器件刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
發(fā)表于：2011/3/2 9:35:34
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LED恒流驅(qū)動(dòng)器件MOSFET選擇
發(fā)表于：2011/3/1 0:00:00
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飛兆半導(dǎo)體同步整流控制器兼容反激式和正激拓?fù)?，兼具多種工作模式
發(fā)表于：2011/2/22 13:20:12
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IR為節(jié)能計(jì)算和消費(fèi)應(yīng)用推出可擴(kuò)展的簡(jiǎn)單易用多功能SupIRBuck系列
發(fā)表于：2011/2/22 13:16:12
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100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
發(fā)表于：2011/2/18 11:16:23
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英飛凌面向硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的新一代650V超結(jié)器件
發(fā)表于：2011/2/16 0:00:00
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IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列,，可將DC-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用效率提升2%
發(fā)表于：2011/2/15 15:06:01
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Diodes推出線(xiàn)性恒流驅(qū)動(dòng)器為L(zhǎng)ED應(yīng)用提供全方位控制
發(fā)表于：2011/2/14 18:06:05
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Maxim推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的2A同步整流、降壓調(diào)節(jié)器
發(fā)表于：2011/2/14 17:37:40
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英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線(xiàn),，全面致力于提升能效
發(fā)表于：2011/2/14 15:38:24
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開(kāi)關(guān)損耗
發(fā)表于：2011/2/14 0:00:00
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功率因數(shù)校正器(PFC)在電源應(yīng)用中的重要作用
發(fā)表于：2011/2/10 0:00:00
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Maxim推出1V至16V熱插拔控制器
發(fā)表于：2011/2/1 0:00:00
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Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：2011/1/26 19:05:41
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