據(jù)韓國專業(yè)電子行業(yè)媒體etnews報道,， SK Hynix已開始在其總部DRAM工廠建造一條采用EUV光刻技術(shù)的先進生產(chǎn)線,。據(jù)悉,，該公司正在轉(zhuǎn)讓現(xiàn)有的生產(chǎn)設備，并安裝新的設備,，如EUV光刻系統(tǒng)和清潔車,。

　　SK Hynix的總部和工廠（韓國京畿道里川市）全景（來源：SK Hynix）

該報稱，除了升級M14晶圓廠的設備外,，還將在即將啟用新晶圓廠的M16晶圓廠安裝ASML EUV光刻系統(tǒng),，由于應用EUV光刻技術(shù)的晶圓是M14和M16，SK Hynix將同時為M14和M16做準備,。雖然EUV光刻設備本身將安裝在M16,，但在EUV上光刻生產(chǎn)的DRAM相信會通過晶圓廠之間的晶圓傳輸路徑在M14生產(chǎn)。 半導體人士解釋,，這種新舊兩條線的準備方法是公司風險對策的一部分,。

　　該公司表示：“的確，我們正在為使用EUV的DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)做準備,，但目前還沒有宣布具體的生產(chǎn)計劃,。”

　　2020年8月,，DRAM競爭對手三星電子宣布在平澤工廠新建的第二座生產(chǎn)線（2號線）開始生產(chǎn)16 Gbit LPDDR5移動DRAM,。可以說是SK海力士遵循的形式,。

　　由于NAND的3D轉(zhuǎn)換,，該過程的微型化已停止,，但是由于DRAM尚未轉(zhuǎn)換為3D，因此該過程的微型化是漸進的,，但仍在繼續(xù)。我們已經(jīng)在10nm范圍內(nèi)研究1X-nm,，1Y-nm和1Z-nm的工藝,，并且我們相信EUV將在1Z-nm和1A（α）-nm或更晚的世代之后應用。

　　順帶一提,，之前三星已將EUV應用于1Z-nm DRAM,，但SK海力士將從2021年起將EUV應用于1A-nm DRAM，而非1Z-nm,，并將于2022年將EUV應用于1B（β）-nm,，即第五代10nm DRAM。