EDA與制造相關文章 ASML展示最新EUV光刻機內部畫面 ASML對外展示了最新EUV光刻機內部畫面,，或許在他們看來,，就算把這些全部展現給大家看,，也沒辦法來偷師他們的技術,。 該系統(tǒng)已獲得英特爾公司的訂單,，首臺機器已于去年年底運抵其位于俄勒岡州的D1X工廠,，英特爾計劃在 2025 年年底開始使用該系統(tǒng)進行生產,。 發(fā)表于：2024/2/14 廣汽集團布局低空市場 推動飛行汽車項目 據悉,，廣汽集團與廣州空港經濟區(qū)管理委員會（下文簡稱“廣州空港委”）,、廣州經濟技術開發(fā)區(qū)管理委員會（下文簡稱“廣州開發(fā)區(qū)管委會”）,、 億航智能控股有限公司（下文簡稱“億航智能”）達成戰(zhàn)略合作協議。 發(fā)表于：2024/2/14 高通已要求三星,、臺積電提供2nm芯片樣品 根據外媒報道,，由于原型芯片組開發(fā)需要 6到12個月,，加上高通希望獲得三星、臺積電的訂單,，已要求這倆半導體代工廠,，提供2nm的樣品。 據了解,，性能和提高良率是高通的首要任務,，芯片組原型開發(fā)階段目前正在進行中。 這一階段幫助公司確定哪些技術可以用于大規(guī)模生產,，通常被稱為“多項目晶圓（MPW）”,，即在單個晶圓上創(chuàng)建多個原型。 發(fā)表于：2024/2/14 海南商業(yè)航天發(fā)射場目標 5 月底建成二號發(fā)射工位 我國首個開工建設的商業(yè)航天發(fā)射場 —— 海南國際商業(yè)航天發(fā)射中心目前正在建設中,，一號發(fā)射工位已于去年底竣工,，目前正在建設二號發(fā)射工位。 海南國際商業(yè)航天發(fā)射有限公司（海南商發(fā)）今日發(fā)布消息,，錨定 2024 年建設目標,，部署春節(jié)長假內展開的施工計劃,。 海南商發(fā)官方透露，海南國際商業(yè)航天發(fā)射中心將在 2 月底前完成加注供氣系統(tǒng)調試,，5 月底建成二號發(fā)射工位,，9 月底完成三平廠房及其附屬設施建設。 發(fā)表于：2024/2/11 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產恢復向好 工信部：2023 年我國電子信息制造業(yè)生產恢復向好 發(fā)表于：2024/2/11 高塔半導體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 高塔半導體擬在印度投資 80 億美元建芯片廠 發(fā)表于：2024/2/11 臺積電增資日本：將投資52億美元建設第二座晶圓廠 臺積電日前宣布在日本熊本建設第二座晶圓廠,，核準以不超過52.62億美元的額度增資日本先進半導體制造公司（JASM）,。 發(fā)表于：2024/2/11 中芯國際披露手機創(chuàng)新急單：暗指華為麒麟9000S 中芯國際聯席CEO趙海軍在業(yè)績說明會上表示，2023年第三季度,，智能手機等移動設備產業(yè)鏈更新換代,，一些有創(chuàng)新的產品公司得到了機會,，啟動急單,，開始企穩(wěn)回升,。 趙海軍并未明確提及是哪家公司,、哪款產品，但大家都知道,，去年第三季度,，華為沒有任何征兆地發(fā)布了劃時代的Mate 60系列,，配備麒麟9000S處理器…… 背后的故事，就不用多說了,。 發(fā)表于：2024/2/8 SK 海力士與臺積電建立AI芯片聯盟 SK 海力士與臺積電建立 AI 芯片聯盟 合作開發(fā) HBM4 發(fā)表于：2024/2/8 Intel 18A工藝拿下大單：代工64核心Arm處理器 芯片設計企業(yè)Faraday Technology宣布計劃開發(fā)全球首款基于Arm Neoverse架構的64核心處理器,，預計2025年上半年完成，并采用Intel 18A工藝制造,。 發(fā)表于：2024/2/6 韓國半導體產品今年出口額預計低于1000億美元 在價格上漲,、人工智能領域需求增加、主要廠商新推出智能手機大量出貨的推動下,，全球半導體市場的狀況近幾個月在好轉,，韓國半導體產品的出口額在 11 月份也時隔 15 個月再次同比上漲。 發(fā)表于：2024/2/6 vivo與諾基亞簽署5G專利交叉許可協議 2 月 5 日消息,，今日,，vivo 宣布與諾基亞達成全球專利交叉許可協議，該協議涵蓋雙方在 5G 和其他蜂窩通信技術方面的標準必要專利,。 諾基亞在聲明中指出,，“該協議解決了雙方在所有司法管轄區(qū)的所有待處理專利訴訟。根據雙方商定的協議,，協議條款仍將保密”,。 發(fā)表于：2024/2/6 2nm半導體大戰(zhàn)打響,！三星2nm時間表公布 據媒體報道,，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前,，三星將在韓國投資500萬億韓元,，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造,。 據悉,，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗,。 作為三星最大的競爭對手,，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺,，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術,。 發(fā)表于：2024/2/5 3nm爭奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億 據韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題,，試產芯片均存在缺陷,，良品率 0%。報道還指出,，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試,，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。 當三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時,，臺積電的 3nm 工藝已經可以養(yǎng)家了,。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產量的持續(xù)強勁增長,。 在 3nm 先進制程工藝上,，三星暫時做不到遙遙領先。 發(fā)表于：2024/2/5 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 發(fā)表于：2024/2/5 ?…75767778798081828384…?
