EDA與制造-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

EDA與制造相關(guān)文章

環(huán)球晶圓獲4.06億美元芯片法案補貼

12月17日，美國拜登政府宣布，美國商務(wù)部根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》激勵計劃，將向半導(dǎo)體硅片大廠環(huán)球晶圓（GlobalWafers）美國子公司——GlobalWafers America, LLC (GWA) 和 MEMC LLC (MEMC)發(fā)放了高達 4.06 億美元的直接資金激勵。這些激勵是在 2024 年 7 月 17 日宣布的先前簽署的初步條款備忘錄以及該部門完成盡職調(diào)查之后頒發(fā)的。美國商務(wù)部將根據(jù) GWA 和 MEMC 的項目里程碑完成情況支付資金。

發(fā)表于：12/18/2024

云道智造攜新一代仿真軟件走進無錫

為推動我國工業(yè)軟件高質(zhì)量發(fā)展和規(guī)模化應(yīng)用，搭建工業(yè)軟件企業(yè)與制造業(yè)企業(yè)溝通合作的橋梁，12月13日，中國電子信息行業(yè)聯(lián)合會工業(yè)軟件分會組織開展了“走進無錫”活動。電子聯(lián)合會常務(wù)副會長周子學(xué)率領(lǐng)多家工業(yè)軟件企業(yè)代表，調(diào)研了無錫信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。作為分會的副理事長單位，北京云道智造科技有限公司隨團參與了此次調(diào)研

發(fā)表于：12/17/2024

基于系統(tǒng)級封裝技術(shù)的X頻段變頻模塊研制

研制了一款利用系統(tǒng)級封裝技術(shù)（SIP）的小體積X頻段雙通道收發(fā)變頻模塊，在其內(nèi)部集成了采用不同工藝制成的器件。模塊把發(fā)射通道和接收通道集成到一個腔體中，并實現(xiàn)收發(fā)分時控制。模塊采用上下雙腔結(jié)構(gòu)，不同腔體之間采用BGA球柵陣列進行垂直連接，顯著減小模塊體積，模塊體積為21 mm×16 mm×3.8 mm。模塊主要指標測試結(jié)果為：接收通道輸入P-1dB ≤-10 dBm，接收信號增益30～35 dB，接收通道隔離度大于等于55 dB，接收噪聲系數(shù)小于等于8 dB；發(fā)射通道增益10～12 dB，發(fā)射通道最大輸出功率大于等于12 dBm，二次三次諧波抑制大于等于60 dBc，雜波抑制大于等于55 dBc，模塊可在-55～+85 ℃正常工作。實測結(jié)果與仿真結(jié)果基本一致。

發(fā)表于：12/17/2024

馬斯克透露特斯拉未來的重心是Optimus人形機器人

12 月 17 日消息，據(jù)中國臺灣媒體工商時報報道，特斯拉 CEO 埃隆?馬斯克上周在美國會見了臺積電董事長魏哲家。會面中，馬斯克強調(diào)了臺積電為特斯拉提供足夠產(chǎn)能以生產(chǎn)其自主研發(fā)的 Dojo芯片的重要性，該芯片將使用臺積電的 5nm 工藝制造并采用 InFO-SoW 先進封裝。

發(fā)表于：12/17/2024

三星Exynos處理器或?qū)⒔挥膳_積電代工

12月16日消息，據(jù)韓國媒體Thebell的報道，處于困境當中的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，由于尖端制程的良率過低，可能將導(dǎo)致其系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)（System LSI）部門自研的Exynos 2500旗艦手機芯片將無緣于新一代的Galaxy S25系列器件智能手機。為了解決這一困境，未來部分Exynos處理器可能將會外包生產(chǎn)，臺積電可能將是首選。

發(fā)表于：12/17/2024

聯(lián)電成功拿下高通HPC芯片先進封裝訂單

12月17日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》消息，近期聯(lián)電成功奪下高通高性能計算（HPC）產(chǎn)品的先進封裝大單，預(yù)計將應(yīng)用在AI PC、車用，以及現(xiàn)在正熱的AI服務(wù)器市場，甚至包括高帶寬內(nèi)存（HBM）整合。這也打破了先進封裝代工市場由臺積電、英特爾、三星等少數(shù)廠商壟斷的態(tài)勢。

發(fā)表于：12/17/2024

2025年晶圓代工走勢前瞻

晶圓代工持續(xù)看漲，2025走勢前瞻

發(fā)表于：12/17/2024

德國批準臺積電德國晶圓廠項目融資

德國經(jīng)濟部宣布，由德國政府、臺積電、博世、英飛凌、恩智浦共同出資的ESMC德累斯頓晶圓廠項目融資正式獲批啟動。德國經(jīng)濟部已同四家企業(yè)就該項目簽署了合同協(xié)議。

發(fā)表于：12/17/2024

臺積電首座日本晶圓廠即將于今年底前開始大規(guī)模生產(chǎn)

12 月 14 日消息，臺積電的日本子公司日本先進半導(dǎo)體制造公司總裁堀田祐一對日經(jīng)新聞表示，臺積電位于熊本縣的第一家日本工廠即將于今年底前開始大規(guī)模生產(chǎn)。他還表示，臺積電計劃于 2027 年在熊本投產(chǎn)第二家工廠。“我們目前正在準備地塊，建設(shè)將于 1 月至 3 月季度開始。”

發(fā)表于：12/16/2024

博世獲2.25億美元芯片法案補貼

博世獲2.25億美元芯片法案補貼，以支持其加州碳化硅工廠擴建

發(fā)表于：12/16/2024

OKI推出全新PCB設(shè)計方案

12月16日消息，日本沖電氣工業(yè)株式會社（OKI Circuit Technology）近日宣布推出一種新的印刷電路板（PCB）設(shè)計，可將組件散熱性能提高 55 倍。這種特殊的創(chuàng)新，即在 PCB 上裝滿了階梯狀的圓形或矩形“銅幣”，可以進入即使是最好的風(fēng)冷散熱器也難以拿下的市場，例如微型設(shè)備或外太空應(yīng)用。

發(fā)表于：12/16/2024

IDC發(fā)布2025年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢預(yù)測

2025年半導(dǎo)體市場將實現(xiàn)15%增長。根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司（IDC）“全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈追蹤情報” 的最新研究表明，鑒于 2025 年全球人工智能（AI）與高性能運算（HPC）需求不斷攀升，從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，各個主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級的趨勢，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象。 IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示：“在人工智能持續(xù)推動高階邏輯制程芯片需求，以及高價高帶寬內(nèi)存（HBM）滲透率提升的推動下，預(yù)計 2025 年整個半導(dǎo)體市場的規(guī)模將增長超過 15%。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、先進封裝等產(chǎn)業(yè)，通過上下游之間的橫向與縱向合作，將會共同創(chuàng)造新一輪的增長機遇。”

發(fā)表于：12/16/2024

臺積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標

12月15日消息，IEDM 2024大會上，臺積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標：對比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。

發(fā)表于：12/16/2024

Rapidus與Synopsys和Cadence簽署2nm合作協(xié)議

12月12日消息，日本晶圓代工大廠Rapidus近日宣布，其已與EDA大廠Synopsys 和 Cadence Design Systems 簽署了合作協(xié)議，后者將為其 2nm 代工業(yè)務(wù)提供EDA設(shè)計工具，并獲取 AI 制造數(shù)據(jù)。Synopsys將有權(quán)訪問Rapdius的人工智能工具制造數(shù)據(jù)，而Cadence將提供針對背面電源傳輸進行優(yōu)化的內(nèi)存和接口IP。

發(fā)表于：12/13/2024

臺積電美國廠制造成本比中國臺灣高出30%

12月13日消息，晶圓代工大廠臺積電亞利桑那州晶圓廠一期工程即將于2025年初量產(chǎn)4nm，而根據(jù)麥格理銀行的最新研究顯示，臺積電亞利桑那州的晶圓廠的制造成本可能將比中國臺灣工廠高出30%。

發(fā)表于：12/13/2024