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三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息,,據(jù)媒體透露,,有消息人士稱,,三星電子的3納米Gate-All-Around(GAA)工藝的良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了三倍的提高,,從先前的10%至20%上升至30%至60%之間,,然而,,這仍然落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電,。 除此之外,,臺(tái)積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴(kuò)大到每月約10萬(wàn)片,,這使得三星幾乎沒(méi)有趕上代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的機(jī)會(huì),。 報(bào)道指出,三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力,并在功耗,、性能和邏輯區(qū)域方面進(jìn)行了改進(jìn),。 然而,這并沒(méi)有為三星吸引更多客戶,。一份報(bào)告指出,,要重新贏得像高通等先前的客戶認(rèn)可,三星需要將良率提高到70%,。而這些企業(yè)在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)將繼續(xù)選擇臺(tái)積電,。 本月初,韓國(guó)媒體報(bào)道稱,,三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴,,自今年年初起,將第二代3納米工藝改名為2納米工藝,。 一位業(yè)內(nèi)人士表示:“我們收到了三星電子的通知,,他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米,,因此我們近期需要重新簽訂合同,。”

發(fā)表于:2024/3/26