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意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出18nm FD-SOI工藝

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出 18nm FD-SOI 工藝,，支持嵌入式 PCM

發(fā)表于：2024/3/22

中國(guó)已連續(xù)8年成為世界最大工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng) 遠(yuǎn)超預(yù)期

根據(jù)美國(guó)研究機(jī)構(gòu)ITIF 3月最新分析,，雖然美國(guó)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新享有盛譽(yù),，但在機(jī)器人創(chuàng)新方面，中國(guó)企業(yè)成為領(lǐng)先者只是時(shí)間問題,。近年來在推動(dòng)工廠數(shù)字化,、智慧化之下,，中國(guó)已連續(xù)8年成為全球最大的工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)。ITIF統(tǒng)計(jì),，中國(guó)目前機(jī)器人的應(yīng)用比例是此前業(yè)內(nèi)專家預(yù)測(cè)的12.5倍,。 ITIF分析全球機(jī)器人創(chuàng)新數(shù)據(jù)，如科學(xué)論文和專利,，并對(duì)四大中國(guó)機(jī)器人公司進(jìn)行研究,，同時(shí)與中國(guó)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)全球?qū)＜疫M(jìn)行訪談和會(huì)議。最終得出結(jié)論：中國(guó)當(dāng)前尚未成為機(jī)器人創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者,，但其在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)和應(yīng)用正在快速增長(zhǎng),，中國(guó)政府也將發(fā)展機(jī)器人作為優(yōu)先事項(xiàng)。因此,，中國(guó)機(jī)器人公司達(dá)到世界領(lǐng)先地位可能只是時(shí)間問題,。

發(fā)表于：2024/3/22

國(guó)產(chǎn)磁流體拋光機(jī)亮相,，超精密光學(xué)加工不再被“卡脖子”

國(guó)產(chǎn)磁流體拋光機(jī)亮相，超精密光學(xué)加工不再被“卡脖子”

發(fā)表于：2024/3/22

新思科技攜手英偉達(dá)釋放下一代EDA潛能

加利福尼亞州桑尼維爾,，2024年3月20日 – 新思科技（Synopsys, Inc.,，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布與英偉達(dá)（NVIDIA）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，借助人工智能和加速計(jì)算技術(shù)大幅提升芯片設(shè)計(jì)效率，加速汽車原型創(chuàng)新,。雙方已合作三十余載,，此次合作在英偉達(dá)全球GTC人工智能大會(huì)上正式宣布。新思科技全球總裁兼首席執(zhí)行官Sassine Ghazi表示：“新思科技長(zhǎng)期致力于以全球領(lǐng)先的技術(shù)助力開發(fā)團(tuán)隊(duì)攻克各種前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn),。如今,，我們將利用人工智能和加速計(jì)算等先進(jìn)技術(shù)，將這一目標(biāo)和承諾提升到一個(gè)全新高度,。在英偉達(dá)GH200 Grace Hopper?超級(jí)芯片的加持下,，新思科技EDA全套技術(shù)棧的性能顯著提升。與此同時(shí),，我們與英偉達(dá)的全新合作也將助力芯片到汽車系統(tǒng)技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)大幅提升團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新潛力,。”

發(fā)表于：2024/3/21

格創(chuàng)東智完成AMHS收購(gòu)簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務(wù)啟動(dòng)暨產(chǎn)品發(fā)布會(huì)在SEMICON China 2024展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)成功舉行,。會(huì)上,格創(chuàng)東智完成對(duì)耘德有限公司,、江蘇睿新庫(kù)智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購(gòu)簽約,。

發(fā)表于：2024/3/21

美國(guó)政府宣布計(jì)劃向英特爾提供近200億美元激勵(lì)

3 月 20 日消息,，美國(guó)商務(wù)部 3 月 20 日宣布，美國(guó)政府與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）,，將根據(jù)美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》向后者提供至多 85 億美元（當(dāng)前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當(dāng)前約 792 億元人民幣）貸款,，以擴(kuò)大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領(lǐng)域重新確立在美國(guó)的領(lǐng)導(dǎo)地位,，并與臺(tái)積電和三星等公司競(jìng)爭(zhēng),。

發(fā)表于：2024/3/21

三星：最快2年奪回全球芯片市場(chǎng)第一

3月20日消息，據(jù)媒體報(bào)道,，三星電子在周三舉行的年度股東大會(huì)上放下豪言,，表示目標(biāo)是在最快2-3年內(nèi)重新奪回全球芯片市場(chǎng)的第一位置。據(jù)悉,，三星電子計(jì)劃在未來幾年內(nèi)通過一系列的戰(zhàn)略舉措來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),。首先，三星預(yù)計(jì)公司的DS（Device Solutions）部門的銷售額將在2024年恢復(fù)到2022年水平,，這將為公司重返全球芯片市場(chǎng)第一奠定基礎(chǔ),。除了恢復(fù)銷售額外，三星還宣布將在所有設(shè)備中廣泛采用人工智能技術(shù),，通過提升人工智能能力,，他們積極尋求涉足汽車零部件、機(jī)器人和數(shù)字健康領(lǐng)域的新業(yè)務(wù),。一,。

發(fā)表于：2024/3/21

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報(bào)告》。報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算,、汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求,，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元,，2027年將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1370億美元,。 SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長(zhǎng)20%至1165億美元,，2026年增長(zhǎng)12%至1305億美元,，2027年將將繼續(xù)增長(zhǎng)5%至1370億美元。

發(fā)表于：2024/3/21

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備

2024年3月20日,中國(guó)上?！裉?國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商奧芯明亮相SEMICON China 2024,。作為ASMPT全球技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的一部分,奧芯明以中國(guó)設(shè)備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會(huì)上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對(duì)高質(zhì)量,、高精度芯片封裝的先進(jìn)設(shè)備,。

發(fā)表于：2024/3/20

基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增,，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路,，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元,，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒,、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)比性能測(cè)試,，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能,、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢(shì),，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ),。

發(fā)表于：2024/3/20

Flash陣列無(wú)效塊管理

Flash陣列在當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位，提高Flash陣列可靠性的關(guān)鍵在于提出合理的壞塊管理方法,。針對(duì)固有壞塊,，提出基于整合塊的壞塊管理方法和基于EEPROM查找表的壞塊管理方法。對(duì)于在使用過程中出現(xiàn)的突發(fā)壞塊,，提出基于頁(yè)跳過和頁(yè)替換的突發(fā)壞塊管理方法,。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)分析表明壞塊管理方法提高了NAND Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性，在保證存儲(chǔ)速度的情況下對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)空間得到最大化利用,。

發(fā)表于：2024/3/20

亞智科技 RDL先進(jìn)制程加速全球板級(jí)封裝部署和生產(chǎn)

化學(xué)濕制程,、電鍍及自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Manz亞智科技，以RDL不斷精進(jìn)的工藝布局半導(dǎo)體封裝市場(chǎng),。日前,，Manz擴(kuò)大RDL 研發(fā)版圖,，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導(dǎo)線金屬化工藝，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體封裝的TGV玻璃芯基材,，能夠達(dá)到更高的封裝效能及能源傳遞效率外,，還可透過板級(jí)制程，滿足高效率和大面積的生產(chǎn),，從而降低生產(chǎn)成本,。

發(fā)表于：2024/3/20

消息稱臺(tái)積電今年著力提升3nm產(chǎn)能

3 月 19 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,，臺(tái)積電今年將全力擴(kuò)增 3nm 產(chǎn)能,，預(yù)計(jì)年底前該工藝的利用率將提升至 80%。臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)已拿下蘋果,、高通,、聯(lián)發(fā)科等大廠的訂單，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電還將轉(zhuǎn)移部分 5nm 產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求,，這意味著臺(tái)積電在 3nm 制程世代完勝三星,、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。展望未來 2nm 制程世代,，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2025 年開始提供相關(guān)晶圓代工服務(wù),，總共涉及至少五座廠區(qū)。臺(tái)積電總裁魏哲家先前在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示,，全球主要大廠中僅有一家不是臺(tái)積電 2nm 制程客戶,。外界推測(cè)這一客戶指的是三星電子，但總體看來,，臺(tái)積電仍將在 2nm 制程世代占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：2024/3/20

臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

3 月 19 日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,，由于建筑成本上升和勞動(dòng)力短缺，臺(tái)積電和英特爾的五家供應(yīng)商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設(shè)項(xiàng)目,。這一挫折與供應(yīng)商最初的計(jì)劃背道而馳,，此前他們計(jì)劃跟隨英特爾和臺(tái)積電在該州新建芯片生產(chǎn)設(shè)施的計(jì)劃進(jìn)行建設(shè)。臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

發(fā)表于：2024/3/20

鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復(fù)至88%

集邦咨詢：鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復(fù)至 88%,，帶動(dòng) 2024 年 NAND 閃存產(chǎn)量增長(zhǎng) 10.9%

發(fā)表于：2024/3/20