三星和SK海力士已全面停止對外出售二手半導(dǎo)體設(shè)備

三星和SK海力士已全面停止對外出售二手半導(dǎo)體設(shè)備

發(fā)表于：2024/3/13

全球前十大晶圓代工廠最新排名出爐：中芯國際第五

TrendForce集邦咨詢研究顯示,，2023年第四季全球前十大晶圓代工業(yè)者營收季增7.9%,，達304.9億美元,，主要受惠于智能手機零部件拉貨動能延續(xù),，包含中低端Smartphone AP與周邊PMIC,，以及蘋果新機出貨旺季,，帶動A17主芯片,、周邊IC如OLED DDI,、CIS,、PMIC等零部件,。其中，臺積電（TSMC）3nm高價制程貢獻營收比重大幅提升,，推升臺積電第四季全球市占率突破六成,。三星接獲部分智能手機新機零部件訂單，第四季三星晶圓代工事業(yè)營收季減1.9%,，達36.2億美元,。在消費性終端季節(jié)性備貨紅利加持下，中芯國際（SMIC）第四季營收季增3.6%,，約16.8億美元,，位列第五。

發(fā)表于：2024/3/13

多家日本車企陸續(xù)使用生成式AI開發(fā)新車

3 月 12 日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞今日報道,，日本各大汽車企業(yè)已陸續(xù)在開發(fā)新款車型時使用生成式 AI，包括豐田,、馬自達,、斯巴魯、本田等車企,。據(jù)悉,，AI 可通過導(dǎo)出零部件的組合等來提高工作效率，有望使策劃和設(shè)計所需時間減半。

發(fā)表于：2024/3/13

ASML 首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 完成安裝

3 月 13 日消息,，光刻機制造商 ASML 宣布其首臺新款 EUV 光刻機 Twinscan NXE:3800E 已完成安裝,，新機型將帶來更高的生產(chǎn)效率。

發(fā)表于：2024/3/13

比18A高15%,，英特爾高管透露英特爾14A節(jié)點性能功耗比信息

3 月 12 日消息,，英特爾高級副總裁安妮?凱萊赫（Anne Kelleher）近日出席 SPIE 2024 會議,，透露 Intel 14A 工藝節(jié)點的性能功耗比（Performance per watt），會比 Intel 18A 提高 15%,，而后續(xù)增強的 14A-E 工藝在普通 14A 節(jié)點的基礎(chǔ)上再增加 5%。

發(fā)表于：2024/3/13

現(xiàn)代汽車將研發(fā)5納米車用半導(dǎo)體

據(jù)外媒 ZDNET 韓國站周一報道,，業(yè)內(nèi)人士消息稱,，現(xiàn)代汽車將采用 5 納米工藝開發(fā)自家的車用半導(dǎo)體。這將是一個大項目,，耗資至少達到 1000 億韓元（當前約 5.48 億元人民幣）,。 報道稱，為了開發(fā)自有的汽車半導(dǎo)體,，現(xiàn)代汽車于去年 6 月成立了一個半導(dǎo)體開發(fā)實驗室,，并聘請了曾在三星電子的系統(tǒng) LSI 部門從事車載芯片 Exynos Auto 開發(fā)工作的工程師 Kim Jong-sun。 現(xiàn)代汽車正計劃為其半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)選擇一家半導(dǎo)體設(shè)計公司,，預(yù)計代工廠將是三星電子或臺積電,。目前，三星電子和臺積電是唯二使用 5 納米工藝生產(chǎn)汽車芯片的代工廠,。

發(fā)表于：2024/3/13

三星電子有意引入SK海力士使用的MUF封裝工藝

AI 火熱催生 HBM 需求,，消息稱三星電子有意引入 SK 海力士使用的 MUF封裝工藝

發(fā)表于：2024/3/13

消息稱中芯國際前技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁周梅生加入長鑫存儲

消息稱中芯國際前技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁周梅生加入長鑫存儲

發(fā)表于：2024/3/13

龍芯2K3000計劃上半年交付流片

3月12日消息，近日,，龍芯中科在投資者互動平臺回應(yīng)用戶提問時表示,，龍芯第二代GPU核LG200將在2K3000中應(yīng)用，2K3000計劃在今年上半年交付流片,。 LG200支持圖形加速,、科學(xué)計算加速、AI加速,，其中圖形渲染支持OpenGL 4.0,，通用計算支持OpenCL 3.0，AI加速支持INT8張量計算加速部件,。

發(fā)表于：2024/3/12

SK海力士加大HBM封裝投入：投資10億美元建造先進封裝設(shè)施

據(jù)媒體報道,，SK海力士正在加大在先進芯片封裝方面的支出，希望抓住市場對高帶寬內(nèi)存（HBM）需求日益增長而帶來的機遇。 SK海力士研發(fā)工作的副總裁表示,，SK海力士正在加大在先進芯片封裝方面的支出,，打算在韓國投資10億美元建造先進封裝設(shè)施，以進一步擴大先進封裝產(chǎn)能,。 希望能夠抓住市場對高帶寬存儲器日益增長的需求帶來的機遇,，同時鞏固SK海力士目前在HBM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 在當前數(shù)據(jù)中心GPU加速器的發(fā)展中,，HBM內(nèi)存所擔任的角色極為重要,。而在HBM生產(chǎn)的過程中，芯片封裝工藝變得越來越重要,。

發(fā)表于：2024/3/12

印度芯片野心：5年16座晶圓廠

印度芯片野心：5年16座晶圓廠 印度政府計劃在目前的 7600 億盧比基礎(chǔ)上提高芯片行業(yè)的激勵措施,，因為預(yù)計未來幾年該國芯片工廠和測試單位將如雨后春筍般涌現(xiàn)。 IT 部長 Ashwini Vaishnaw 在接受采訪時表示,，印度將在未來五年內(nèi)成為世界排名前五的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之一,。 這位部長表示，這將得到全球巨頭投資的支持,，這些巨頭越來越多地考慮在印度建立制造或其他單位,。 “未來五年，印度預(yù)計將新增約 4-6 座晶圓廠,、6-10 座化合物半導(dǎo)體晶圓廠,、1-2 座顯示器晶圓廠和 8-10 座 ATMP 工廠。 整個設(shè)計,、晶圓廠和 ATMP 價值鏈將在巴拉特建立,。 未來五年，Bharat 將成為世界排名前五的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之一,?！蓖瑫r負責電信和鐵路業(yè)務(wù)的 Vaishnaw 表示。

發(fā)表于：2024/3/12

臺積電美國亞利桑那州晶圓廠將獲50億美元補貼

根據(jù)彭博社報道,，臺積電位于美國亞利桑那州的半導(dǎo)體晶圓廠有望獲得超過 50 億美元的聯(lián)邦補貼,。報道稱美國政府還需要和臺積電敲定一些細節(jié)，因此暫時并未公布,。 如果有關(guān)臺積電獲得 50 億美元（當前約 360 億元人民幣）獎勵的信息是準確的,，那么有關(guān)英特爾獲得約 100 億美元獎勵的報道很可能也是準確的。 此外,，英特爾在美國的項目遠比臺積電雄心勃勃,、耗資巨大。例如,，英特爾正在俄亥俄州建造一個全新的廠址,，耗資將超過 1000 億美元。

發(fā)表于：2024/3/11

Marvell 美滿電子宣布與臺積電合作

3 月 11 日消息，據(jù) Marvell 美滿電子官方新聞稿,，美滿電子正在擴大與臺積電的合作,，開發(fā)業(yè)界首款針對加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的 2nm 芯片生產(chǎn)平臺。 從新聞稿中得知,，美滿電子將與臺積電協(xié)作提升芯片性能和效率,，投資于互連和高級封裝等平臺組件，從而降低多芯片解決方案的成本,，加快相關(guān)芯片上市時間,。 美滿電子首席開發(fā)官 Sandeep Bharathi 表示：“未來的人工智能工作負載將需要在性能、功率,、面積和晶體管密度方面取得顯著的進步,。2nm 平臺將使 Marvell 能夠提供高度差異化的模擬、混合信號和基礎(chǔ) IP,，以構(gòu)建能夠?qū)崿F(xiàn)人工智能承諾的加速基礎(chǔ)設(shè)施,。我們與臺積電在 5nm、3nm 和現(xiàn)在的 2nm 平臺上的合作,，有助于 Marvell 擴大在芯片方面所能取得的成就,?！?/a>

廣汽自研飛行汽車GOVE完成關(guān)鍵飛行驗證

飛行汽車近年來成為國內(nèi)外企業(yè)投資的重點,，國外有大眾、福特等汽車品牌入局,，國內(nèi)也有廣汽,、小鵬研發(fā)飛行汽車。 據(jù)廣汽集團公眾介紹,，日前,，廣汽飛行汽車GOVE在廣州CBD上空進行飛行展示，首次完成在城市公眾復(fù)雜低空環(huán)境進行飛行驗證,，為廣汽城市空中交通示范運行探索邁出了重要一步,。

發(fā)表于：2024/3/11

消息稱HBM4標準放寬 三星,、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)

據(jù)科技媒體ZDNET Korea報道，業(yè)界消息稱,，國際半導(dǎo)體標準組織（JEDEC）的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的標準定為775微米（μm）,，比上一代的720微米更厚。據(jù)悉,，該協(xié)議預(yù)計將對三星電子,、SK海力士、美光等主要內(nèi)存制造商的未來封裝投資趨勢產(chǎn)生重大影響。如果封裝厚度為775微米,，使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)就可以充分實現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4,。考慮到混合鍵合的投資成本巨大,，存儲器公司很可能將重點放在升級現(xiàn)有鍵合技術(shù)上,。

發(fā)表于：2024/3/11