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EDA與制造相關(guān)文章

三星計劃采用英偉達“數(shù)字孿生”技術(shù)提升芯片良率以追趕臺積電

近幾年三星代工部門一直落后于其競爭對手臺積電,，其生產(chǎn)的芯片性能也無法與臺積電的產(chǎn)品相媲美,。據(jù)報道,，三星計劃采用基于英偉達 Omniverse 平臺的“數(shù)字孿生”技術(shù),，以期縮小與臺積電的差距,。

發(fā)表于：2024/3/5

SK海力士三星電子HBM良率僅65%

據(jù)韓媒 DealSite 報道,，SK 海力士,、三星電子今年針對 HBM 內(nèi)存大幅擴產(chǎn),。不過 HBM 內(nèi)存有著良率較低等問題,，難以跟上 AI 市場相關(guān)需求,。作為 AI 半導(dǎo)體市場搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級封裝（WLP）：在基礎(chǔ)晶圓上通過 TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓,，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問題就意味著整個 HBM 堆棧的報廢,。

發(fā)表于：2024/3/5

AI浪潮帶動存儲芯片再進化

全球產(chǎn)業(yè)數(shù)位化，數(shù)位資料規(guī)模攀升,，加上AI技術(shù)興起,，全球?qū)Y料處理、大數(shù)據(jù)分析與AI應(yīng)用的需求快速增長,，間接提高對支援高效能運算（HPC）與AI運算的硬體裝置及芯片要求,。以云端資料中心伺服器來說，HPC與AI運算需求下,，需要搭配升級的芯片包含作為運算核心的中央處理器（CPU）與圖形處理器（GPU）,、伺服器基板管理芯片（BMC）、電源管理芯片（PMIC）,、高速傳輸芯片,，以及存儲等。其中,，存儲除用于長期儲存資料,、屬于非揮發(fā)性存儲的NAND Flash固態(tài)硬盤（SSD），也包含用于即時高速運算暫存資料,、屬于揮發(fā)性存儲的靜態(tài)隨機存取存儲（SRAM）與動態(tài)隨機存取存儲（DRAM）,。

發(fā)表于：2024/3/5

使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率

　　設(shè)計規(guī)則檢查（DRC）技術(shù)用于芯片設(shè)計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定,。DRC可確保設(shè)計符合制造要求,，且不會導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求,、偏差檢查以及其他規(guī)格,，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路,、材料過量或其他器件故障,。

發(fā)表于：2024/3/4

芯原業(yè)界領(lǐng)先的嵌入式GPU IP賦能先楫高性能的HPM6800系列RISC-V MCU

　　2024年3月4日，中國上?！驹煞荩ㄐ驹?，股票代碼：688521.SH）今日宣布先楫半導(dǎo)體（簡稱“先楫”）的HPM6800系列新一代數(shù)字儀表顯示及人機界面系統(tǒng)應(yīng)用平臺采用了芯原的高性能2.5D圖形處理器（GPU）IP。

發(fā)表于：2024/3/4

全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在中國下線

湖北九峰山實驗室（JFS）近日官宣,，2024 年 2 月 20 日,，全球首片 8 寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。

發(fā)表于：2024/3/4

美國半導(dǎo)體芯片重鎮(zhèn)遭重挫：出口損失57億美元

美國半導(dǎo)體芯片重鎮(zhèn)遭重挫：出口損失57億美元,！Intel有三座廠

發(fā)表于：2024/3/4

印度政府批準152億美元芯片工廠投資計劃

印度電子和信息技術(shù)部部長阿什維尼·維什瑙當?shù)貢r間2月29日宣布,，印度政府批準價值152億美元的半導(dǎo)體制造廠投資計劃，其中包括塔塔集團建設(shè)該國首座大型芯片制造廠的方案,。具體而言,，塔塔集團將與力積電合作，在古吉拉特邦Dholera建立印度第一家芯片制造廠,，投資規(guī)模9100億盧比,；塔塔集團子公司塔塔半導(dǎo)體組裝和測試將在阿薩姆邦建立價值2700億盧比的芯片封裝廠；印度企業(yè)集團Murugappa旗下CG Power將與日本瑞薩電子和泰國Stars Microelectronics合作,，在古吉拉特邦建設(shè)規(guī)模760億盧比的芯片封裝廠,。維什瑙稱，這些工廠將在未來100天內(nèi)開建,，投產(chǎn)后將為印度國防,、汽車和電信等行業(yè)制造和封裝芯片。

發(fā)表于：2024/3/4

是德科技與 Intel Foundry 強強聯(lián)手

　　是德科技（NYSE: KEYS ）近日宣布,，RFPro 電磁（EM）仿真軟件作為是德科技 EDA 先進設(shè)計系統(tǒng)（ADS）綜合工具套件中的一員,，現(xiàn)已通過 Intel Foundry 認證，可幫助設(shè)計工程師開發(fā)采用 Intel 18A 工藝技術(shù)的設(shè)計,。射頻集成電路（RFIC）設(shè)計團隊可結(jié)合使用這一全新的 EM 仿真功能和用于 Intel 18A 電路和物理設(shè)計的工藝設(shè)計套件（PDK）,，一次性設(shè)計出成功的產(chǎn)品。

發(fā)表于：2024/3/1

Counterpoint：2023年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入下降8.8%

2023年是半導(dǎo)體公司微調(diào)戰(zhàn)略/前景和管理庫存調(diào)整的一年,，為即將到來的人工智能熱潮做好準備,。根據(jù)Counterpoint的半導(dǎo)體收入跟蹤,，全球前20大半導(dǎo)體供應(yīng)商中只有6家報告收入同比增長。尤其是內(nèi)存行業(yè),，經(jīng)歷了強勁的逆風(fēng),，2023年的收入同比下降了43%。全球前20大半導(dǎo)體供應(yīng)商的市場份額為71%,，低于2022年的76%,，收入同比下降14%。

發(fā)表于：2024/3/1

三星開始量產(chǎn)1TB microSD卡

2 月 29 日消息,，三星宣布，目前正在對其 256GB SD Express microSD 卡進行采樣測試,，并透露已開始量產(chǎn) 1TB UHS-1 microSD 卡,。據(jù)悉，三星的 SD Express 卡讀取速度高達 800MB/s,，這比 SATA SSD（最高 560MB/s）還要快,，是傳統(tǒng) UHS-1 存儲卡（最高 200MB/s）的四倍。

發(fā)表于：2024/3/1

印度批準1093.65億元芯片工廠投資計劃力積電協(xié)助建廠

印度批準1093.65億元芯片工廠投資計劃力積電協(xié)助建廠印度電子和信息技術(shù)部部長阿什維尼·維什瑙宣布,，印度政府已批準一項價值152億美元的半導(dǎo)體制造廠投資計劃,。該計劃旨在推動印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高芯片制造能力,，并預(yù)計在未來100天內(nèi)開工建設(shè),。

發(fā)表于：2024/3/1

奔馳放棄全電動車計劃歐洲人對電動車也興趣不大

奔馳放棄全電動車計劃歐洲人對電動車也興趣不大

發(fā)表于：2024/3/1

蘋果已基于臺積電下一代2nm工藝開展芯片研發(fā)工作

領(lǐng)英上一名認證為蘋果員工的賬戶顯示，蘋果公司已經(jīng)開始設(shè)計基于臺積電 2nm 工藝的芯片,，而他恰恰就參與到了該項目中,。

發(fā)表于：2024/2/29

HBM被韓國列入國家戰(zhàn)略技術(shù),，最高抵免50%

韓國企劃財政部公布了《2023年稅法修正案后續(xù)執(zhí)行規(guī)則修正案草案》，旨在對被納入韓國國家戰(zhàn)略技術(shù)的高帶寬存儲器（HBM）,、有機發(fā)光二極管（OLED）和氫相關(guān)設(shè)施,，進一步擴大稅收支持。該執(zhí)行規(guī)則的修訂將于近期公布,，隨后經(jīng)與韓國各部委協(xié)商并經(jīng)政府立法部審查后頒布實施,。

發(fā)表于：2024/2/29