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東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET
發(fā)表于：2023/6/14 21:41:00
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意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管,，優(yōu)值系數(shù)提高 40%
發(fā)表于：2023/6/6 13:59:05
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東芝推出具有更低導(dǎo)通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET,，適用于快充設(shè)備
發(fā)表于：2023/5/18 23:50:47
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英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,，改進(jìn)導(dǎo)通電阻,、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性
發(fā)表于：2023/5/15 7:56:15
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Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊,，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
發(fā)表于：2023/5/11 10:46:27
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使用集成MOSFET限制電流的簡單方法
發(fā)表于：2023/4/20 17:36:00
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適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計入門
發(fā)表于：2023/4/19 18:06:00
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
發(fā)表于：2023/4/14 21:53:53
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東芝的新款150V N溝道功率MOSFET
發(fā)表于：2023/3/30 16:54:17
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Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%
發(fā)表于：2023/3/22 10:52:47
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碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎,？
發(fā)表于：2023/3/16 21:27:12
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計劃擴(kuò)張產(chǎn)能25倍,，羅姆積極布局迎接SiC時代
發(fā)表于：2023/3/14 16:36:00
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入門：功率模塊和功率IC如何區(qū)分
發(fā)表于：2023/2/27 20:12:17
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一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC: 更堅固,、更快速,、溫控頂尖的“實力派”碳化硅功率器件
發(fā)表于：2023/2/26 20:25:07
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Vishay推出的新款對稱雙通道MOSFET可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡化設(shè)計
發(fā)表于：2023/1/30 22:29:00
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教程：三極管典型的放大應(yīng)用電路分析(一)
發(fā)表于：2023/1/28 0:39:25
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入門：MOSFET放大器的概念,、工作過程及類型
發(fā)表于：2022/12/31 23:58:40
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羅姆依托自研“TDACC?”技術(shù)，打造安全型智能功率器件
發(fā)表于：2022/12/25 17:21:39
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET),，SOA性能翻倍
發(fā)表于：2022/11/18 16:27:00
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一輛車到底需要多少芯片？
發(fā)表于：2022/10/1 20:39:45
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入門：通過并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率
發(fā)表于：2022/9/12 16:24:31
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電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT
發(fā)表于：2022/9/12 16:06:19
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士蘭微2022年上半年凈利潤同比增長39.12%,，主要在MOSFET,、IGBT 大功率模塊（PIM）
發(fā)表于：2022/8/25 16:56:09
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Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
發(fā)表于：2022/7/27 9:11:40
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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
發(fā)表于：2022/7/6 15:47:00
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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET
發(fā)表于：2022/6/28 18:01:52
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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
發(fā)表于：2022/5/25 22:32:17
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Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
發(fā)表于：2022/5/12 16:32:53
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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率
發(fā)表于：2022/4/3 6:46:00
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
發(fā)表于：2022/3/24 16:40:25
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