據(jù)韓國專業(yè)電子行業(yè)媒體etnews報道,， SK Hynix已開始在其總部DRAM工廠建造一條采用EUV光刻技術(shù)的先進生產(chǎn)線。據(jù)悉,，該公司正在轉(zhuǎn)讓現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備,，并安裝新的設(shè)備,，如EUV光刻系統(tǒng)和清潔車。

　　SK Hynix的總部和工廠（韓國京畿道里川市）全景（來源：SK Hynix）

該報稱,，除了升級M14晶圓廠的設(shè)備外,，還將在即將啟用新晶圓廠的M16晶圓廠安裝ASML EUV光刻系統(tǒng)，由于應(yīng)用EUV光刻技術(shù)的晶圓是M14和M16,，SK Hynix將同時為M14和M16做準(zhǔn)備,。雖然EUV光刻設(shè)備本身將安裝在M16，但在EUV上光刻生產(chǎn)的DRAM相信會通過晶圓廠之間的晶圓傳輸路徑在M14生產(chǎn),。 半導(dǎo)體人士解釋,，這種新舊兩條線的準(zhǔn)備方法是公司風(fēng)險對策的一部分。

　　該公司表示：“的確,，我們正在為使用EUV的DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)做準(zhǔn)備,，但目前還沒有宣布具體的生產(chǎn)計劃?！?/p>

　　2020年8月,，DRAM競爭對手三星電子宣布在平澤工廠新建的第二座生產(chǎn)線（2號線）開始生產(chǎn)16 Gbit LPDDR5移動DRAM?？梢哉f是SK海力士遵循的形式,。

　　由于NAND的3D轉(zhuǎn)換，該過程的微型化已停止,，但是由于DRAM尚未轉(zhuǎn)換為3D,，因此該過程的微型化是漸進的，但仍在繼續(xù),。我們已經(jīng)在10nm范圍內(nèi)研究1X-nm,，1Y-nm和1Z-nm的工藝，并且我們相信EUV將在1Z-nm和1A（α）-nm或更晚的世代之后應(yīng)用,。

　　順帶一提,，之前三星已將EUV應(yīng)用于1Z-nm DRAM，但SK海力士將從2021年起將EUV應(yīng)用于1A-nm DRAM,，而非1Z-nm,，并將于2022年將EUV應(yīng)用于1B（β）-nm，即第五代10nm DRAM,。