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功率mosfet
功率mosfet 相關(guān)文章(40篇)
Littelfuse推出高性能超級(jí)結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
發(fā)表于:11/26/2024 9:28:20 AM
英飛凌發(fā)布StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
發(fā)表于:9/28/2024 8:16:45 PM
英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝
發(fā)表于:4/12/2024 5:11:00 PM
英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,,樹(shù)立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)表于:3/15/2022 6:04:24 PM
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
發(fā)表于:2/16/2022 9:26:45 AM
英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
發(fā)表于:11/4/2020 10:05:00 AM
英飛凌聯(lián)合Schweizer開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的芯片嵌入式功率MOSFET
發(fā)表于:5/15/2019 4:10:01 PM
減少交通碳排放:大陸集團(tuán)率先在48 V輕混系統(tǒng)中采用英飛凌及Schweizer聯(lián)合開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)
發(fā)表于:5/14/2019 4:49:45 PM
穩(wěn)健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性
發(fā)表于:1/22/2019 1:13:00 AM
功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用
發(fā)表于:8/14/2018 5:11:37 PM
ST推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車(chē)級(jí)功率MOSFET管
發(fā)表于:5/28/2017 9:10:00 PM
英飛凌推出支持高壓、高速I(mǎi)GBT和功率MOSFET的IRS2005
發(fā)表于:12/12/2015 10:44:00 PM
e絡(luò)盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET
發(fā)表于:8/7/2014 4:44:48 PM
Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
發(fā)表于:3/28/2014 10:29:10 AM
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于:9/6/2013 9:29:32 AM
意法半導(dǎo)體(ST)的功率創(chuàng)新技術(shù)可減少相當(dāng)于數(shù)千輛汽車(chē)尾氣排放量的溫室氣體
發(fā)表于:4/2/2013 11:02:33 AM
恩智浦推出針對(duì)熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET
發(fā)表于:1/24/2013 4:27:18 PM
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET
發(fā)表于:1/14/2013 4:48:53 PM
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品, 抓住新興生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和綠色能源市場(chǎng)機(jī)會(huì)
發(fā)表于:9/13/2012 9:02:41 AM
用于計(jì)算應(yīng)用的占位面積優(yōu)化功率器件
發(fā)表于:5/31/2012 2:18:21 PM
得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝,,功率MOSFET在不斷進(jìn)步
發(fā)表于:5/3/2012 3:30:45 PM
瑞薩電子推出低功耗,,超小型功率MOSFET,,為便攜式裝置提供更高的功效和更小的封裝尺寸
發(fā)表于:4/19/2012 4:50:40 PM
功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護(hù)與控制
發(fā)表于:2/16/2012 3:01:20 PM
開(kāi)關(guān)電源中幾種過(guò)流保護(hù)方式的比較分析
發(fā)表于:10/28/2011 12:00:00 AM
意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大第六代功率MOSFET產(chǎn)品系列,,為太陽(yáng)能、電信及消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能省電優(yōu)勢(shì)
發(fā)表于:6/17/2011 12:00:00 AM
Vishay展示業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電容器,、電阻和功率MOSFET器件
發(fā)表于:6/13/2011 11:26:20 AM
2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素
發(fā)表于:6/9/2011 11:00:29 AM
大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
發(fā)表于:3/30/2011 12:00:00 AM
深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的各個(gè)參數(shù)
發(fā)表于:3/28/2011 12:00:00 AM
深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表
發(fā)表于:12/6/2010 12:00:00 AM
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二極管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試專(zhuān)題
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2023進(jìn)階電子測(cè)試測(cè)量?jī)x器系列培訓(xùn)第十一講上:矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的原理與操作
2023進(jìn)階電子測(cè)試測(cè)量?jī)x器系列培訓(xùn)第十講下:數(shù)字源表的應(yīng)用與選型
2023進(jìn)階電子測(cè)試測(cè)量?jī)x器系列培訓(xùn)第十講:數(shù)字源表的原理與操作
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基于殘差注意力自適應(yīng)去噪網(wǎng)絡(luò)和Stacking集成學(xué)習(xí)的局部放電故障診斷
圓形陣列式霍爾電流傳感器抗磁干擾算法研究
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